薄膜晶體管制造技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)公開的薄膜晶體管具有：在基板上形成的柵電極；以覆蓋該柵電極的方式形成的柵絕緣膜(23)；形成在該柵絕緣膜(23)上的半導(dǎo)體層(24)；形成在該半導(dǎo)體層(24)的溝道形成部分的刻蝕阻擋膜(25)；和以覆蓋半導(dǎo)體層(24)和刻蝕阻擋膜(25)的端部的方式形成的源電極(26s)及漏電極(26d)。另外，刻蝕阻擋膜(25)，其沒有被源電極(26s)及漏電極(26d)覆蓋的端部被偽圖案(27)覆蓋。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術(shù)】薄膜晶體管
本專利技術(shù)涉及使用于液晶顯示裝置或有機(jī)EL顯示裝置的薄膜晶體管。
技術(shù)介紹
近幾年，使用電流驅(qū)動(dòng)型的有機(jī)EL元件的有機(jī)EL顯示裝置正在做為下一代的顯示裝置而受到關(guān)注。尤其是在有源矩陣驅(qū)動(dòng)型的有機(jī)EL顯示裝置中使用場效應(yīng)晶體管，作為該場效應(yīng)晶體管的I種已知有使設(shè)置在具有絕緣表面的基板上的半導(dǎo)體層成為溝道形成區(qū)域的薄膜晶體管。 作為使用于有源矩陣驅(qū)動(dòng)型的有機(jī)EL顯示裝置中的薄膜晶體管，至少需要用于控制有機(jī)EL元件的導(dǎo)通/截止等的驅(qū)動(dòng)的定時(shí)的開關(guān)晶體管和用于控制有機(jī)EL元件的發(fā)光量的驅(qū)動(dòng)晶體管。關(guān)于這些薄膜晶體管，優(yōu)選各自具有優(yōu)越的晶體管特性，從而正在進(jìn)行各種研究。 如，關(guān)于開關(guān)晶體管，要求進(jìn)一步降低截止電流且降低導(dǎo)通電流與截止電流的兩者間的偏差。另外，關(guān)于驅(qū)動(dòng)晶體管，要求進(jìn)一步提高導(dǎo)通電流且降低導(dǎo)通電流的偏差。 另外，以前比如有使用非結(jié)晶型硅膜(非晶體硅膜)作為這樣的薄膜晶體管的溝道形成區(qū)域，但是非晶體硅膜由于移動(dòng)度低因而導(dǎo)通電流低。為此，近幾年，為了確保薄膜晶體管的驅(qū)動(dòng)能力即導(dǎo)通電流，正在推進(jìn)關(guān)于利用激光束等的加熱處理來進(jìn)行非晶體硅膜的晶化的研究開發(fā)。 將該被晶化的硅膜使用于薄膜晶體管的情況下會(huì)有以下問題發(fā)生，即，在溝道形成區(qū)域上形成歐姆接觸層之后，在加工歐姆接觸層時(shí)，將會(huì)殘留對(duì)溝道形成區(qū)域的損傷，從而破壞薄膜晶體管的特性。 在此，作為減少在加工歐姆接觸層時(shí)的對(duì)溝道形成區(qū)域的損傷的方法，有提議在薄膜晶體管形成絕緣膜的方法(比如，參照專利文獻(xiàn)I)。 但是，這種現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)具有如下課題，即，由于歐姆接觸層與晶化的硅膜直接接觸，因此電場集中于晶化的硅膜與歐姆接觸層之間，從而造成截止電流上升。 在先技術(shù)文獻(xiàn) 專利文獻(xiàn) 專利文獻(xiàn)1:日本特開2007-305701號(hào)公報(bào)
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)具有:在基板上形成的柵電極；以覆蓋該柵電極的方式形成的柵絕緣膜；形成在該柵絕緣膜上的半導(dǎo)體層；形成在該半導(dǎo)體層的溝道形成部分的刻蝕阻擋膜；和以覆蓋半導(dǎo)體層和刻蝕阻擋膜的端部的方式形成的源電極及漏電極。另外，刻蝕阻擋膜，其沒有被源電極及漏電極覆蓋的端部被偽圖案覆蓋。 通過該結(jié)構(gòu)，能夠在不導(dǎo)致工序的大幅度增加的同時(shí)提供特性穩(wěn)定的薄膜晶體管。 【附圖說明】 圖1是一個(gè)實(shí)施方式中的EL顯示裝置的主視圖。 圖2是表示一個(gè)實(shí)施方式中的EL顯示裝置的像素隔堤的例子的主視圖。 圖3是一個(gè)實(shí)施方式中的薄膜晶體管的像素電路的電路結(jié)構(gòu)的電路圖。 圖4是一實(shí)施方式中的薄膜晶體管的概略平面圖。 圖5是沿圖4的5-5線切斷的斷面圖。 圖6是沿途4的6-6線切斷的斷面圖。 圖7是用于說明效果的一實(shí)施方式中的薄膜晶體管的概略斷面圖。 【具體實(shí)施方式】 下面，結(jié)合附圖對(duì)一實(shí)施方式中的薄膜晶體管予以說明。 圖1?圖3是表示使用薄膜晶體管的EL顯示裝置的圖，圖1是表示EL顯示裝置的整體結(jié)構(gòu)的主視圖，圖2是表示作為圖1的要部結(jié)構(gòu)的像素隔堤的例子的主視圖，圖3是表示驅(qū)動(dòng)像素的像素電路的電路結(jié)構(gòu)的圖。 如圖1?圖3所示，EL顯示裝置自下層開始由薄膜晶體管陣列裝置I和發(fā)光部的層疊結(jié)構(gòu)構(gòu)成，其中，薄膜晶體管陣列裝置I配置有多個(gè)薄膜晶體管，發(fā)光部由作為下部電極的陽極2、由有機(jī)材料構(gòu)成的作為發(fā)光層的EL層3、以及透明的作為上部電極的陰極4構(gòu)成，由薄膜晶體管陣列裝置I對(duì)發(fā)光部進(jìn)行發(fā)光控制。另外，發(fā)光部是在一對(duì)電極即陽極2與陰極4之間配置有EL層3的結(jié)構(gòu)，在陽極2與EL層3之間層疊地形成有空穴傳輸層，在EL層3與透明的陰極4之間層疊地形成有電子傳輸層。在薄膜晶體管陣列裝置I中，多個(gè)像素5被配置成矩陣狀。 各像素5由各自所設(shè)置的像素電路6來驅(qū)動(dòng)。另外，薄膜晶體管陣列裝置I設(shè)置有:被配置為行狀的多個(gè)柵極布線7、以與柵極布線7交叉的方式被配置為列狀的作為信號(hào)布線的多個(gè)源極布線8、和與源極布線8平行地延伸的多個(gè)電源布線9 (圖1中省略)。 柵極布線7在每行與像素電路6各自所包含的作為開關(guān)元件動(dòng)作的薄膜晶體管10的柵電極1g連接。源極布線8在每列與像素電路6各自所包含的作為開關(guān)元件動(dòng)作的薄膜晶體管10的源電極1s連接。電源布線9在每列與像素電路6各自所包含的作為驅(qū)動(dòng)元件動(dòng)作的薄膜晶體管11的漏電極Ild連接。 如圖2所示，EL顯示裝置的各像素5由3色(紅色、綠色、藍(lán)色)的子像素5R、5G、5B構(gòu)成，這些子像素5R、5G、5B被形成為在顯示面上被排列成多個(gè)矩陣狀(以下記為“子像素列”)。各子像素5R、5G、5B被用隔堤5a相互分離開。隔堤5a形成為與柵極布線7平行地延伸的突條和與源極布線8平行地延伸的突條相互交叉。而且，在由該突條所包圍的部分(即隔堤5a的開口部)形成有子像素5R、5G、5B。 在薄膜晶體管陣列裝置I上的層間絕緣膜上并且在隔堤5a的開口部內(nèi)，按每個(gè)子像素5R、5G、5B形成有陽極2。同樣地，在陽極2上且是在隔堤5a的開口部內(nèi)，按每個(gè)子像素5R、5G、5B形成有EL層3。在多個(gè)EL層3及隔堤5a上并且是以覆蓋全部的子像素5R、5G、5B的方式連續(xù)地形成有透明的陰極4。 進(jìn)一步地，在薄膜晶體管陣列裝置I中，按每個(gè)子像素5R、5G、5B形成有像素電路6。而且，各子像素5R、5G、5B與相對(duì)應(yīng)的像素電路6，通過后邊將闡述的接觸孔以及中繼電極電連接。另外，除EL層3的發(fā)光顏色不同這點(diǎn)之外，子像素5R、5G、5B具有相同的結(jié)構(gòu)。因此，在以后的說明中，將不再區(qū)分子像素5R、5G、5B而將其全部記為“像素5”。 如圖3所示,像素電路6由作為開關(guān)元件動(dòng)作的薄膜晶體管10、作為驅(qū)動(dòng)元件動(dòng)作的薄膜晶體管11、存儲(chǔ)對(duì)應(yīng)的像素所顯示的數(shù)據(jù)的電容器12構(gòu)成。 薄膜晶體管10，由與柵極布線7連接的柵電極10g、與源極布線8連接的源電極10s、與電容器12及薄膜晶體管11的柵電極Ilg連接的漏電極10d、和半導(dǎo)體膜(未圖示)構(gòu)成。當(dāng)所連接的柵極布線7及源極布線8被施加電壓時(shí)，該薄膜晶體管10將施加到該源極布線8的電壓值作為顯示數(shù)據(jù)保存在電容器12。 薄膜晶體管11由與薄膜晶體管10的漏電極1d連接的柵電極llg、與電源布線9及電容器12連接的漏電極lid、與陽極2連接的源電極11s、和半導(dǎo)體膜(未圖示)構(gòu)成。該薄膜晶體管11將與電容器12保持的電壓值對(duì)應(yīng)的電流從電源布線9通過源電極Ils提供給陽極2。即，上述結(jié)構(gòu)的EL顯示裝置采用:對(duì)位于柵極布線7與源極布線8的交點(diǎn)的每個(gè)像素5進(jìn)行顯示控制的有源矩陣方式。 圖4是表示一實(shí)施方式中的薄膜晶體管的概略平面圖。圖5是沿圖4中的5-5線切斷的斷面圖。圖6是沿圖4中的6-6線切斷的斷面圖。 如圖4?圖6所示，在基板21上形成柵電極22，以覆蓋該柵電極22的方式形成柵絕緣膜23。在柵絕緣膜23上氧化物半導(dǎo)體層24被形成為島狀。在氧化物半導(dǎo)體層24的溝道形成部分形成刻蝕阻擋膜25，進(jìn)一步地以覆蓋氧化物半導(dǎo)體層24和刻蝕阻擋膜25的端部的方式形成源電極26s、漏電極26d，通過這樣構(gòu)成薄膜晶體管。 另外，在薄膜晶體管的刻蝕阻擋膜25，未被源電極26s及漏電極26d覆蓋的端部(圖4中上下方向的端部)被偽圖案27覆蓋。偽圖案27是在形成源電極26s及漏電極26d時(shí)通本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種薄膜晶體管，其具有：在基板上形成的柵電極；以覆蓋該柵電極的方式形成的柵絕緣膜；形成在該柵絕緣膜上的半導(dǎo)體層；形成在該半導(dǎo)體層的溝道形成部分的刻蝕阻擋膜；和以覆蓋所述半導(dǎo)體層和刻蝕阻擋膜的端部的方式形成的源電極及漏電極，其中，在所述刻蝕阻擋膜，其沒有被所述源電極及漏電極覆蓋的端部被偽圖案覆蓋。

【技術(shù)特征摘要】
【國外來華專利技術(shù)】2012.01.20 JP 2012-0098661.一種薄膜晶體管，其具有:在基板上形成的柵電極；以覆蓋該柵電極的方式形成的柵絕緣膜；形成在該柵絕緣膜上的半導(dǎo)體層；形成在該半導(dǎo)體層的溝道形成部分的刻蝕阻擋膜；和以覆蓋所述半導(dǎo)體層和刻蝕阻擋膜的端部的方式形成的源電極...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：佐藤榮一，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社，
類型：發(fā)明
國別省市：日本;JP