有機發光顯示裝置及其薄膜晶體管制造方法及圖紙

本發明專利技術提供一種有機發光顯示裝置及其薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管包括：形成襯底上的半導體層；柵極電極；以及與所述半導體層相連接的源極電極和漏極電極，其中，所述柵極電極、所述源極電極以及所述漏極電極中的至少一個電極由具有第一鍍層以及第二鍍層的金屬鍍層形成，所述第二鍍層在所述第一鍍層的遠離所述襯底的一側，所述第一鍍層由具有沿層厚方向濃度梯度變化的第一金屬材料和第二金屬材料的梯度層形成，所述第二鍍層具有至少兩個對層，所述對層由一層所述第一金屬材料和一層所述第二金屬材料交替堆疊，每個所述對層的所述第一金屬材料層的厚度相同，每個所述對層的所述第二金屬材料層的厚度也相同。

【技術實現步驟摘要】
【專利摘要】本專利技術提供一種有機發光顯示裝置及其薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管包括：形成襯底上的半導體層；柵極電極；以及與所述半導體層相連接的源極電極和漏極電極，其中，所述柵極電極、所述源極電極以及所述漏極電極中的至少一個電極由具有第一鍍層以及第二鍍層的金屬鍍層形成，所述第二鍍層在所述第一鍍層的遠離所述襯底的一側，所述第一鍍層由具有沿層厚方向濃度梯度變化的第一金屬材料和第二金屬材料的梯度層形成，所述第二鍍層具有至少兩個對層，所述對層由一層所述第一金屬材料和一層所述第二金屬材料交替堆疊，每個所述對層的所述第一金屬材料層的厚度相同，每個所述對層的所述第二金屬材料層的厚度也相同。【專利說明】有機發光顯示裝置及其薄膜晶體管
本專利技術涉及顯示器，尤其涉及有機發光顯示裝置及其薄膜晶體管。
技術介紹
目前，基板或基材可用以制造各種電子產品，例如玻璃基板透光基板可用以制造 顯示面板。以大尺寸的有機發光顯示器（Organic LE Display，0LED)面板為例，其可切割 成多個有機發光顯不單兀。有機發光顯不單兀至少包括一陽極電極板、一發光層與一陰極 電極板；其中，發光層夾于陽極電極板以及陰極電極板之間形成一"三明治"（sandwich)結 構。在正向電壓驅動下，陽極電極板向發光層注入空穴，陰極電極板向發光層注入電子。注 入的空穴和電子在發光層中相遇結合，使電子由激發態降回基態，并將多余能量以光波的 形式輻射釋出。 具體地，在有源矩陣有機發光二極管顯示器中，薄膜晶體管通常用作每個像素處 的開關器件。 近來已經有增大有機發光二極管顯示器的尺寸的趨勢。因此，更需要較高的分辨 率。具有較高的分辨率的較大的有機發光二極管顯示器必須要減小的RC延遲，可通過將布 線的電阻最小化來實現減小的RC延遲。 通常，將電阻率小于12μ Qcm的鑰（Mo)和電阻率小于5. 5μ Qcm的鋁（A1)用 作電極或薄膜晶體管的布線。由于這些金屬的電阻率高，所以這些金屬易于使得難以制 造具有較高的分辨率的較大的有機發光二極管顯示器。因此，由于銅（Cu)的電阻率小于 2. 2μ Qcm，所以正在對于將銅用作可選擇的布線和電極進行研究。 然而，雖然可將銅應用與薄膜晶體管的柵電極、源電極和漏電極中的所有電極，但 是當將銅應用于柵電極時，銅與形成有薄膜晶體管的玻璃基底的附著力差。此外，當將銅應 用與源電極和漏電極時，銅會于用作緩沖器的硅（Si)膜反應。因此，當將銅應用于柵電極、 源電極和/或漏電極時，不能以單層來使用銅。
技術實現思路
本專利技術提供一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：形成襯底上的半導體層；柵極電 極；以及與所述半導體層相連接的源極電極和漏極電極，其中，所述柵極電極、所述源極電 極以及所述漏極電極中的至少一個電極由具有第一鍍層以及第二鍍層的金屬鍍層形成，所 述第二鍍層在所述第一鍍層的遠離所述襯底的一側，所述第一鍍層由具有沿層厚方向濃度 梯度變化的第一金屬材料和第二金屬材料的梯度層形成，所述第二鍍層具有至少兩個對 層，所述對層由一層所述第一金屬材料和一層所述第二金屬材料交替堆疊，每個所述對層 的所述第一金屬材料層的厚度相同，每個所述對層的所述第二金屬材料層的厚度也相同。 優選地，所述第一金屬材料的含量遠離所述襯底逐漸增加，所述第二金屬材料的 含量朝向所述襯底逐漸增加。 優選地，所述濃度梯度呈線性變化。 優選地，所述濃度梯度呈非線性變化。 優選地，所述第一金屬材料作為至少一個電極的導線材料。 優選地，所述第一金屬材料為銅。 優選地，所述第二金屬材料作為粘附所述襯底的阻擋層的材料。 優選地，所述第二金屬材料為以下材料中的一種或多種：鑰；鈦；鋁；鎳；或者氧化 銦錫。 優選地，所述第一鍍層的厚度占所述金屬鍍層的厚度的三分之一至二分之一。 優選地，每個所述對層的厚度為50Λ至20()A。 優選地，所述襯底為玻璃襯底。 根據本專利技術的又一方面，還提供一種有機發光顯示裝置，其特征在于，包括：形成 在襯底上的柵極布線與數據布線；由所述柵極布線與所述數據布線形成的像素部分；以及 設置在所述像素部分中的像素，其中，所述柵極布線與所述數據布線中至少一個布線由具 有第一鍍層以及第二鍍層的金屬鍍層形成，所述第二鍍層在所述第一鍍層的遠離所述襯底 的一側，所述第一鍍層由具有沿層厚方向濃度梯度變化的第一金屬材料和第二金屬材料的 梯度層形成，所述第二鍍層具有至少兩個對層，所述對層由一層所述第一金屬材料和一層 所述第二金屬材料交替堆疊，每個所述對層的所述第一金屬材料層的厚度相同，每個所述 對層的所述第二金屬材料層的厚度也相同，其中，所述像素包括晶體管、電容器和有機發光 元件，所述數據布線包括所述晶體管的源極電極和所述晶體管的漏極電極中的至少一個， 所述柵極布線包括所述晶體管的柵極電極。 優選地，所述第一金屬材料的含量遠離所述襯底逐漸增加，所述第二金屬材料的 含量朝向所述襯底逐漸增加。 優選地，所述濃度梯度呈線性變化。 優選地，所述濃度梯度呈非線性變化。 優選地，所述第一金屬材料作為至少一個電極的導線材料。 優選地，所述第一金屬材料為銅。 優選地，所述第二金屬材料作為粘附所述襯底的阻擋層的材料。 優選地，所述第二金屬材料為以下材料中的一種或多種：鑰；鈦；鋁；鎳；或者氧化 銦錫。 優選地，所述第一鍍層的厚度占所述金屬鍍層的厚度的三分之一至二分之一。 優選地，每個所述對層的厚度為50A至200Λ。 優選地，所述襯底為玻璃襯底。 本專利技術利用兩種金屬材料并改變涂鍍金屬電極方式來降低導線電阻。本專利技術在靠 近襯底的部分采用梯度金屬鍍層形成第一鍍層，并在梯度金屬鍍層上采用多層交替生長形 成第二梯度層。其中，兩種金屬材料分別作為導線材料和阻擋層材料，本專利技術在保證阻擋層 功能的前提下達到降低電阻并調整后蝕刻速率的效果。 【專利附圖】【附圖說明】 通過參照附圖詳細描述其示例實施方式，本專利技術的上述和其它特征及優點將變得 更加明顯。 圖1A示出根據本專利技術實施例的有機發光顯示裝置的布局圖； 圖1B示出根據本專利技術實施例的有機發光顯示裝置中單位像素的布局圖； 圖2示出根據本專利技術實施例的有機發光顯示裝置的截面構造；以及 圖3示出根據本專利技術實施例的有機發光顯示裝置的金屬鍍層的截面構造。 附圖標記 110 柵極線 120 數據線 130 電源線 140 單位像素 155 開口 150 像素電極 157 通孔 160 薄膜晶體管 161 半導體層 163 柵極電極 165 源極電極 167 漏極電極 164U66U68 接觸孔 180 薄膜晶體管 181 半導體層 183 柵極電極 185 源極電極 187 漏極電極 184、186 接觸孔 170 電容 171 下電極 173 上電極 200 襯底 210 緩沖層 230 柵極絕緣層 250 層間絕緣層 270 鈍化層 247 柵極線 267 數據線 283 有機薄膜層 本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：形成襯底上的半導體層；柵極電極；以及與所述半導體層相連接的源極電極和漏極電極，其中，所述柵極電極、所述源極電極以及所述漏極電極中的至少一個電極由具有第一鍍層以及第二鍍層的金屬鍍層形成，所述第二鍍層在所述第一鍍層的遠離所述襯底的一側，所述第一鍍層由具有沿層厚方向濃度梯度變化的第一金屬材料和第二金屬材料的梯度層形成，所述第二鍍層具有至少兩個對層，所述對層由一層所述第一金屬材料和一層所述第二金屬材料交替堆疊，每個所述對層的所述第一金屬材料層的厚度相同，每個所述對層的所述第二金屬材料層的厚度也相同。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：寇浩，魯佳浩，夏先海，陳一鳴，
申請(專利權)人：上海和輝光電有限公司，
類型：發明
國別省市：上海;31