一種鋁/鐵摻雜非晶碳膜/鋁納米薄膜記憶電阻存儲器件及其制備方法技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)公開了一種鋁/鐵摻雜非晶碳膜/鋁納米薄膜記憶電阻存儲器件及制備方法。該方法以石英玻璃基片作為襯底，采用脈沖激光沉積法制備鐵摻雜的非晶碳膜，再采用真空熱蒸發(fā)法在該碳膜上蒸鍍兩個(gè)鋁層作為電極，并連接電壓觸發(fā)器，制備成本器件。本器件在室溫下，存在高低兩種電阻態(tài)，電阻開關(guān)現(xiàn)象極為明顯，可通過簡單的脈沖電壓進(jìn)行寫入，通過檢測電阻態(tài)實(shí)現(xiàn)讀取。具有讀寫速度快、可重復(fù)性強(qiáng)，結(jié)構(gòu)簡單、穩(wěn)定、耐振動(dòng)，工藝簡潔、環(huán)保無污染，原材料價(jià)格低廉，易回收重復(fù)利用等優(yōu)越性。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種鋁/鐵摻雜非晶碳膜/鋁納米薄膜記憶電阻存儲器，其特征在于：該納米薄膜記憶電阻存儲器的結(jié)構(gòu)是：鐵摻雜的非晶碳(a?C:Fe)膜鍍于作為襯底的絕緣石英玻璃(SiO2)基片上，鐵摻雜的非晶碳膜兩端鍍有兩個(gè)鋁(Al)層，作為電極，電極接線連通電壓觸發(fā)器構(gòu)成。

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：翟章印，姜昱丞，付浩，
申請(專利權(quán))人：淮陰師范學(xué)院，
類型：發(fā)明
國別省市：江蘇;32