【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種靶材的制造方法，且特別是涉及一種晶粒尺寸較小的純鋁靶的制造方法。?
技術介紹
隨著科技的進步，為確保電子產品可快速且確實反應，電子訊號的傳輸是相對重要的。而電子產品中的電子訊號主要藉由鋁薄膜導線進行傳輸，鋁薄膜導線則經由濺鍍純鋁靶、曝光、顯影與蝕刻所制得。然而在濺鍍純鋁靶制程中，純鋁靶的晶粒尺寸與晶粒的排列方向性會影響純鋁靶的濺鍍速率。倘若純鋁靶的濺鍍速率過慢，所得的鋁薄膜厚度不足且品質不佳，導致鋁薄膜電阻過高。?概言之，習知技術是進行熱壓延制程以將鋁錠壓延至需要的厚度后，再進行熱處理制程與空冷降溫制程，以獲得再結晶的純鋁靶。然而習知技術制得的純鋁靶，其晶粒尺寸較大(約300微米)，且結晶方向性亦不佳。因此，習知的純鋁靶的濺鍍速率較慢，造成所得的鋁薄膜產生厚度不足或有突起(hillock)等缺陷，導致鋁薄膜發生電阻過高、電路短路等品質不良的問題。?因此，亟需提供一種純鋁靶的制造方法，以徹底解決習知技術中純鋁靶的晶粒尺寸過大與結晶方向性不一致的缺陷，從而加速純鋁靶的濺鍍速率，并提高鋁薄膜的品質。?
技術實現思路
因此，本專利技術之一實施方案是提供一種純鋁靶的制造方法，包括將鋁錠進行重復數次的降溫與壓延步驟，藉此縮小鋁靶的晶粒尺寸并具有一致的結晶方向性后，再進行熱處理使鋁靶再結晶。由此所得的純鋁靶的晶粒尺寸較小且具有一致的結晶方向性，進而提升純鋁靶的濺鍍速率與濺鍍的鋁薄膜的品質。?根據本專利技術的上述實施方案，提出一種純鋁靶的制造方法，在一實施方案中，此制造方法包含第一降溫步驟、至...
【技術保護點】
一種純鋁靶的制造方法，包括：進行第一降溫步驟，包括將鋁錠放入液態氮中，使該鋁錠的溫度為0℃至?70℃，其中該鋁錠的純度介于99.99%至99.999%；進行至少一個第一壓延步驟，使該鋁錠形成具有第一厚度的第一鋁板，其中該第一厚度為50mm至150mm，且該第一鋁板的溫度為0℃至60℃；進行第二降溫步驟，包括將該第一鋁板放入該液態氮中，使該第一鋁板的溫度為0℃至?70℃；進行至少一個第二壓延步驟，使該第一鋁板形成具有第二厚度的第二鋁板，其中該第二厚度為20mm至50mm，且該第二鋁板的溫度為40℃至70℃；進行第三降溫步驟，使該第二鋁板的溫度為20℃至30℃；進行熱處理步驟，包括于大氣或保護性氣體中，在100℃至350℃的溫度下，處理該第二鋁板，以形成第一鋁靶；以及進行第四降溫步驟，用以降溫該第一鋁靶，以形成該純鋁靶，其中該純鋁靶的一次再結晶的晶粒尺寸為30微米至50微米，且該純鋁靶具有{100}<001>立方集合組織。
【技術特征摘要】
1.一種純鋁靶的制造方法，包括：
進行第一降溫步驟，包括將鋁錠放入液態氮中，使該鋁錠的溫度為0℃至-70℃，其中該鋁錠的純度介于99.99%至99.999%；
進行至少一個第一壓延步驟，使該鋁錠形成具有第一厚度的第一鋁板，其中該第一厚度為50mm至150mm，且該第一鋁板的溫度為0℃至60℃；
進行第二降溫步驟，包括將該第一鋁板放入該液態氮中，使該第一鋁板的溫度為0℃至-70℃；
進行至少一個第二壓延步驟...
【專利技術屬性】
技術研發人員：洪胤庭，邱軍浩，黃宏勝，
申請(專利權)人：中國鋼鐵股份有限公司，
類型：發明
國別省市：中國臺灣;71
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