晶圓雙面研磨設備制造技術

本實用新型專利技術公開了一種晶圓雙面研磨設備，包括研磨盤，研磨盤底部中心處設有驅動裝置一，驅動裝置一底部設有滑塊，滑塊安裝于滑軌上，研磨盤上表面設有研磨布，研磨盤上方設有研磨頭和研磨劑供給裝置，研磨頭上部中心處設有驅動裝置二，研磨頭底部通過伸縮支桿連接有襯墊，研磨頭底部周圈設有限位環，限位環、襯墊以及研磨盤圍成的封閉空間內設有工件，研磨頭上方依次疊設有冷卻液回收盤和冷卻液供給盤，冷卻液供給盤通過輸出泵連接一輸出管，輸出管另一端連接設于限位環內的冷卻通道，冷卻通道上還通過回流管連接至冷卻液回收盤，冷卻液回收盤與冷卻液供給盤通過管道連通。本實用新型專利技術降低了限位環周圍的溫度，保證研磨的均勻性。（*該技術在2024年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】
【專利摘要】本技術公開了一種晶圓雙面研磨設備，包括研磨盤，研磨盤底部中心處設有驅動裝置一，驅動裝置一底部設有滑塊，滑塊安裝于滑軌上，研磨盤上表面設有研磨布，研磨盤上方設有研磨頭和研磨劑供給裝置，研磨頭上部中心處設有驅動裝置二，研磨頭底部通過伸縮支桿連接有襯墊，研磨頭底部周圈設有限位環，限位環、襯墊以及研磨盤圍成的封閉空間內設有工件，研磨頭上方依次疊設有冷卻液回收盤和冷卻液供給盤，冷卻液供給盤通過輸出泵連接一輸出管，輸出管另一端連接設于限位環內的冷卻通道，冷卻通道上還通過回流管連接至冷卻液回收盤，冷卻液回收盤與冷卻液供給盤通過管道連通。本技術降低了限位環周圍的溫度，保證研磨的均勻性。【專利說明】晶圓雙面研磨設備
本技術涉及工件研磨設備
，尤其涉及一種晶圓雙面研磨設備。
技術介紹
晶圓是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓； 在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結構，而成為有特定電性功能之1C產品。 現有技術的晶圓在研磨過程中的溫度不均勻，具體原因是研磨頭的限位環和研磨 墊在研磨過程中反復摩擦產生的熱量，使得靠近研磨墊的晶圓的周邊區域溫度相對晶圓的 中心區域有較大程度上升。高溫會導致材料表面的性能發生變化，研磨劑在不同溫度下也 會有不同的反應速率，導致工件在研磨時厚度不均勻。
技術實現思路
本技術要解決的技術問題是提供一種晶圓雙面研磨設備，以解決現有技術的 晶圓雙面研磨設備在研磨時厚度不均勻的問題。 為解決上述技術問題，本技術所采用的技術方案是：一種晶圓雙面研磨設備， 包括研磨盤，所述研磨盤底部中心處設有驅動裝置一，所述驅動裝置一底部設有滑塊，所述 滑塊安裝于滑軌上，所述研磨盤上表面設有研磨布，所述研磨盤上方設有研磨頭和研磨劑 供給裝置，所述研磨頭上部中心處設有驅動裝置二，所述研磨頭底部通過伸縮支桿連接有 襯墊，所述研磨頭底部周圈設有限位環，所述限位環、襯墊以及研磨盤圍成的封閉空間內設 有工件，所述研磨頭上方依次疊設有冷卻液回收盤和冷卻液供給盤，所述冷卻液供給盤通 過輸出泵連接一輸出管，所述輸出管另一端連接設于限位環內的冷卻通道，所述冷卻通道 上還通過回流管連接至冷卻液回收盤，所述冷卻液回收盤與冷卻液供給盤通過管道連通。 采用以上結構與現有技術相比，本技術具有以下優點：伸縮支桿可調節襯墊 與研磨盤之間的間距，從而適用于不同厚度的工件；采用輸出泵使冷卻液在冷卻液供給盤、 冷卻通道和冷卻液回收盤之間流動，降低了限位環周圍的溫度，使得在研磨過程中晶圓周 圍的溫度保持平衡，保證研磨的均勻性。 作為優選，所述研磨盤的上表面邊緣處設有凹槽，所述凹槽設于研磨頭的圓形運 動軌跡外側。由于在研磨盤的上表面邊緣處設有凹槽，當研磨頭對工件完成研磨工序后，研 磨盤沿導軌做直線運動，將工件對準凹槽，從而使工件與盤磨盤之間的真空吸附力消失，又 能避免在研磨過程中易流失研磨劑的問題。 作為優選，所述襯墊上設有通孔用以供給研磨劑。從襯墊上方將研磨劑供給進入 封閉空腔內，并配合自轉的研磨頭，可對工件上表面和側壁進行研磨，提高了工作效率。 作為優選，所述研磨盤和研磨頭的旋轉方向相反。相反的旋轉方向可提高研磨效 率。 作為優選，所述冷卻通道的截面形狀為圓形、橢圓形或矩形中的任一種。 【專利附圖】【附圖說明】 toon] 圖1為本技術的晶圓雙面研磨設備的結構示意圖。 圖2為本技術的晶圓雙面研磨設備的研磨頭的結構示意圖。 圖3為本技術的晶圓雙面研磨設備的碾磨頭的研磨運動軌跡示意圖。 圖4為本技術的晶圓雙面研磨設備的工件運動至凹槽上方的示意圖。 圖中所示：1、研磨盤，2、驅動裝置，3、研磨布，4、研磨頭，5、研磨劑供給裝置，6、襯 墊，7、限位環，8、工件，9、冷卻液回收盤，10、冷卻液供給盤，11、輸出泵，12、輸出管，13、冷卻 通道，14、回流管，15、管道，16、凹槽，17、通孔，18、滑塊，19、滑軌，20、驅動裝置二。 【具體實施方式】 下面結合附圖和實施例，對本技術的【具體實施方式】作進一步詳細描述。以下 實施例用于說明本技術，但不用來限制本技術的范圍。 -種晶圓雙面研磨設備，包括研磨盤1，所述研磨盤1底部中心處設有電機，所述 電機底部設有滑塊18,所述滑塊18安裝于滑軌19上，所述研磨盤1上表面設有研磨布3， 所述研磨盤1上方設有研磨頭4和研磨劑供給裝置5,所述研磨頭4上部中心處設有另一電 機用以驅動研磨頭4繞其中軸自轉，所述研磨頭4底部通過伸縮支桿連接有襯墊6,所述研 磨頭4底部周圈設有限位環7,所述限位環7、襯墊6以及研磨盤1圍成的封閉空間內設有 工件8,所述研磨頭4上方依次疊設有冷卻液回收盤9和冷卻液供給盤10,所述冷卻液供給 盤10通過輸出泵11連接一輸出管12,所述輸出管12另一端連接設于限位環7內的冷卻通 道13,所述冷卻通道13上還通過回流管14連接至冷卻液回收盤9,所述冷卻液回收盤9與 冷卻液供給盤10通過管道15連通。 所述研磨盤1的上表面邊緣處設有凹槽16,所述凹槽16設于研磨頭4的圓形運動 軌跡外側。所述襯墊6上設有通孔17用以供給研磨劑。所述研磨盤1和研磨頭4的旋轉 方向相反。所述冷卻通道13的截面形狀為圓形、橢圓形或矩形中的任一種。 本技術的工作原理是：將工件放置于限位環、襯墊以及研磨盤圍成的封閉空 間內，伸縮支桿調節封閉空間的厚度以適應工件，研磨時，研磨劑供給裝置分別給襯墊的通 孔和研磨布供給研磨劑，研磨盤和研磨頭同時旋轉對工件進行全方位的研磨，由于在研磨 盤的上表面邊緣處設有凹槽，當研磨頭對工件完成研磨工序后，研磨盤沿導軌做直線運動， 將工件對準凹槽，從而使工件與盤磨盤之間的真空吸附力消失，又能避免在研磨過程中易 流失研磨劑的問題。另外，采用輸出泵使冷卻液在冷卻液供給盤、冷卻通道和冷卻液回收盤 之間流動，降低了限位環周圍的溫度，使得在研磨過程中晶圓周圍的溫度保持平衡，保證研 磨的均勻性。 以上所述僅是本技術的優選實施方式，應當指出，對于本
的普通技 術人員來說，在不脫離本技術技術原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改 進和潤飾也應視為本技術的保護范圍。【權利要求】1. 一種晶圓雙面研磨設備，其特征在于：包括研磨盤（1)，所述研磨盤（1)底部中心處 設有驅動裝置一（2)，所述驅動裝置一（2)底部設有滑塊（18)，所述滑塊（18)安裝于滑軌 (19)上，所述研磨盤（1)上表面設有研磨布（3)，所述研磨盤（1)上方設有研磨頭（4)和研 磨劑供給裝置（5)，所述研磨頭（4)上部中心處設有驅動裝置二（20)，所述研磨頭（4)底部 通過伸縮支桿連接有襯墊￠)，所述研磨頭（4)底部周圈設有限位環（7)，所述限位環（7)、 襯墊（6)以及研磨盤（1)圍成的封閉空間內設有工件（8)，所述研磨頭（4)上方依次疊設有 冷卻液回收盤（9)和冷卻液供給盤（10)，所述冷卻液供給盤（10)通過輸出泵（11)連接一 輸出管（12)，所述輸出管（12)另一端連接設于限位環（7)內的冷卻通道（13)本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種晶圓雙面研磨設備，其特征在于：包括研磨盤(1)，所述研磨盤(1)底部中心處設有驅動裝置一(2)，所述驅動裝置一(2)底部設有滑塊(18)，所述滑塊(18)安裝于滑軌(19)上，所述研磨盤(1)上表面設有研磨布(3)，所述研磨盤(1)上方設有研磨頭(4)和研磨劑供給裝置(5)，所述研磨頭(4)上部中心處設有驅動裝置二(20)，所述研磨頭(4)底部通過伸縮支桿連接有襯墊(6)，所述研磨頭(4)底部周圈設有限位環(7)，所述限位環(7)、襯墊(6)以及研磨盤(1)圍成的封閉空間內設有工件(8)，所述研磨頭(4)上方依次疊設有冷卻液回收盤(9)和冷卻液供給盤(10)，所述冷卻液供給盤(10)通過輸出泵(11)連接一輸出管(12)，所述輸出管(12)另一端連接設于限位環(7)內的冷卻通道(13)，所述冷卻通道(13)上還通過回流管(14)連接至冷卻液回收盤(9)，所述冷卻液回收盤(9)與冷卻液供給盤(10)通過管道(15)連通。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：周貴英，
申請(專利權)人：周貴英，
類型：新型
國別省市：浙江;33