一種物聯網用三端輸出532nm與660nm與1319nm三波長光纖激光器,它由多模泵浦二極管模塊組發射808nm泵浦光,經耦合器耦合到雙端輸出傳輸光纖中,雙端輸出,右路,經右光纖耦合器泵浦輻射1319nm光子,由右光纖諧振腔輸出1319nm激光雙端輸出,經右KTP晶體,產生倍頻激光光波長660nm,另一端經擴束鏡、聚焦鏡直接輸出1319nm激光,形成右1輸出660nm激光,右2輸出1319nm激光,左路,泵浦光經左光纖耦合器,泵浦輻射1064nm光子,由左光纖諧振腔輸出1064nm激光,經左KTP晶體產生倍頻光波長532nm,由此,左右路三端輸出532nm、660nm與1319nm三波長激光。(*該技術在2023年保護過期,可自由使用*)
【技術實現步驟摘要】
【專利摘要】一種物聯網用三端輸出532nm與660nm與1319nm三波長光纖激光器,它由多模泵浦二極管模塊組發射808nm泵浦光,經耦合器耦合到雙端輸出傳輸光纖中,雙端輸出,右路,經右光纖耦合器泵浦輻射1319nm光子,由右光纖諧振腔輸出1319nm激光雙端輸出,經右KTP晶體,產生倍頻激光光波長660nm,另一端經擴束鏡、聚焦鏡直接輸出1319nm激光,形成右1輸出660nm激光,右2輸出1319nm激光,左路,泵浦光經左光纖耦合器,泵浦輻射1064nm光子,由左光纖諧振腔輸出1064nm激光,經左KTP晶體產生倍頻光波長532nm,由此,左右路三端輸出532nm、660nm與1319nm三波長激光。【專利說明】—種物聯網用三端輸出532nm與660nm與1319nm三波長光纖激光器
:激光器與物聯網應用
。
技術介紹
:532nm與660nm與1319nm波長激光,是用于物聯網用光譜檢測、激光源、物化分析等應用的激光,它可作為物聯網用光纖傳感器的分析檢測等應用光源,它還用于物聯網用光通訊等激光與光電子領域;光纖激光器作為第三代激光技術的代表,具有玻璃光纖制造成本低與光纖的可饒性、玻璃材料具有極低的體積面積比,散熱快、損耗低與轉換效率較高等優點,應用范圍不斷擴大。
技術實現思路
:一種物聯網用三端輸出532nm與660nm與1319nm三波長光纖激光器,它由多模泵浦二極管模塊組發射808nm泵浦光,經I禹合器I禹合到雙端輸出傳輸光纖中,雙端輸出,右路,經右光纖I禹合器泵浦福射1319nm光子,由右光纖諧振腔輸出1319nm激光雙端輸出,經右KTP晶體,產生倍頻激光光波長660nm,另一端經擴束鏡、聚焦鏡直接輸出1319nm激光,形成右I輸出660nm激光,右2輸出1319nm激光,左路,泵浦光經左光纖f禹合器,泵浦福射1064nm光子,由左光纖諧振腔輸出1064nm激光,經左KTP晶體產生倍頻光波長532nm,由此,左右路三端輸出532nm、660nm與1319nm三波長激光。本專利技術解決的技術問題方案一、一種物聯網用三端輸出532nm與660nm與1319nm三波長光纖激光器方法與裝置。它由二極管模塊組發射808nm泵浦光,經光纖耦合器耦合到雙端輸出單層808nm泵浦光傳輸光纖中,雙端輸出單層808nm傳輸光纖從它的左右兩端輸出。右路,808nm泵浦光,經光纖耦合器耦合到雙包層Nd3+:YAG單晶光纖的內外包層之間,內包層采用橢圓形結構,外包層采用圓形結構,雙端輸出,泵浦光在內包層和外包層之間來回反射,多次穿過單模纖芯被其吸收,單模纖芯Nd3+:離子吸能發生能級躍遷,輻射1319nm光子,它在由左光纖輸出端與右光纖輸出端構成的激光諧振腔內振蕩放大,形成1319nm激光雙端輸出,一端進入右KTP晶體,產生倍頻光波長660nm,光纖輸出端與輸出鏡組成倍頻腔,經右輸出鏡輸出,再經右I擴束鏡與右I聚焦鏡輸出660nm激光,另一端進入右2擴束鏡,輸出鏡,右2聚焦鏡輸出1319nm激光,形成右I輸出660nm激光,右2輸出1319nm 激光。左路,808nm泵浦光左光纖耦合器,耦合到左雙包層Nd3+:YAG單晶光纖輸入端,它進入到它進入到左雙包層Nd3+:YAG單晶光纖的內外雙包層之間,內包層采用橢圓形結構,外包層采用圓形結構,泵浦光在內包層和外包層之間來回反射,多次穿過單模纖芯被其吸收,單模纖芯Nd3+:離子吸能發生能級躍遷,福射1064nm光子,在左雙包層Nd3+:YAG單晶光纖輸入端與輸出端組成的諧振腔內放大,經其輸出1064nm激光,它進入左KTP晶體,產生倍頻光波長532nm,經輸出鏡輸出,光纖輸出端與輸出鏡組成倍頻腔,經左擴束鏡與左聚焦鏡輸出532nm激光。由此,左路輸出532nm激光與右路輸出660nm、1319nm激光,形成三端三波長輸出。本專利技術解決的技術問題方案二、光纖設置解決的技術問題方案。泵浦光纖:米用雙端輸出單層808nm泵浦光傳輸光纖,光纖設計為圓環形,其中間端設置耦合器,兩端輸出。右路光纖,采用雙包層Nd3+:YAG單晶光纖,其玻璃基質分裂形成的非均勻展寬造成吸收帶較寬,即玻璃光纖對入射泵浦光的晶體相位匹配范圍寬,采用雙包層光纖的包層泵浦技術,雙包層光纖由四個層次組成:①光纖芯內包層外包層保護層,采用包層泵浦技術如下,采用一組多模泵浦二極管模塊組發出泵浦光,經光纖耦合器是耦合到內包層與外包層之間,內包層采用橢圓形結構,外包層采用圓形結構,泵浦光在內包層和外包層之間來回反射,多次穿過單模纖芯被其吸收,單模纖芯Nd3+:離子吸能發生能級躍遷,輻射1319nm光子,雙端輸出,右I光纖輸出端鍍對1319nm波長光T = 5%反射率膜,光纖輸出端鍍對1319nm波長光T = 6%的反射率膜,光纖兩端形成諧振腔,光纖設計為圓環形,其中間端設置耦合器。左路光纖,與右路光纖主體相同,區別是,光纖輸入出端鍍波長膜層不同,倍頻激光KTP晶體鍍波長膜層。本專利技術解決的技術問題方案三、鍍膜解決的技術問題方案設置。泵浦光纖:鍍808nm高透射率膜。右I路光纖:光纖輸出端:鍍對1319nm波長光T = 6%的反射率膜,鍍對660nm波長光高反射率膜。右I路輸出鏡片,鍍660nm波長光的增透膜,鍍對1319nm波長光高反射率膜。右I路倍頻激光KTP晶體,兩端鍍660nm波長光的增透膜。右2路光纖輸出端鍍對1319nm波長光T = 5%反射率膜。右2路輸出鏡片,鍍對660nm波長光高反射率膜。左路光纖:光纖輸入端鍍對1064nm波長光高反射率膜,光纖輸出端鍍對1064nm波長光T = 6%的反射率膜。左路輸出鏡片,鍍532nm波長光的增透膜,鍍對1064nm波長光高反射率膜。左路倍頻激光KTP晶體,兩端鍍532nm波長光的增透膜。本專利技術實現的效果:本專利技術實現了一種物聯網用三端輸出532nm與660nm與1319nm三波長光纖激光器,它左右兩端輸出激光,實施互為基準、互為信號光、互為種子光,同時輸出,避免干涉。本專利技術的核心內容:1.設置半導體模塊,由半導體模塊電源供電,輸出808nm波長泵浦光,在半導體模塊上設置耦合器,耦合器之上設置泵浦光纖,由耦合器將808nm波長泵浦光耦合進入泵浦光纖,設置泵浦光纖為環形兩側向上同向雙側輸出端鏡結構,即泵浦光纖同向雙側輸出端鏡結構,設置由泵浦光纖左輸出端鏡與泵浦光纖右輸出端鏡構成雙側808nm激光輸出,在泵浦光纖雙側輸出端鏡之上,分別設置1064光纖與1319光纖。左路,在泵浦光纖左輸出端鏡之上,設置左耦合器,在左耦合器之上設置1064nm波長的光纖,1064nm波長的光纖設置為環形單側相向雙端輸入與輸出的結構,由左I禹合器率禹合連接泵浦光纖左輸出端鏡與1064nm波長的光纖的輸入端鏡,泵浦光纖左輸出端鏡輸出的808nm激光經左耦合器進入1064nm波長光纖,設置1064nm波長的光纖的輸入端鏡與輸出端鏡為:發生波長1064nm紅外光的光纖諧振腔,即形成1064nm紅外光輸出,1064nm波長的光纖的輸出端鏡的上邊依次設置倍頻532nm激光KTP晶體、532nm輸出鏡、532nm擴束鏡擴束與532nm聚焦鏡,1064nm紅外光經倍頻532nm激光K本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種物聯網用三端輸出532nm與660nm與1319nm三波長光纖激光器,其特征為:設置半導體模塊,由半導體模塊電源供電,輸出808nm波長泵浦光,在半導體模塊上設置耦合器,耦合器之上設置泵浦光纖,由耦合器將808nm波長泵浦光耦合進入泵浦光纖,設置泵浦光纖為環形兩側向上同向雙側輸出端鏡結構,即泵浦光纖同向雙側輸出端鏡結構,設置由泵浦光纖左輸出端鏡與泵浦光纖右輸出端鏡構成雙側808nm激光輸出,在泵浦光纖雙側輸出端鏡之上,分別設置1064光纖與1319光纖;左路,在泵浦光纖左輸出端鏡之上,設置左耦合器,在左耦合器之上設置1064nm波長的光纖,1064nm波長的光纖設置為環形單側相向雙端輸入與輸出的結構,由左耦合器耦合連接泵浦光纖左輸出端鏡與1064nm波長的光纖的輸入端鏡,泵浦光纖左輸出端鏡輸出的808nm激光經左耦合器進入1064nm波長光纖,設置1064nm波長的光纖的輸入端鏡與輸出端鏡為:發生波長1064nm紅外光的光纖諧振腔,即形成1064nm紅外光輸出,1064nm波長的光纖的輸出端鏡的上邊依次設置倍頻532nm激光KTP晶體、532nm輸出鏡、532nm擴束鏡擴束與532nm聚焦鏡,1064nm紅外光經倍頻532nm激光KTP晶體,倍頻輸出532nm激光,經擴束鏡擴束與聚焦鏡輸出;右路,在泵浦光纖左輸出端鏡之上,設置右耦合器,在右耦合器之上設置1319nm波長的光纖,1319nm波長的光纖設置為環形兩側向上同向雙側輸出端鏡結構,由右耦合器耦合連接1319nm波長的光纖,泵浦光808nm激光經右耦合器進入1319nm波長光纖,設置1319nm波長的光纖的左輸出端鏡與右輸出端鏡為:發生波長1319nm紅外光的光纖諧振腔,即形成1319nm紅外光輸出,1319nm光纖的右端輸出端鏡的上邊依次設置:倍頻660nm激光KTP晶體、660nm輸出鏡、660nm擴束鏡擴束與660nm聚焦鏡,1319nm波長經倍頻660nm激光KTP晶體,倍頻輸出660nm激光,經擴束鏡擴束與聚焦鏡輸出660nm激光,1319nm光纖的左端輸出端鏡的上邊依次設置:1319nm擴束鏡、1319nm輸出鏡、1319nm聚焦鏡。...
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員:王濤,王天澤,劉翔宇,李雪松,宋慶輝,高海濤,
申請(專利權)人:無錫津天陽激光電子有限公司,
類型:新型
國別省市:江蘇;32
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