一種電流源產(chǎn)生器制造技術

本發(fā)明專利技術公開了一種電流源產(chǎn)生器，包括：帶隙源核心模塊，用于產(chǎn)生穩(wěn)定基準電壓；隔離模塊一，與所述帶隙源核心模塊連接，用于對所述穩(wěn)定基準電壓進行噪聲隔離；濾波器，與所述隔離模塊一連接，用于對隔離噪聲后的所述穩(wěn)定基準電壓進行濾波；基準電流產(chǎn)生器，與所述濾波器連接，用于產(chǎn)生基準電流；隔離模塊二，與所述帶隙源核心模塊連接，用于對所述穩(wěn)定基準電壓進行噪聲隔離；PTAT電流產(chǎn)生器，與所述隔離模塊二連接，用于產(chǎn)生正溫度系數(shù)的電流。本發(fā)明專利技術通過含preLDO的帶隙源核心模塊克服了電源電壓高的缺陷，實現(xiàn)低電源、低功耗的目的；采用隔離模塊、濾波模塊實現(xiàn)了同時具備低功耗、低噪聲和高PSRR的目的。

【技術實現(xiàn)步驟摘要】
一種電流源產(chǎn)生器
本專利技術涉及微電子學
，特別是涉及一種含基準源的電流源產(chǎn)生器。
技術介紹
在電子設備領域，特別是手機射頻通訊集成電路設計中，都需要通過帶隙源(bandgap)產(chǎn)生低功耗、高 PSRR (Power Supply Rejection Ratio,電源抑制比)、低噪聲、超低溫度系數(shù)的、可調的精確的電壓和電流，同時還需要產(chǎn)生精確的正溫度系數(shù)的電流，如低至luA、5uA的低電流。對于一個SOC (System on Chip,片上系統(tǒng))芯片而言更重要，需要低成本，則依賴數(shù)字的可調，需要高PSRR，低的輸出阻抗，低功耗，還要面積小，適合集成。如圖1是通常的帶隙源的結構示意圖，利用Dl和D2的器件個數(shù)比，并利用運放把Va和Vb鉗制相等，再調試合適的R1、R2、R3的電阻值，得到基準電壓Vref，完成電流產(chǎn)生器的設計。但是這種結構只能產(chǎn)生精確的基準電壓，其功耗和PSRR性能一般，想要得到一個低功耗、高PSRR、低噪聲的基準源則達不到。對于現(xiàn)代的高度集成的SOC芯片，數(shù)字信號的翻轉都會帶來內在的噪聲源，對于關鍵的模擬電路形成很大的影響，通過電源的串擾降低帶隙源的AC (累加寄存器)精度，因此，設計一個在寬頻譜范圍內具有高PSRR的電流產(chǎn)生器就顯得很重要。PSRR通常在低頻是比較大，在中頻時比較弱，在高頻時又變得大。同時，基準源 需要輸出低的阻抗，這樣在一個很寬的頻率范圍內，當并聯(lián)噪聲源時，能有效地降低對輸出的波動影響。帶隙源的波動因數(shù)有:電源波動、輸出波動、工藝波動(corner)、器件失配、封裝影響、溫度波動，如表1所示:表1帶隙源中的各種誤差來源總結

【技術保護點】
一種電流源產(chǎn)生器，其特征在于，包括：?帶隙源核心模塊，用于產(chǎn)生穩(wěn)定基準電壓；?隔離模塊一，與所述帶隙源核心模塊連接，用于對所述穩(wěn)定基準電壓進行噪聲隔離；?濾波器，與所述隔離模塊一連接，用于對隔離噪聲后的所述穩(wěn)定基準電壓進行濾波；?基準電流產(chǎn)生器，與所述濾波器連接，用于產(chǎn)生基準電流；?隔離模塊二，與所述帶隙源核心模塊連接，用于對所述穩(wěn)定基準電壓進行噪聲隔離；?PTAT電流產(chǎn)生器，與所述隔離模塊二連接，用于產(chǎn)生正溫度系數(shù)的電流。

【技術特征摘要】
1.一種電流源產(chǎn)生器，其特征在于，包括: 帶隙源核心模塊，用于產(chǎn)生穩(wěn)定基準電壓； 隔離模塊一，與所述帶隙源核心模塊連接，用于對所述穩(wěn)定基準電壓進行噪聲隔離； 濾波器，與所述隔離模塊一連接，用于對隔離噪聲后的所述穩(wěn)定基準電壓進行濾波； 基準電流產(chǎn)生器，與所述濾波器連接，用于產(chǎn)生基準電流； 隔離模塊二，與所述帶隙源核心模塊連接，用于對所述穩(wěn)定基準電壓進行噪聲隔離； PTAT電流產(chǎn)生器，與所述隔離模塊二連接，用于產(chǎn)生正溫度系數(shù)的電流。2.如權利要求1所述的電流源產(chǎn)生器，其特征在于，所述帶隙源核心模塊包括=PreLDO電路、金屬氧化物半導體場效應晶體管MPl、MP2、MP3、MP4、MNl和MN2，以及三極管PNPl、PNP2和PNP3 ;其中，MPl的柵極分別與MP2、MP3、MP4的柵極連接；MP1、MP2、MP3和MP4的源極均與PreLDO電路連接；MP2的柵極與其漏極連接；麗1的柵極與麗2的柵極連接，麗I的柵極與其漏極連接；MP1、MP2、MP3和MP4的源級連接在一起；MP1的漏極與麗I的漏極連接；MP2的漏極與麗2的漏極連接；MN1的源極通過電阻Rl與PNPl的發(fā)射極連接，MN2的源極與PNP2的發(fā)射極連接，PNPl的基極與PNP2的基極連接；PNP2的發(fā)射極通過電阻R2與MP3的漏極連接；PNP3的發(fā)射極通過電阻R3與MP4的漏極連接，PNP3的基極與其集電極連接；PNP1、PNP2和PNP3的集電極連接在一起。3.如權利要求2所述的電流源產(chǎn)生器，其特征在于，MPl、MP2、麗I和麗2管構成自偏置鏡像電流源結構；調節(jié)MP1、MP2、MP3和MP4的寬長比，使MP1、MP2、MP3和MP4中電流大小為1:1:4:1 ；MN1和MN2組成N型電流鏡，其漏極用運放強制成相等。4.如權利要求2或3所述的電流源產(chǎn)生器，其特征在于，所述preLDO電路包括:誤差放大器、金屬氧化物半導體場效應晶體管PM6和匪7...

【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：易律凡，謝豪律，
申請(專利權)人：中興通訊股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：廣東;44