本實用新型專利技術公開了LED阻容降壓電容器，涉及電容器技術領域，具體涉及降壓電路中使用薄膜電容器結構的改進技術。電容芯子包括雙層做為介子的薄膜，雙層薄膜上分別有做為電極的金屬鍍層，兩層金屬鍍層為斜坡式結構，兩層鍍層的傾斜方向相反；所述電容器芯子封裝構成薄膜電容器。本實用新型專利技術解決了用薄膜電容串聯在電路作為降壓電容，體積要求越來越小，常規設計的電容器無法達到裝配要求的問題。（*該技術在2023年保護過期，可自由使用*）
【技術實現步驟摘要】
【專利摘要】本技術公開了LED阻容降壓電容器，涉及電容器
，具體涉及降壓電路中使用薄膜電容器結構的改進技術。電容芯子包括雙層做為介子的薄膜，雙層薄膜上分別有做為電極的金屬鍍層，兩層金屬鍍層為斜坡式結構，兩層鍍層的傾斜方向相反；所述電容器芯子封裝構成薄膜電容器。本技術解決了用薄膜電容串聯在電路作為降壓電容，體積要求越來越小，常規設計的電容器無法達到裝配要求的問題。【專利說明】LED阻容降壓電容器
本技術涉及電容器
，具體涉及降壓電路中使用薄膜電容器結構的改進技術。
技術介紹
早期，X2電容器在設計余量比較大，且也是使用在交流場合電路。市場上很多電器工程師用X2做降壓電容，也沒有出現大面積的失效。近年來，隨著X2電容器尺寸做的越來越小，導致X2電容器設計冗余量越來越小，電容器在長期工作后容量的穩定性下降，即容量降低較多，如果這樣的X2電容器用在降壓電路中，隨著工作時間的推移，電容器自身的容量就會下降，最終導致設備工作狀態下降。當然，也有一些客戶選用其它型號的電容，如果選用不對，也容易導致失效。有的客戶一味要求降壓電容器體積小型化，滿足短時間的電路要求，由于發現失效時產品使用時間很長，到那時候發現該問題，會帶來難以估計的影響。隨著LED價格降低和體積的不斷小型化，當受體積和成本等因素限制時，簡單、實用、效率高的非隔離方案驅動電源而逐步占到主流。即用薄膜電容串聯在電路作為降壓電容，體積要求越來越小，常規設計的電容器無法達到裝配要求。
技術實現思路
本技術提供LED阻容降壓電容器，本技術解決了用薄膜電容串聯在電路作為降壓電容，體積要求越來越小，常規設計的電容器無法達到裝配要求的問題。為解決上述問題，本技術采用如下技術方案:LED阻容降壓電容器，電容芯子包括雙層做為介子的薄膜，雙層薄膜上分別有做為電極的金屬鍍層，兩層金屬鍍層為斜坡式結構，兩層鍍層的傾斜方向相反；所述電容器芯子封裝構成薄膜電容器。本技術可用于LED日光燈或LED燈條電源驅動電路，體積小型化，結構簡單、實用、效率高。該薄膜電容串聯在電路中，將交流電轉換為低壓直流后再整流濾波。本技術是一種效果好，使用壽命長的降壓電容?！緦＠綀D】【附圖說明】圖1是本技術電容器芯子的截面圖。圖中符號說明:薄膜1、金屬鍍層2?！揪唧w實施方式】下面用最佳的實施例對本技術做詳細的說明。如圖1所示，LED阻容降壓電容器，電容芯子包括雙層做為介子的薄膜，雙層薄膜上分別有做為電極的金屬鍍層，兩層金屬鍍層為斜坡式結構，兩層鍍層的傾斜方向相反；所述電容器芯子封裝構成薄膜電容器。本技術的技術分析:I:材料選用提高產品的耐工作溫度，由于受體積所限，空間很小，幾乎沒有多余的空間散熱，長時間工作，腔能散熱不好，且有好多發熱元件，熱量不斷積聚，基本都在80°C以上才能達到熱平衡。電容器元件長時間在高溫度工作，壽命有所下降，就按10度2倍法則，原材料耐溫能提高10度，壽命幾乎增加I倍。所以選用高溫聚丙烯材料。本技術通常使用的普通蒸鍍金屬化鍍膜的方阻都比較小，鋅鋁蒸鍍的材料方阻一般不會大于10Ω/ 口。這種低方阻金屬膜對于承受大電流沖擊能力具有明顯優勢，但是自愈所需要的能量也相對較大。如果選用方阻比較大的金屬化膜，鍍層很薄，那么在自愈過程中要使之氣化恢復絕緣，相比于普通方阻材料，只需要更短暫的電極短路時間和更少的自愈能量。但是由于鍍層較薄，載電密度有所下降，耐電流能力下降。通過以上分析4 μ m高方阻材料通過工藝調整，以及5 μ m的常規材料作的降壓電容器，性能基本一致，但體積明顯減小?？梢詽M足部分客戶提出的體積小型化的要求，而且通過試用和長時間試驗反映良好。2:卷繞減少空氣中的濕氣，又抑制空氣中的粒子數量?？刂凭砝@張力，卷繞芯子不變形，用手輕輕壓扁薄膜平滑，不變形。3:為了提高交流電流的沖擊特性，減小內阻，降低損耗，減少發熱量，降低電容器的溫升。選用熔點較低、含錫量較高的噴金絲。減小噴金對金屬化薄膜端面的傷害。通過對電容器的失效分析，減少對電極失效的面積是解決此類電容器的主要研究方向。選擇適用于相對高溫場合的薄膜材料、采用合適的蒸度方式和方阻、有效控制卷繞車間的環境、給進噴金工藝有效降低電容器的內阻、盡可能的做好真空浸潰的內浸工藝。最后應說明的是:顯然，上述實施例僅僅是為清楚地說明本技術所作的舉例，而并非對實施方式的限定。對于所屬領域的普通技術人員來說，在上述說明的基礎上還可以做出其它不同形式的變化或變動。這里無需也無法對所有的實施方式予以窮舉。而由此所引申出的顯而易見的變化或變動仍處于本技術的保護范圍之中?！緳嗬蟆?.LED阻容降壓電容器，其特征在于，電容芯子包括雙層做為介子的薄膜，雙層薄膜上分別有做為電極的金屬鍍層，兩層金屬鍍層為斜坡式結構，兩層鍍層的傾斜方向相反；所述電容器芯子封裝構成薄膜電容器?！疚臋n編號】H01G4/005GK203733629SQ201320605986【公開日】2014年7月23日 申請日期:2013年9月29日 優先權日:2013年9月29日 【專利技術者】謝志懋, 王占東 申請人:佛山市南海區欣源電子有限公司本文檔來自技高網...
【技術保護點】
LED阻容降壓電容器，其特征在于，電容芯子包括雙層做為介子的薄膜，雙層薄膜上分別有做為電極的金屬鍍層，兩層金屬鍍層為斜坡式結構，兩層鍍層的傾斜方向相反；所述電容器芯子封裝構成薄膜電容器。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：謝志懋，王占東，
申請(專利權)人：佛山市南海區欣源電子有限公司，
類型：新型
國別省市：廣東;44
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