根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，一種光學(xué)半導(dǎo)體裝置，包括發(fā)光層、透明層、第一金屬柱、第二金屬柱和密封層。發(fā)光層包括第一主表面、第二主表面、第一電極和第二電極。第二主表面是與第一主表面相對(duì)的表面，且第一電極和第二電極形成在第二主表面上。透明層設(shè)置在第一主表面上。第一金屬柱設(shè)置在第一電極上。第二金屬柱設(shè)置在第二電極上。密封層設(shè)置在第二主表面上。該密封層被配置為覆蓋發(fā)光層的側(cè)表面，并且密封第一金屬柱和第二金屬柱，而使第一金屬柱的端部和第二金屬柱的端部暴露在外。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【專利摘要】根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，一種光學(xué)半導(dǎo)體裝置，包括發(fā)光層、透明層、第一金屬柱、第二金屬柱和密封層。發(fā)光層包括第一主表面、第二主表面、第一電極和第二電極。第二主表面是與第一主表面相對(duì)的表面，且第一電極和第二電極形成在第二主表面上。透明層設(shè)置在第一主表面上。第一金屬柱設(shè)置在第一電極上。第二金屬柱設(shè)置在第二電極上。密封層設(shè)置在第二主表面上。該密封層被配置為覆蓋發(fā)光層的側(cè)表面，并且密封第一金屬柱和第二金屬柱，而使第一金屬柱的端部和第二金屬柱的端部暴露在外。【專利說(shuō)明】
本說(shuō)明書(shū)描述的實(shí)施例大體上涉及一種。
技術(shù)介紹
不僅發(fā)射紅、綠、藍(lán)等可見(jiàn)光帶，而且發(fā)射從紅外光到紫外光的寬波長(zhǎng)帶的各種半導(dǎo)體發(fā)光元件被用作小的低能耗發(fā)光元件。通過(guò)熒光劑和例如藍(lán)色LED (發(fā)光二極管)的半導(dǎo)體發(fā)光元件的組合，光學(xué)半導(dǎo)體裝置也已經(jīng)被開(kāi)發(fā)為發(fā)出白光。當(dāng)前用作產(chǎn)品的最為通用的光學(xué)半導(dǎo)體裝置是半導(dǎo)體發(fā)光元件，在該半導(dǎo)體發(fā)光元件中，半導(dǎo)體層外延生長(zhǎng)在襯底上。換言之，通過(guò)在例如GaAs、GaP、藍(lán)寶石等襯底上外延生長(zhǎng)半導(dǎo)體層、形成電極，等等，以及隨后再劃分，從而獲得單個(gè)的半導(dǎo)體發(fā)光元件。接著，通過(guò)將由此獲得的半導(dǎo)體發(fā)光元件安裝到引線框、SMD(表面安裝裝置)型殼體、各種安裝襯底等上，進(jìn)行指定互連，然后用透明樹(shù)脂密封半導(dǎo)體發(fā)光元件，最終完成該光學(xué)半導(dǎo)體裝置。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
大體上，根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，一種光學(xué)半導(dǎo)體裝置包括發(fā)光層、透明層、第一金屬柱、第二金屬柱和密封層。所述發(fā)光層包括第一主表面、第二主表面、第一電極和第二電極。第二主表面是與第一主表面相對(duì)的表面，第一電極和第二電極都形成于第二主表面上。所述透明層設(shè)置于第一主表面上，且該透明層是透明的。第一金屬柱設(shè)置于第一電極上。第二金屬柱設(shè)置在第二電極上。所述密封層設(shè)置于第二主表面上。所述密封層被配置為覆蓋所述發(fā)光層的側(cè)表面，并密封第一金屬柱和第二金屬柱，而讓第一金屬柱的端部和第二金屬柱的端部暴露在外。大體上，根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例，一種光學(xué)半導(dǎo)體裝置包括發(fā)光層、熒光層、第一金屬柱、第二金屬柱和密封層。所述發(fā)光層包括第一主表面、第二主表面、第一電極和第二電極。第二主表面是與第一主表面相對(duì)的表面，第一電極和第二電極都形成于第二主表面上。所述突光層設(shè)置于第一主表面上。所述突光層包括一種突光劑，該突光劑被配置為吸收發(fā)光層發(fā)出的光，并發(fā)出不同波長(zhǎng)的光。第一金屬柱設(shè)置于第一電極上。第二金屬柱設(shè)置在第二電極上。所述密封層設(shè)置于第二主表面上。所述密封層被配置為覆蓋所述發(fā)光層的側(cè)表面，并密封第一金屬柱和第二金屬柱，而讓第一金屬柱的端部和第二金屬柱的端部暴露在外。大體上，根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，一種光學(xué)半導(dǎo)體裝置包括發(fā)光層、突光層、第一金屬柱、第二金屬柱和密封層。所述發(fā)光層包括第一主表面、第二主表面、第一電極和第二電極。第二主表面是與第一主表面相對(duì)的表面，第一電極和第二電極都形成于第二主表面上。突光層設(shè)置于第一主表面上。該突光層包括一種突光劑，該突光劑被配置為吸收發(fā)光層發(fā)出的光，并發(fā)出不同波長(zhǎng)的光。第一金屬柱設(shè)置于第一電極上。第二金屬柱設(shè)置在第二電極上。密封層設(shè)置于第二主表面上，且密封層被配置為覆蓋發(fā)光層的側(cè)表面，并密封第一金屬柱和第二金屬柱，而讓第一金屬柱的端部和第二金屬柱的端部暴露在外。大體上，根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，披露了 一種用于制造光學(xué)半導(dǎo)體裝置的方法。該方法可包括通過(guò)在包括多個(gè)半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體堆疊主體的第一主表面?zhèn)壬闲纬啥嘟M正電極和負(fù)電極從而形成發(fā)光層。在襯底上外延生長(zhǎng)之后，半導(dǎo)體堆疊主體與襯底分離。該方法可包括在發(fā)光層的與第一主表面相對(duì)的第二主表面上形成透明層。該透明層對(duì)發(fā)光層發(fā)出的光而言是透明的。此外，該方法可包括對(duì)每組正電極和負(fù)電極實(shí)施單個(gè)化處理(singulation)。根據(jù)實(shí)施例，可以以低成本制造包括具有多種透鏡結(jié)構(gòu)的透明層的光學(xué)半導(dǎo)體裝置。【專利附圖】【附圖說(shuō)明】圖1A為截面圖，示出了根據(jù)實(shí)施例的光學(xué)半導(dǎo)體裝置的示意性結(jié)構(gòu)，圖1B為平面圖，示出了圖1A所示的光學(xué)半導(dǎo)體裝置的下表面；圖2A和2B為示意圖，示出了第一實(shí)施例的第二個(gè)特定實(shí)例；圖3A和3B為示意圖，示出了第一實(shí)施例的第三個(gè)特定實(shí)例；圖4A和4B為示意圖，示出了第一實(shí)施例的第四個(gè)特定實(shí)例；圖5A和5B為示意圖，示出了第一實(shí)施例的第五個(gè)特定實(shí)例；圖6為截面圖，示出了根據(jù)第二實(shí)施例的光學(xué)半導(dǎo)體裝置的示意性結(jié)構(gòu)，該圖是與圖1A對(duì)應(yīng)的截面圖；圖7為截面圖，示出了根據(jù)第三實(shí)施例的光學(xué)半導(dǎo)體裝置的示意性結(jié)構(gòu)；圖8為截面圖，示出了根據(jù)第四實(shí)施例的光學(xué)半導(dǎo)體裝置的示意性結(jié)構(gòu)；圖9A-9D為截面圖，示出了根據(jù)第五實(shí)施例的光學(xué)半導(dǎo)體裝置的示意性結(jié)構(gòu)；圖10A-10D為截面圖，示出了根據(jù)第六實(shí)施例的光學(xué)半導(dǎo)體裝置的示意性結(jié)構(gòu)；圖11為截面圖，示出了根據(jù)第七實(shí)施例的光學(xué)半導(dǎo)體裝置的示意性結(jié)構(gòu)；圖12A為截面圖，示出了根據(jù)第八實(shí)施例的光學(xué)半導(dǎo)體裝置的示意性結(jié)構(gòu)，圖12B為平面圖，示出了圖12A所示的光學(xué)半導(dǎo)體裝置的下表面；圖13A-13D為工藝的截面圖，示出了用于制造第九實(shí)施例的光學(xué)半導(dǎo)體裝置的方法;圖14A-14D為工藝的截面圖，示出了用于制造第九實(shí)施例的光學(xué)半導(dǎo)體裝置的方法;圖15A-15D為工藝的截面圖，示出了用于制造第九實(shí)施例的光學(xué)半導(dǎo)體裝置的方法;圖16A-16C為工藝的截面圖，示出了用于制造第十實(shí)施例的光學(xué)半導(dǎo)體裝置的方法的一部分；圖17A-17C為工藝的截面圖，示出了用于制造第十一實(shí)施例的光學(xué)半導(dǎo)體裝置的方法的一部分；圖18A-18D為工藝的截面圖，示出了用于制造第十二實(shí)施例的光學(xué)半導(dǎo)體裝置的方法的一部分；圖19A-19D為工藝的截面圖，示出了用于制造第十三實(shí)施例的光學(xué)半導(dǎo)體裝置的方法的一部分；圖20A-20D為工藝的截面圖，示出了用于制造第十四實(shí)施例的光學(xué)半導(dǎo)體裝置的方法的一部分。【具體實(shí)施方式】在下文中將參照附圖對(duì)多個(gè)實(shí)施例進(jìn)行描述。附圖是示意性的或概念上的，并且各部分的厚度和寬度之間的關(guān)系，各部分之間尺寸的比例關(guān)系等并不必然與它們的實(shí)際值相同。而且，即使對(duì)相同的部件，各個(gè)附圖中示出的尺寸和比例也可能不同。在本申請(qǐng)的說(shuō)明書(shū)和附圖中，與針對(duì)以上附圖所描述的那些部件類(lèi)似的部件用相同的附圖標(biāo)記表示，且適當(dāng)?shù)芈匀チ嗽敿?xì)描述。第一實(shí)施例現(xiàn)在將參照附圖1A和IB描述第一實(shí)施例。圖1A為截面圖，示出了根據(jù)實(shí)施例的光學(xué)半導(dǎo)體裝置的示意性結(jié)構(gòu)。圖1B為平面圖，示出了圖1A中所示的光學(xué)半導(dǎo)體裝置的下表面。根據(jù)如圖1A和IB所不的實(shí)施例的光學(xué)半導(dǎo)體裝置包括具有第一主表面Ml和第二主表面M2的發(fā)光層2、設(shè)置于第一主表面Ml上的接合層3、設(shè)置于接合層3上的透明層5、設(shè)置在發(fā)光層2的第二主表面M2的第一區(qū)域內(nèi)的反射層6、設(shè)置在第二主表面M2的第二區(qū)域內(nèi)的第一電極7a、設(shè)置在反射層6上的多個(gè)第二電極7b、設(shè)置在第一電極7a上的第一金屬柱8a、設(shè)置在第二電極7b上的多個(gè)第二金屬柱8b、設(shè)置在發(fā)光層2的第二主表面M2上并避開(kāi)每個(gè)金屬柱8a和Sb的絕緣層9、設(shè)置在絕緣層9上以密封每個(gè)金屬柱8a和Sb的密封層10、設(shè)置于第一金屬柱8a的端部上的第一金屬層Ila以及設(shè)置于第二金屬柱8b的端部上的多個(gè)第二金屬層lib。發(fā)光層2包括半導(dǎo)體堆疊主體，該半導(dǎo)體堆疊主體具有第一半導(dǎo)體層2a本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種光學(xué)半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：第一包覆層，含有n型半導(dǎo)體；第二包覆層，形狀為將所述第一包覆層的形狀的一部分去除而得到的形狀，并且含有p型半導(dǎo)體；活性層，被所述第一包覆層及所述第二包覆層夾持，與所述第二包覆層形狀相同；熒光層，形成在所述第一包覆層的設(shè)有所述活性層的一側(cè)的相反側(cè)的面，從平面觀察時(shí)，與所述第一包覆層及所述第二包覆層和所述活性層中的任一個(gè)相比，該熒光層都向周?chē)冻觯摕晒鈱游諒乃龌钚詫臃懦龅墓獠⒎懦霾煌ㄩL(zhǎng)的光；第一電極，形成在所述第一包覆層的設(shè)有所述活性層的面?zhèn)鹊膶⑺龌钚詫雍退龅诙矊尤コ蟮膮^(qū)域；第二電極，形成在所述第二包覆層的設(shè)置所述活性層的一側(cè)的相反側(cè)的面；第一金屬柱，設(shè)置在所述第一電極上；第二金屬柱，設(shè)置在所述第二電極上；絕緣層，將所述第一包覆層、所述活性層和所述第二包覆層的側(cè)面覆蓋，并到達(dá)所述熒光層；以及密封層，設(shè)置在所述第一包覆層及所述第二包覆層的設(shè)有所述第一金屬柱及所述第二金屬柱的一側(cè)，隔著所述絕緣層而將所述第一包覆層、所述活性層和所述第二包覆層的所述側(cè)面覆蓋，使所述第一金屬柱的端部和所述第二金屬柱的端部暴露并將所述第一金屬柱和所述第二金屬柱密封。...
【技術(shù)特征摘要】
...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：小泉洋，岡田康秀，小幡進(jìn)，中具道，樋口和人，下川一生，杉崎吉昭，小島章弘，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：株式會(huì)社東芝，
類(lèi)型：發(fā)明
國(guó)別省市：日本;JP
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