內(nèi)磁處理器制造技術(shù)

一種內(nèi)磁處理器，包括管體，及多個裝設(shè)有永磁材料的永磁套筒，管體形成有可使水流沿第一方向經(jīng)過的管腔，永磁套筒收容于管腔，永磁套筒沿第二方向排布，第一方向與第二方向垂直設(shè)置，永磁套筒兩端的磁極形成與第一方向垂直的磁場，管體呈方筒狀，永磁套筒在第二方向截面呈方形。如此，該管體呈方筒狀設(shè)置，永磁套筒在第二方向截面呈方形，從而永磁套筒與管體在第二方向形狀匹配，管體與永磁套筒之間空隙分布均勻，可使永磁套筒形成的磁場在管體均勻分布，減小了發(fā)生漏磁的概率，磁處理效果好。（*該技術(shù)在2024年保護過期，可自由使用*）

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
【專利摘要】一種內(nèi)磁處理器，包括管體，及多個裝設(shè)有永磁材料的永磁套筒，管體形成有可使水流沿第一方向經(jīng)過的管腔，永磁套筒收容于管腔，永磁套筒沿第二方向排布，第一方向與第二方向垂直設(shè)置，永磁套筒兩端的磁極形成與第一方向垂直的磁場，管體呈方筒狀，永磁套筒在第二方向截面呈方形。如此，該管體呈方筒狀設(shè)置，永磁套筒在第二方向截面呈方形，從而永磁套筒與管體在第二方向形狀匹配，管體與永磁套筒之間空隙分布均勻，可使永磁套筒形成的磁場在管體均勻分布，減小了發(fā)生漏磁的概率，磁處理效果好。【專利說明】內(nèi)磁處理器
本技術(shù)涉及流體處理設(shè)備
，特別是涉及一種內(nèi)磁處理器。
技術(shù)介紹
永久磁體能產(chǎn)生超高強磁場，對可流體進行磁化處理，以改善流體。如可對水進行磁處理，在不改變水原有的化學(xué)成份條件下，可使水中礦物質(zhì)的物理結(jié)構(gòu)發(fā)生變化，具有除垢、防垢、殺菌、滅藻及防腐蝕等優(yōu)點。特別是內(nèi)磁處理器，內(nèi)磁處理器指的是將永磁磁體安裝在管道內(nèi)，使水與磁力線相切的磁處理器，因處理效果好等優(yōu)勢，應(yīng)用更加廣泛。一般地，內(nèi)磁處理器包括多個裝設(shè)有永磁材料的套筒和用于放置這些套筒的管道。在使用過程中，水流進入該管道，且水流方向與管道內(nèi)套筒形成的磁場方向垂直，從而對水進行磁處理。然而，現(xiàn)有的內(nèi)磁處理器所采用的管道為圓筒狀，圓形管道管壁或者中心區(qū)域在磁場分布方向產(chǎn)生多余空隙，從而因磁場分布不均勻而存在漏磁的現(xiàn)象，導(dǎo)致磁處理效果差。
技術(shù)實現(xiàn)思路
基于此，有必要針對因存在漏磁的現(xiàn)象，導(dǎo)致磁處理效果差的問題，提供一種內(nèi)磁處理器。一種內(nèi)磁處理器，包括管體，及多個裝設(shè)有永磁材料的永磁套筒，所述管體形成有可使水流沿第一方向經(jīng)過的管腔，所述永磁套筒收容于所述管腔，所述永磁套筒沿第二方向排布，所述第一方向與所述第二方向垂直設(shè)置，所述永磁套筒兩端的磁極形成與第一方向垂直的磁場，所述管體呈方筒狀，所述永磁套筒在第二方向截面呈方形。在其中一個實施例中，以所述管體第二方向截面中心線為基準，所述永磁套筒對稱設(shè)置。在其中一個實施例中，所述永磁套筒在所述管體第二方向截面排布的行數(shù)為2至4，所述永磁套筒在所述管體第二方向截面排布的列數(shù)為2至4。在其中一個實施例中，所述管體第二方向截面呈正方形。在其中一個實施例中，相鄰所述永磁套筒的同名磁極的端部相對設(shè)置。在其中一個實施例中，相鄰所述永磁套筒之間的間距不超過5mm。在其中一個實施例中，所述管體表面覆設(shè)有屏蔽層。上述內(nèi)磁處理器，將多個永磁套筒收容于管體形成的管腔，水流沿第一方向經(jīng)過管腔，永磁套筒沿第二方向排布，第一方向與第二方向垂直設(shè)置，永磁套筒兩端的磁極形成與第一方向垂直的磁 場，從而實現(xiàn)對水進行磁處理的目的。該管體呈方筒狀設(shè)置，永磁套筒在第二方向截面呈方形，從而永磁套筒與管體在第二方向形狀匹配，管體與永磁套筒之間空隙分布均勻，可使永磁套筒形成的磁場在管體均勻分布，減小了發(fā)生漏磁的概率，磁處理效果好。【專利附圖】【附圖說明】圖1為一實施方式內(nèi)磁處理器的結(jié)構(gòu)不意圖；圖2為一實施方式內(nèi)磁處理器的另一視角結(jié)構(gòu)不意圖。【具體實施方式】為使本技術(shù)的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本技術(shù)的【具體實施方式】做詳細的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本技術(shù)。但是本技術(shù)能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本技術(shù)內(nèi)涵的情況下做類似改進，因此本技術(shù)不受下面公開的具體實施的限制。如圖1和圖2所不,一種內(nèi)磁處理器,包括管體110,及多個裝設(shè)有永磁材料的永磁套筒120，管體110形成可使水流沿第一方向經(jīng)過的管腔，永磁套筒120收容于管腔，永磁套筒120沿第二方向排布,第一方向與第二方向垂直設(shè)置,永磁套筒120兩端的磁極形成與第一方向垂直的磁場，管體110呈方筒狀，永磁套筒120在第二方向截面呈方形。永磁套筒120內(nèi)裝設(shè)的永磁材料可以為稀土或者其它可產(chǎn)生高強磁場的材料。永磁套筒120兩端的磁極分別為N極和S極，每一永磁套筒120形成的磁場為N極流向S極。圖1表示管體110沿第一方向的俯視圖。圖2表示的是管體110沿第一方向的剖面圖。上述內(nèi)磁處理器，將多個永磁套筒120收容于管體110形成的管腔，水流沿第一方向經(jīng)過管腔，永磁套筒120沿第二方向排布，第一方向與第二方向垂直設(shè)置，永磁套筒120兩端的磁極形成與第一方向垂直的磁場，從而實現(xiàn)對水進行磁處理的目的。該管體110呈方筒狀設(shè)置，永磁套筒120在第二方向截面呈方形，從而永磁套筒120與管體110在第二方向形狀匹配，管體110與永磁套筒120之間空隙分布均勻，可使永磁套筒120形成的磁場在管體110均勻分布，減小了發(fā)生漏磁的概率，磁處理效果好。請參閱圖1，在其中一個實施例中，以管體110第二方向截面中心線為基準，永磁套筒120對稱設(shè)置。將永磁套筒120對稱排布,各永磁套筒120產(chǎn)生的磁場可在管體110分布均勻，保證流經(jīng)管體110的水流均能受到磁處理，提高磁處理效果。在其中一個實施例中，如果永磁套筒120排布的行數(shù)和列數(shù)太多，難免增加成本。如果永磁套筒120排布的行數(shù)和列數(shù)太少，難免因產(chǎn)生的磁場強度不夠影響磁處理效果。故合理設(shè)置永磁套筒120在管體110第二方向截面排布的行數(shù)為2至4，合理設(shè)置永磁套筒120在管體110第二方向截面排布的列數(shù)為2至4。具體到如圖1所示的實施例中，永磁套筒120在管體110第二方向截面排布的行數(shù)和列數(shù)均為3。當(dāng)然永磁套筒120在管體110第二方向截面排布的行數(shù)和列數(shù)還可為其它數(shù)值，也可以實現(xiàn)磁處理的目的，具體根據(jù)水流量及放置的永磁套筒120的尺寸等因素而定。在其中一個實施例中，管體110第二方向截面呈正方形。如此，管體110在第二方向的截面為正方形，管體110在第二方向的管壁邊長均相等，從而永磁套筒120在該正方形截面的排布順序不受邊長限制，進一步減小了發(fā)生漏磁的概率，磁處理效果好。請參閱圖1和圖2，在其中一個實施例中，相鄰永磁套筒120的同名磁極的端部相對設(shè)置。也就是相鄰永磁套筒120的N極相對，S極相對設(shè)置，以便永磁套筒120產(chǎn)生的磁力更加集中，提高磁處理效果。請參閱圖1，在其中一個實施例中，如果相鄰永磁套筒120之間的間距太小，難免因排布過于緊密導(dǎo)致水流速度慢，影響處理效率。如果相鄰永磁套筒120之間的間距太大，難免降低磁場強度。故合理設(shè)置相鄰永磁套筒120之間的間距不超過5mm。在其中一個實施例中，管體110表面覆設(shè)有屏蔽層(圖未示)。通過設(shè)置屏蔽層，可對管體110內(nèi)產(chǎn)生的磁場起屏蔽作用，防止磁場外漏，保證磁處理效果。需要指出的是，也可不設(shè)置屏蔽層，管體110可采用具有屏蔽磁場作用的材料制成，也可實現(xiàn)屏蔽磁場的目的。以上所述實施例僅表達了本技術(shù)的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本技術(shù)專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本技術(shù)構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本技術(shù)的保護范圍。因此，本技術(shù)專利的保護范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準。【權(quán)利要求】1.一種內(nèi)磁處理器，其特征在于，包括管體，及多個裝設(shè)有永磁材料的永磁套筒，所述管體形成有可使水流沿第一方向經(jīng)過的管腔，所述永磁套筒收容于所述管腔，本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護點】
一種內(nèi)磁處理器，其特征在于，包括管體，及多個裝設(shè)有永磁材料的永磁套筒，所述管體形成有可使水流沿第一方向經(jīng)過的管腔，所述永磁套筒收容于所述管腔，所述永磁套筒沿第二方向排布，所述第一方向與所述第二方向垂直設(shè)置，所述永磁套筒兩端的磁極形成與第一方向垂直的磁場，所述管體呈方筒狀，所述永磁套筒在第二方向截面呈方形。

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：廖德華，陽望平，謝光彩，曾維平，陳向，何威，曹湘林，劉燕玲，康金箭，
申請(專利權(quán))人：湖南有色科技發(fā)展有限公司，
類型：新型
國別省市：湖南;43