電路寬度變細缺陷防止裝置及方法制造方法及圖紙

本發明專利技術涉及一種電路寬度變細缺陷防止裝置及方法，并且通過包括以下裝置能夠防止由于在特定部分上的過度蝕刻引起的電路寬度變細缺陷（即，電路寬度的減少）：存儲裝置，用于存儲根據弱部分的類型分類的壩設計信息；分析裝置，用于分析第一設計信息以推斷弱部分的類型和位置；匹配裝置，用于從存儲在存儲裝置中的壩設計信息中提取與弱部分的類型對應的壩設計信息；以及改變裝置，用于改變第一設計信息以將根據通過匹配裝置提取的壩設計信息的壩增加至通過分析裝置推斷的弱部分的位置。

【技術實現步驟摘要】
相關申請的交叉引用本申請要求于2012年12月31日提交的韓國專利申請第10-2012-0158336號的權益，將其全部內容結合于本申請以供參考。
本專利技術涉及一種電路寬度變細缺陷防止裝置以及防止電路寬度變細缺陷的方法。
技術介紹
一種在印刷電路板領域中廣泛使用的方法是蓋孔法。蓋孔法是一種通過如下步驟形成電路圖案的方法:使用干膜等在導電層的表面上形成抗蝕劑圖案、通過蝕刻去除在沒有形成抗蝕劑圖案的區域(即，暴露在抗蝕劑圖案外部的區域)中的導電層、以及去除抗蝕劑圖案，并且在許多文獻(諸如專利文獻I)中引入了該蓋孑L法。近來，隨著對電子裝置的纖細化和小型化以及高性能具有逐漸增長的需求，精細圖案形成在具有高度集成的薄且狹窄的區域中。同時，這些電路圖案可被設計成各種形狀，并且蝕刻液的流動速率可根據電路圖案的設計而改變。因此，可能出現在蝕刻量方面的差異。圖1是用于說明根據蝕刻液的流動速率的蝕刻量的差異的視圖。參照圖1，蝕刻液的流動速率在電路圖案之間的間隔較寬的部分(如區域A)中相對較高，并且在電路圖案之間的間隔狹窄的部分(如區域C)中相對較低。因此，在區域A中的蝕刻量相比區域C中的蝕刻量增加。此外，在電路圖案之間的間隔較寬并且隨后減小的部分(如區域B)中，蝕刻液的流動速率迅速增加。因此，發生電路圖案的過度蝕刻。這種現象頻繁地發生在由BI表示的區域中。這種過度蝕刻現象引起電路寬度的減小，即所謂的電路寬度變細缺陷。電路寬度變細缺陷引起阻抗的增加，因此引起產品性能相比設計值降級。在現有技術中，為了防止電路寬度變細缺陷，已經應用了一種整體增加或減小電路圖案或墊片的寬度的方法。然而，通過整體增加電路寬度的方法，僅可以防止發生在特定區域(諸如圖1的區域B)中的電路寬度變細缺陷。圖2A和圖2B是示出發生電路寬度變細缺陷的弱部分的視圖。參照圖2A和圖2B，檢測到由于在蝕刻液的流動速率增加的部分中的過度蝕刻而出現的電路寬度變細缺陷。根據電路寬度的減少的該電路寬度變細缺陷已經成為嚴重的問題。因此，急需要克服此的裝置。[現有技術文獻][專利文獻]專利文獻1:韓國專利公開第2003-0012978號
技術實現思路
為了克服上述問題，專利技術了本專利技術，并且因此，本專利技術的目的是提供電路寬度變細缺陷防止裝置以及能夠防止電路寬度變細缺陷的防止電路寬度變細缺陷的方法。根據實現該目的的本專利技術的一個方面，提供了一種通過使用作為與用于形成電路圖案的設計相關的數據的第一設計信息和第二設計信息來防止弱部分的電路寬度變細缺陷的電路寬度變細缺陷防止裝置，其包括:存儲裝置，用于存儲根據弱部分的類型分類的壩設計信息；分析裝置，用于分析第一設計信息以推斷弱部分的類型和弱部分的位置；匹配裝置，用于從存儲在存儲裝置中的壩設計信息中提取與通過分析裝置推斷的弱部分的類型對應的壩設計信息；以及改變裝置，用于改變第一設計信息以將根據通過匹配裝置提取的壩設計信息的壩增加至通過分析裝置推斷的弱部分的位置。此時，弱部分可以是第一電路圖案與鄰近于第一電路圖案的第二電路圖案之間的位于第一電路圖案上的第一弱部分。進一步地，第一弱部分可以是第一電路圖案與第二電路圖案之間的距離發生改變的點。進一步地，第一弱部分可以是與第二電路圖案平行的位于第一電路圖案上的虛線與第一電路圖案之間的角度改變超過I度的點。進一步地，壩可以具有三角形形狀。進一步地，壩的一側可以與第一電路圖案接觸，與第一電路圖案接觸的該側的一個頂點可位于第一弱部分中，并且另一個頂點可位于第一電路圖案與第二電路圖案之間的間隔增加的方向。進一步地，未與第一電路圖案接觸的壩的至少一側可與第二電路圖案平行。進一步地，弱部分可以是在第一電路圖案與鄰近于第一電路圖案的墊片之間的位于第一電路圖案上的第二弱部分。進一步地，第二弱部分可以是第一電路圖案與墊片之間的距離為最小的點。進一步地，壩可以具有半圓形形狀。進一步地，壩的一側可與第一電路圖案接觸，弧形部分可面向墊片，并且與第一電路圖案接觸的一側的一個頂點可以由位于第二弱部分中的至少兩個半圓組成。根據實現本目的的本專利技術的另一方面，提供了一種通過使用作為與用于形成電路圖案的設計相關的數據的第一設計信息和第二設計信息來防止弱部分的電路寬度變細缺陷的防止電路寬度變細缺陷的方法，其包括:弱部分分析步驟，分析第一設計信息以推斷弱部分的類型和弱部分的位置；壩匹配步驟，提取與在弱部分分析步驟中推斷的弱部分的類型對應的壩設計信息；以及設計信息改變步驟，改變第一設計信息以將在壩匹配步驟中提取的壩設計信息增加至在弱部分分析步驟中推斷的弱部分的位置。【附圖說明】從以下結合附圖進行的實施方式的描述中，本專利技術的總體專利技術構思的這些和/或其他方面以及優勢將會變得顯而易見和更易于理解，其中:圖1是用于說明根據蝕刻液的流動速率的蝕刻量方面的差異的視圖；圖2A和圖2B是示出出現電路寬度變細缺陷的弱部分的視圖；圖3是示意性示出根據本專利技術的實施方式的電路寬度變細缺陷防止裝置的視圖；圖4是示意性示出根據本專利技術的實施方式的防止電路寬度變細缺陷的方法的視圖；圖5A至圖5C是用于說明發生電路寬度變細缺陷的情況和弱部分的視圖；圖6A和圖6B是示意性示出所設置的根據本專利技術的實施方式的用于防止電路寬度變細缺陷的壩(dam)的形狀的視圖；以及圖7A至圖7C是示意性示出在出現電路寬度變細缺陷的每種情況下的弱部分和所設置的匹配壩的形狀的視圖。【具體實施方式】通過參照以下結合附圖詳細描述的實施方式，本專利技術以及實現本專利技術的方法的優勢和特征將會顯而易見。然而，本專利技術不限于以下公開的實施方式并且可以各種不同的形式來實施。提供這些實施方式僅為了完成本專利技術的公開以及向本領域技術人員完整地表示本專利技術的范圍。貫穿本說明書，相同的附圖標記表示相同的元件。本文中使用的術語是用于說明實施方式，而不是限制本專利技術。貫穿該說明書，除非上下文明確地指出，否則單數形式包括復數形式，除了上面提及的部件、步驟、操作和/或裝置之外，本文中使用的術語“包括”和/或“包含”不排除另一個部件、步驟、操作和/或裝置的存在和添加。為了說明的簡便和清晰，附圖示出了構造的一般形式，并且可以省略已知的特征和技術的描述和細節，以避免不必要地使本專利技術的描述的實施方式的討論變得晦澀。此外，在附圖中的元件沒必要按比例繪制。例如，在附圖中的一些元件的尺寸可相對于其他元件放大，以幫助提高對本專利技術的實施方式的理解。在不同附圖中的相同附圖標記表示相同的元件。在說明書和權利要求書中的術語“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等(如果有的話)是用于區分相似的元件，并且沒必要用于描述特定的連續的或時間的順序。應當理解，在合適的情況下，如此使用的術語可互換，因此，例如，本文中描述的本專利技術的實施方式能夠按順序而不是在本文中示出的或不然描述的那些來操作。類似地，如果在本文中方法被描述為包括一系列步驟，如本文中呈現的這些步驟的順序沒必要是可以執行這些步驟的唯一的順序，并且某些特定步驟可以被省略和/或本文中未描述的某些其他步驟可被添加至該方法。此外，術語“包含”、“包括”、“具有”和其任何變形，旨在覆蓋非排他的包含，因此，包含一組元件的工藝、方法、物件或設備沒必要限于那些元件，而是可包括未明確列出的或對這些工藝、方法、物件或設備本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種通過使用作為與用于形成電路圖案的設計相關的數據的第一設計信息和第二設計信息來防止弱部分的電路寬度變細缺陷的電路寬度變細缺陷防止裝置，包括：存儲裝置，用于存儲根據所述弱部分的類型分類的壩設計信息；分析裝置，用于分析所述第一設計信息以推斷所述弱部分的所述類型和所述弱部分的位置；匹配裝置，用于從存儲在所述存儲裝置中的所述壩設計信息中提取與通過所述分析裝置推斷的所述弱部分的所述類型對應的所述壩設計信息；以及改變裝置，用于改變所述第一設計信息以將根據由所述匹配裝置提取的所述壩設計信息的壩增加至通過所述分析裝置推斷的所述弱部分的所述位置。

【技術特征摘要】
2012.12.31 KR 10-2012-01583361.一種通過使用作為與用于形成電路圖案的設計相關的數據的第一設計信息和第二設計信息來防止弱部分的電路寬度變細缺陷的電路寬度變細缺陷防止裝置，包括: 存儲裝置，用于存儲根據所述弱部分的類型分類的壩設計信息； 分析裝置，用于分析所述第一設計信息以推斷所述弱部分的所述類型和所述弱部分的位置； 匹配裝置，用于從存儲在所述存儲裝置中的所述壩設計信息中提取與通過所述分析裝置推斷的所述弱部分的所述類型對應的所述壩設計信息；以及 改變裝置，用于改變所述第一設計信息以將根據由所述匹配裝置提取的所述壩設計信息的壩增加至通過所述分析裝置推斷的所述弱部分的所述位置。2.根據權利要求1所述的電路寬度變細缺陷防止裝置，其中，所述弱部分是在第一電路圖案與鄰近于所述第一電路圖案的第二電路圖案之間的位于第一電路圖案上的第一弱部分。3.根據權利要求2所述的電路寬度變細缺陷防止裝置，其中，所述第一弱部分是所述第一電路圖案與所述第二電路圖案之間的距離發生改變的點。4.根據權利要求3所述的電路寬度變細缺陷防止裝置，其中，所述第一弱部分是平行于所述第二電路圖案的位于所述第一電路圖案上的虛擬線與所述第一電路圖案之間的角度改變超過I度的點。5.根據權利要求2所述的電路寬度變細缺陷防止裝置，其中，所述壩具有三角形形狀。6.根據權利要求5所述的電路寬度變細缺陷防止裝置，其中，所述壩的一側與所述第一電路圖案接觸，與所述第一電路圖案接觸的所述側的一個頂點位于所述第一弱部分，并且另一個頂點位于所述第一電路圖案與所述第二電路圖案之間的間隔增加的方向上。7.根據權利要求6所述的電路寬度變細缺陷防止裝置，其中，未與所述第一電路圖案接觸的...

【專利技術屬性】
技術研發人員：成定慶，丘奉完，趙元佑，
申請(專利權)人：三星電機株式會社，
類型：發明
國別省市：韓國;KR