太陽能選擇性涂層法向發射率測試裝置制造方法及圖紙

本實用新型專利技術公開了一種太陽能選擇性涂層法向發射率測試裝置，包括真空加熱室、探測結構、黑體、溫控結構和處理結構。探測結構位于真空加熱室的上方，黑體位于探測結構的一側，溫控結構電性連接于真空加熱室，探測結構和溫控結構分別電性連接于處理結構。真空加熱室包括真空室和加熱臺，加熱臺設于真空室的內部，真空室的一側設有真空接口和電氣接口，真空接口連接有真空抽氣機組。本實用新型專利技術結構設計合理、簡單、使用方便，加熱均勻，提高了測量精度和穩定性。真空加熱室為水冷結構，防止室壁過熱，其內壁經拋光處理，減少了環境雜散輻射。（*該技術在2023年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】
【專利摘要】本技術公開了一種太陽能選擇性涂層法向發射率測試裝置，包括真空加熱室、探測結構、黑體、溫控結構和處理結構。探測結構位于真空加熱室的上方，黑體位于探測結構的一側，溫控結構電性連接于真空加熱室，探測結構和溫控結構分別電性連接于處理結構。真空加熱室包括真空室和加熱臺，加熱臺設于真空室的內部，真空室的一側設有真空接口和電氣接口，真空接口連接有真空抽氣機組。本技術結構設計合理、簡單、使用方便，加熱均勻，提高了測量精度和穩定性。真空加熱室為水冷結構，防止室壁過熱，其內壁經拋光處理，減少了環境雜散輻射。【專利說明】太陽能選擇性涂層法向發射率測試裝置
本技術涉及發射率測量
，特別是涉及一種太陽能選擇性涂層法向發射率測試裝置。
技術介紹
熱輻射體表面的法線方向光譜輻射強度與相同溫度下黑體的法線方向光譜輻射強度之比稱為法向光譜發射率。若對法向發射率指定波長λ「λ 2范圍，則稱為法向波段發射率或法向積分發射率。法向積分發射率的測量結果僅為一數值，因此便于不同樣品測量結果間的比較，應用廣泛。能量法測物體發射率的原理是根據普朗克定律或斯蒂芬-玻耳茲曼定律和發射率定義，通過測量樣品的輻射能量計算出物體的發射率。由于絕對輻射能量的測量存在較大誤差，因此目前主要采用能量比較法進行測量，即在同一溫度下，分別測量黑體與樣品的輻射能量，計算兩者的比值。傳統的能量法發射率測試裝置加熱不均勻，且升溫較慢，真空室的室壁在使用中會過熱，在使用一定時間后，需停機進行冷卻，影響測試結果，且環境雜散輻射大。
技術實現思路
基于此，有必要針對現有技術的缺點的問題，提供一種太陽能選擇性涂層法向發射率測試裝置，實現波長范圍0.4?10.4 μ m、溫度300?600°C范圍內的涂層法向發射率的測量，設備簡單，技術可靠，測試效率高。一種太陽能選擇性涂層法向發射率測試裝置，包括真空加熱室、探測結構、黑體、溫控結構和處理結構，所述探測結構位于所述真空加熱室的上方，所述黑體位于所述探測結構的一側，所述溫控結構電性連接于所述真空加熱室，所述探測結構和溫控結構分別電性連接于所述處理結構；所述真空加熱室包括真空室和加熱臺，所述加熱臺設于所述真空室的內部，真空室的一側設有真空接口和電氣接口，所述真空接口連接有真空抽氣機組。在其中一個實施例中，所述真空室的室壁為水冷結構，所述室壁上設有循環水入口、循環水出口和氟化鈣窗口。在其中一個實施例中，所述加熱臺上具有一均熱板，所述均熱板的正下方設有第一熱電偶。在其中一個實施例中，所述黑體為空腔式結構，黑體的空腔內設有硅碳加熱板和第二熱電偶，第二熱電偶固定在硅碳板加熱板中心。在其中一個實施例中，所述溫控結構包括PID溫度控制器和繼電器。在其中一個實施例中，所述測量結構包括探測器、鎖相放大器和數據采集卡，所述探測器位于所述真空室的正上方，所述鎖相放大器電性連接于所述探測器，所述數據采集卡電性連接于所述鎖相放大器。在其中一個實施例中，所述探測器的探測端外設有水冷光柵。上述太陽能選擇性涂層法向發射率測試裝置，結構設計合理、簡單、使用方便，力口熱均勻，提高了測量精度和穩定性。真空加熱室為水冷結構，防止室壁過熱，其內壁經拋光處理，減少了環境雜散輻射。本技術適用于涂層在溫度300?600°C范圍內、波長0.4?10.6 μ m范圍內的法向發射率測量，測試結果精度高，成本低廉，性能穩定，測試效率高。【專利附圖】【附圖說明】圖1為本技術結構示意圖。以下是本技術零部件符號標記說明:真空加熱室10、真空室11、加熱臺12、真空接口 13、電氣接口 14、循環水入口 15、循環水出口 16、氟化鈣窗口 17、均熱板18、第一熱電偶19、探測結構20、探測器21、鎖相放大器22、數據采集卡23、水冷光柵24、黑體30、第二熱電偶31、溫控結構40、PID溫度控制器41、繼電器42、處理結構50。【具體實施方式】為能進一步了解本技術的特征、技術手段以及所達到的具體目的、功能，解析本技術的優點與精神，藉由以下結合附圖與【具體實施方式】對本技術的詳述得到進一步的了解。一種太陽能選擇性涂層法向發射率測試裝置，包括真空加熱室10、探測結構20、黑體30、溫控結構40和處理結構50。探測結構20位于真空加熱室10的上方，黑體30位于探測結構20的一側，溫控結構40電性連接于真空加熱室10，探測結構20和溫控結構40分別電性連接于處理結構50。真空加熱室10包括真空室11和加熱臺12，加熱臺12設于真空室11的內部，真空室11的一側設有真空接口 13和電氣接口 14，真空接口 13連接有真空抽氣機組。真空室11與真空抽氣機組通過快速接頭連接，在不做法向發射率測試時，真空抽氣機組可以進行其他的真空抽氣工作，優化了資源配置。真空室11的室壁為水冷結構，防止室壁過熱，室壁的內側經拋光處理，以減少環境雜散輻射。室壁上設有循環水入口 15、循環水出口 16和氟化鈣窗口 17。氟化鈣窗口 17為透紅外窗口。加熱臺12上具有一均熱板18，保證溫度分布均勻，均熱板18的正下方設有第一熱電偶19。黑體30為空腔式結構，黑體30的空腔內設有硅碳加熱板和第二熱電偶31，第二熱電偶31固定在硅碳板加熱板中心。溫控結構40包括PID溫度控制器41和繼電器42。PID溫度控制器41電性連接于處理結構50，繼電器42電性連接于PID溫度控制器41，第一熱電偶19和第二熱電偶31均與繼電器42電性連接。測量結構包括探測器21、鎖相放大器22和數據采集卡23。探測器21位于真空室11的正上方，正對著氟化鈣窗口 17。鎖相放大器22電性連接于探測器21，數據采集卡23電性連接于鎖相放大器22。探測器21的探測端外設有水冷光柵24，以減少環境輻射。探測器21連接有步進電機(圖中未標示)，步進電機電性連接有驅動結構(圖中未標示)。驅動結構帶動步進電機轉動，步進電機帶動探測器21旋轉，以便分別探測黑體30和待測樣品的能量。處理結構50用于顯示和處理測量數據，進行參數輸入、數據顯示與處理、存儲等。使用本技術時，將待測樣品置于加熱臺12上，并關閉真空室11門。開始抽真空，待真空室11內的壓強達到10_3Pa時，開啟真空室11的室壁內的循環冷卻水，通過處理結構50設定好加熱溫度并開始加熱至黑體30和待測樣品的溫度與設定的溫度相同。探測器21先探測出待測樣品的能量，并經鎖相放大器22的轉換成電壓信號V1,由數據采集卡23將電壓信號V1采集后傳送至處理結構50。同時，數據采集卡23控制驅動結構驅動步進電機運作，進而帶動探測器21旋轉，并對黑體30的能量進行探測，所探測的能量經鎖相放大器22的轉換成電壓信號V2,由數據采集卡23將電壓信號V2采集后傳送至處理結構50。處理模塊對Vl和V2進行處理，因在同一溫度下，探測器21的電壓輸出信號與待測樣品的輻射能量成線性關系，所以待測樣品與黑體30的能量之比可以轉換成探測器21的電壓值之比，即可得到法向發射率綜上所述，上述太陽能選擇性涂層法向發射率測試裝置，結構設計合理、簡單、使用方便，加熱均勻，提高了測量精度和穩定性。真空加熱室10為水冷結構，防止室壁過熱，其內壁經拋光處理，減少了環境雜散輻射。以上所述實本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種太陽能選擇性涂層法向發射率測試裝置，其特征在于，包括：真空加熱室、探測結構、黑體、溫控結構和處理結構，所述探測結構位于所述真空加熱室的上方，所述黑體位于所述探測結構的一側，所述溫控結構電性連接于所述真空加熱室，所述探測結構和溫控結構分別電性連接于所述處理結構；所述真空加熱室包括真空室和加熱臺，所述加熱臺設于所述真空室的內部，真空室的一側設有真空接口和電氣接口，所述真空接口連接有真空抽氣機組。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：鄧金雁，沈劍山，周福云，譚卓鵬，賀冬枚，
申請(專利權)人：康達新能源設備股份有限公司，
類型：新型
國別省市：廣東;44