本發(fā)明專(zhuān)利技術(shù)提供了能在相鄰像素之間減少泄漏電流的顯示面板、顯示單元以及電子設(shè)備。該顯示面板包括在顯示區(qū)域的多個(gè)像素。該像素的每一個(gè)具有有機(jī)EL器件以及驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL器件的像素電路。有機(jī)EL器件具有陽(yáng)極、陰極以及設(shè)置在陽(yáng)極和陰極之間的有機(jī)層。陽(yáng)極的側(cè)表面構(gòu)造為陽(yáng)極在陰極側(cè)的截面面積大于陽(yáng)極在陰極相反側(cè)的截面面積。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【國(guó)外來(lái)華專(zhuān)利技術(shù)】【專(zhuān)利摘要】本專(zhuān)利技術(shù)提供了能在相鄰像素之間減少泄漏電流的顯示面板、顯示單元以及電子設(shè)備。該顯示面板包括在顯示區(qū)域的多個(gè)像素。該像素的每一個(gè)具有有機(jī)EL器件以及驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL器件的像素電路。有機(jī)EL器件具有陽(yáng)極、陰極以及設(shè)置在陽(yáng)極和陰極之間的有機(jī)層。陽(yáng)極的側(cè)表面構(gòu)造為陽(yáng)極在陰極側(cè)的截面面積大于陽(yáng)極在陰極相反側(cè)的截面面積?！緦?zhuān)利說(shuō)明】顯示面板、顯示單元和電子設(shè)備
本專(zhuān)利技術(shù)涉及包括以每個(gè)像素為基礎(chǔ)的有機(jī)EL (Electroluminescence,電致發(fā)光)器件的顯示面板以及包括這種顯示面板的顯示單元。此外，本專(zhuān)利技術(shù)涉及包括上述顯示單元的電子設(shè)備。
技術(shù)介紹
近年來(lái)，在執(zhí)行圖像顯示的顯示單元領(lǐng)域中，已經(jīng)開(kāi)發(fā)了采用電流驅(qū)動(dòng)型光學(xué)器件作為像素中的發(fā)光器件的顯示單元，其中發(fā)光亮度根據(jù)流過(guò)的電流值變化，例如為有機(jī)EL器件，并且這樣的顯示單元的產(chǎn)品商業(yè)化已經(jīng)在向前推進(jìn)。與液晶器件等不同，有機(jī)EL器件是自發(fā)光器件。因此，采用有機(jī)EL器件的顯示單元(有機(jī)EL顯示單元)消除了對(duì)光源(背光)的需求，并且因此與具有光源的液晶顯示單元相比能實(shí)現(xiàn)小框架外觀(lower-profile appearance)和高亮度。尤其是,當(dāng)有源矩陣方法用作驅(qū)動(dòng)方法時(shí),能在保持狀態(tài)下使每個(gè)像素明亮，并且降低功耗。因此，希望有機(jī)EL顯示單元成為下一代平板顯示器的主流。在有源矩陣顯示單元中，流過(guò)以每個(gè)像素為基礎(chǔ)設(shè)置的有機(jī)EL器件的電流由設(shè)置在為每個(gè)有機(jī)EL器件設(shè)置的像素電路內(nèi)的薄膜晶體管(TFT)控制(例如，見(jiàn)PTLl )。引用列表專(zhuān)利文件PTLl日本未審查專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)N0.2008-33193
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
有機(jī)EL器件是在陽(yáng)極和陰極之間設(shè)置由有機(jī)化合物制成的薄膜的電子器件。在有機(jī)EL器件中，從每一個(gè)陽(yáng)極和陰極的注入空穴和電子，并且這些空穴和電子的復(fù)合產(chǎn)生的能量提取為光。因此，通過(guò)改善空穴的注入特性能夠?qū)崿F(xiàn)諸如降低驅(qū)動(dòng)電壓和改善發(fā)光效率的有益效果。在有機(jī)EL器件為低分子氣相沉積型的情況下，當(dāng)有機(jī)EL器件設(shè)置成陣列時(shí)，采用蒸發(fā)掩模，在每個(gè)像素基礎(chǔ)上選擇性地執(zhí)行氣相沉積形成發(fā)光層。然而，考慮到改善生產(chǎn)率和降低生產(chǎn)成本，有機(jī)層上除了發(fā)光層之外的任何其它層可優(yōu)選共同地形成在每個(gè)像素中。不過(guò)，如果空穴注入層(HIL)共同地形成在每個(gè)像素中，由于空穴注入層的低電阻率而在相鄰像素之間產(chǎn)生泄漏電流，導(dǎo)致所希望像素之外的任何像素也發(fā)光。結(jié)果，產(chǎn)生混色和圖像質(zhì)量下降的缺點(diǎn)。因此，希望提供使得可以在相鄰像素之間減少泄漏電流的顯示面板、顯示單元和電子設(shè)備。根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例的顯示面板包括在顯示區(qū)域的多個(gè)像素。每個(gè)像素具有有機(jī)EL器件和驅(qū)動(dòng)該有機(jī)EL器件的像素電路。有機(jī)EL器件具有陽(yáng)極、陰極以及設(shè)置在陽(yáng)極和陰極之間的有機(jī)層。陽(yáng)極的側(cè)表面構(gòu)造為陽(yáng)極在陰極側(cè)的截面面積大于陽(yáng)極在陰極相反側(cè)的截面面積。根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例的顯示單元包括上述顯示面板以及驅(qū)動(dòng)像素中的每一個(gè)的驅(qū)動(dòng)電路。根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例的電子設(shè)備包括上述顯示單元。在根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例的顯示面板、顯示單元和電子設(shè)備中，有機(jī)EL器件上陽(yáng)極的側(cè)表面構(gòu)造為陽(yáng)極在陰極側(cè)的截面面積大于陽(yáng)極在陰極相反側(cè)的截面面積。采用這樣的結(jié)構(gòu)，例如，當(dāng)空穴注入層層疊在對(duì)應(yīng)于包括顯示區(qū)域內(nèi)所有像素的區(qū)域的整個(gè)區(qū)域上時(shí)，能在對(duì)應(yīng)于空穴注入層上每個(gè)陽(yáng)極的側(cè)表面的位置形成高電阻率結(jié)構(gòu)。根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例的顯示面板、顯示單元和電子設(shè)備，能在空穴注入層的制造工藝中在對(duì)應(yīng)于空穴注入層上每個(gè)陽(yáng)極的側(cè)表面的位置形成高電阻率結(jié)構(gòu)，因此使得可以抑制在相鄰像素之間產(chǎn)生泄漏電流。結(jié)果，這使得可以抑制產(chǎn)生混色以及圖像質(zhì)量的下降?！緦?zhuān)利附圖】【附圖說(shuō)明】圖1是示出根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例的顯示單元的構(gòu)造示例的示意圖。圖2是示出一個(gè)像素的構(gòu)造示例的示意圖。圖3是示出有機(jī)EL器件的截面構(gòu)造示例的示意圖。圖4是示出有機(jī)EL器件的另一個(gè)截面構(gòu)造示例的示意圖。圖5是用于說(shuō)明圖1所示顯示面板中像素之間泄漏電流的示意圖。圖6是用于說(shuō)明根據(jù)比較示例的顯示面板中像素之間泄漏電流的示意圖。圖7是示出用于制造圖3所示有機(jī)EL器件的工藝示例的截面圖。圖8是示出包括根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)上述實(shí)施例的顯示單元的模塊的簡(jiǎn)化構(gòu)造的平面圖。圖9是示出用于根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)上述實(shí)施例的發(fā)光單元的應(yīng)用示例I的外觀的透視圖。圖1OA是示出應(yīng)用示例2從前側(cè)看的外觀的透視圖，而圖1OB是示出應(yīng)用示例2從后側(cè)看的外觀的透視圖。圖11是示出應(yīng)用示例3的外觀的透視圖。圖12是示出應(yīng)用示例4的外觀的透視圖。圖13A是應(yīng)用示例5在開(kāi)啟狀態(tài)下的主視圖，圖13B是其側(cè)視圖，圖13C是關(guān)閉狀態(tài)下的主視圖，圖13D是左側(cè)視圖，圖13E是右側(cè)視圖，圖13F是俯視圖，而圖13G是仰視圖。【具體實(shí)施方式】下面，將參考附圖描述本專(zhuān)利技術(shù)的實(shí)施例。應(yīng)注意，描述按下列順序提供。1.實(shí)施例(顯示單元)在陽(yáng)極的側(cè)表面上分級(jí)切出空穴注入層的示例。2.應(yīng)用不例(電子設(shè)備)根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)上述實(shí)施例的顯示單元應(yīng)用于電子設(shè)備的示例。1.實(shí)施例構(gòu)造圖1示出了根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例的顯示單元I的簡(jiǎn)化構(gòu)造。該顯示單元I包括顯示面板10和驅(qū)動(dòng)顯示面板10的驅(qū)動(dòng)電路20。驅(qū)動(dòng)電路20例如可具有定時(shí)發(fā)生電路21、圖像信號(hào)處理電路22、信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路23、寫(xiě)入線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路24和電源線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路25。顯示面板10顯示面板10構(gòu)造的方式為多個(gè)像素11以二維方式設(shè)置在顯示面板10上的顯示區(qū)域IOA的整個(gè)區(qū)域上。像素11對(duì)應(yīng)于構(gòu)成顯示面板10上顯示屏幕的最小單元的點(diǎn)。像素11對(duì)應(yīng)于發(fā)射凈色光的子像素，例如，在顯示面板10為彩色顯示面板時(shí)為紅光、綠光或藍(lán)光，并且在顯示面板10為單色顯示面板時(shí)對(duì)應(yīng)于發(fā)射白光的子像素。顯示面板10根據(jù)外部輸入的圖像信號(hào)20A顯示圖像，外部信號(hào)以像素11的每一個(gè)由驅(qū)動(dòng)電路20以有源矩陣方法驅(qū)動(dòng)的方式輸入。圖2示出了用于像素11的電路構(gòu)造的示例。例如，如圖2所示，像素11可具有像素電路12和有機(jī)EL器件13。例如，如圖2所示，像素電路12可由驅(qū)動(dòng)晶體管Trl、寫(xiě)入晶體管Tr2和存儲(chǔ)電容器Cs構(gòu)成，其等效于2TrlC的電路構(gòu)造。寫(xiě)入晶體管Tr2取樣信號(hào)線(xiàn)DTL上的電壓，如下文所述，并且同時(shí)將這樣的電壓寫(xiě)入到驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的柵極。驅(qū)動(dòng)晶體管Trl根據(jù)寫(xiě)入晶體管Tr2寫(xiě)入電壓的大小控制流過(guò)有機(jī)EL器件13的電流。存儲(chǔ)電容器Cs存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的柵極和源極之間的預(yù)定電壓。應(yīng)注意，像素電路12可采用與上述2TrlC的電路構(gòu)造不同的電路構(gòu)造。驅(qū)動(dòng)晶體管Trl和寫(xiě)入晶體管Tr2的每一個(gè)例如可由n_溝道MOS薄膜晶體管(TFT)形成。應(yīng)注意，這種TFT的類(lèi)型沒(méi)有具體限制，而是例如可選擇性地允許反交錯(cuò)結(jié)構(gòu)(底柵型)或交錯(cuò)結(jié)構(gòu)(頂柵型)。此外，驅(qū)動(dòng)晶體管Trl或?qū)懭刖w管Tr2也可為p-溝道MOS TFT0如圖2所示，顯示面板10具有在行方向上延伸的多個(gè)寫(xiě)入線(xiàn)WSL、在列方向上延伸的多個(gè)信號(hào)線(xiàn)DTL以及在行方向上延伸的多個(gè)電源線(xiàn)DSL。像素11設(shè)置在信號(hào)線(xiàn)DTL的每一個(gè)和寫(xiě)入線(xiàn)WSL的每一個(gè)之間的交叉點(diǎn)附近。信號(hào)線(xiàn)DTL的每一個(gè)與下文描述的信號(hào)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路23的輸出端(圖中未示出)以及與寫(xiě)入晶體管Tr2的源極或漏極連接。寫(xiě)入線(xiàn)WSL的每一個(gè)與下文描述的寫(xiě)入線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路24的輸出端(圖中未示出)以及與寫(xiě)入晶體管Tr2的柵本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種顯示面板，包括：多個(gè)像素，位于顯示區(qū)域，其中該多個(gè)像素的每一個(gè)均具有有機(jī)EL器件和驅(qū)動(dòng)該有機(jī)EL器件的像素電路，以及該有機(jī)EL器件具有陽(yáng)極、陰極以及設(shè)置在該陽(yáng)極和該陰極之間的有機(jī)層，以及該陽(yáng)極的側(cè)表面構(gòu)造為該陽(yáng)極在該陰極側(cè)的截面面積大于該陽(yáng)極在該陰極相反側(cè)的截面面積。
【技術(shù)特征摘要】
【國(guó)外來(lái)華專(zhuān)利技術(shù)】...
【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：三浦究，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：索尼公司，
類(lèi)型：發(fā)明
國(guó)別省市：日本;JP
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