一種新型的壓力/差壓變送器耐高過載壓力裝置制造方法及圖紙

本發明專利技術公開了一種新型的壓力/差壓變送器耐高過載壓力裝置，屬于壓力/差壓變送器系列產品的領域。其特征是：在正壓腔基座的側邊設置有負壓腔基座，正壓腔基座和負壓腔基座內端設置有中心膜片，正壓腔基座的上端固定有連接件及硅傳感器和硅片；正壓腔基座中間設置有四個正壓腔引壓孔；負壓腔基座的中間設置有負壓腔引壓孔及伸入至正壓腔基座等的負壓腔引壓孔和其中間的硅油；正壓腔基座和負壓腔基座的外端設有隔離膜片正、負壓側基座的下端設置有緊定螺釘和密封鋼球。本發明專利技術的結構能夠有效地解決了壓力/差壓變送器的硅傳感元件免受高過載壓力破壞。同時，本發明專利技術具有結構簡單，使用方便，工作安全和穩定等優點。

【技術實現步驟摘要】
一種新型的壓力/差壓變送器耐高過載壓力裝置
本專利技術涉及壓力/差壓變送器系列產品，具體說是一種保護壓力/差壓變送器的硅傳感元件免受高過載壓力破壞的新型裝置。
技術介紹
現有用單晶硅的壓阻效應制做的壓力/差壓變送器采用了單晶硅的壓阻轉換電信號的檢測方式，將作用在硅傳感元件正壓腔和負壓腔的壓力變化，使設置在單晶硅表層的橋臂電阻發生變化量，經壓力/差壓變送器上的低功耗電子電路轉換成與被測壓力/差壓量相對應的4-20mA電流信號及數字顯示，由于工業場合使用的壓力/差壓變送器的測量介質本身的靜態壓力或過載壓力，有可能大大超過單晶硅本身所能承受的壓力，造成單晶硅的損壞。因此要提供一種既能真實傳導檢測介質的壓力又要保護壓力/差壓變送器的硅傳感元件免受高過載壓力破壞的新型裝置，已成為當務之亟。
技術實現思路
為了克服現有產品的缺陷，本專利技術的目的是要提出結構簡單，使用方便，工作安全和穩定的一種保護壓力/差壓變送器的硅傳感元件免受高過載壓力破壞的新型裝置。本專利技術解決其技術問題所采用的技術方案是：一種新型的壓力/差壓變送器耐高過載壓力裝置，特征是：有一個正壓腔基座，正壓腔基座的側邊設置有負壓腔基座，正壓腔基座和負壓腔基座內端波紋面之間設置有中心膜片，中心膜片與正壓腔基座和負壓腔基座的內端波紋面外周界錐面固定一起；正壓腔基座和負壓腔基座的外端波紋面外固定有隔離膜片；正壓腔基座的上端固定有連接件，正壓腔基座伸入至連接件的中間上端設置有硅傳感器，硅傳感器中心靠下端處設置有硅片；正壓腔基座內外端波紋面軸線上設置有一端通正壓腔基座外端波紋面、另一端通正壓腔基座內端波紋面的下正壓腔引壓孔，正壓腔基座內外端波紋面軸線上方設置有與軸線平行且一端通正壓腔基座內端波紋面的中正壓腔引壓孔，正壓腔基座內外端波紋面軸線上方設置有與軸線垂直且一端通正壓腔基座與硅傳感器縫隙、另一端與中正壓腔引壓孔的一端相通的中上正壓腔引壓孔，正壓腔基座中間上方設置有與中上正壓腔引壓孔垂直且一端通中上正壓腔引壓孔之中、另一端通正壓腔基座外邊的上正壓腔引壓孔；負壓腔基座內外端波紋面軸線上設置有一端通負壓腔基座外端波紋面、另一端通負壓腔基座內端波紋面的下負壓腔引壓孔，負壓腔基座內外端波紋面軸線上方設置有與軸線平行且一端通負壓腔基座內端波紋面的中負壓腔引壓孔，負壓腔基座內外端波紋面軸線上方設置有與中負壓腔引壓孔垂直且一端通負壓腔基座和正壓腔基座結合錐面、另一端與中負壓腔引壓孔的一端相通的上負壓腔引壓孔，正壓腔基座中間上方設置有一端通正壓腔基座和負壓腔基座結合錐面、且與上負壓腔引壓孔通向負壓腔基座和正壓腔基座結合錐面處端口重合的下端負壓腔引壓孔，正壓腔基座中間上方設置有與中上正壓腔引壓孔平行且一端通正壓腔基座和連接件縫隙、另一端和下端負壓腔引壓孔的一端相通的中上端負壓腔引壓孔，正壓腔基座中間上方設置有與中上端負壓腔引壓孔垂直、與上正壓腔引壓孔平行且一端通中上端負壓腔引壓孔之中、另一端通正壓腔基座外邊的上端負壓腔引壓孔；正壓腔引壓孔和負壓腔引壓孔中間設置有硅油；正壓腔基座的內端設置有緊定螺釘，緊定螺釘中心上端設置有與正壓腔引壓孔和負壓腔引壓孔配合的密封鋼球。所述的正壓腔基座與負壓腔基座的內端波紋面外周界錐面相互固定，且兩基座內與隔離膜片軸向垂直的引壓孔方向一致以及負壓腔基座的引壓孔出口與負壓腔基座的引壓孔在正壓腔基座上的部分進口一致對準。所述的正壓側基座與負壓側基座的基座外端波紋面與隔離膜片之間、引壓孔內、兩基座內端波紋面與中心膜片之間、正壓腔基座與硅傳感器之間及硅傳感器與螺紋連接件縫隙形成的腔體內設置有硅油。本專利技術在正壓腔中心及內部設置有正壓腔引壓孔的基座外端波紋面外固定有隔離膜片；負壓腔中心及內部設置有負壓腔引壓孔的基座外端波紋面外固定有隔離膜片；正壓腔基座的上方外周固定有用連接件的連接件；連接件的內部正壓腔基座的上方固定有硅傳感器；硅傳感器上面外周界固定在連接件內。本專利技術基座隔離膜片、中心膜片、硅傳感器、連接件為金屬材料。本專利技術引壓孔、波紋面是由機械加工完成的。本專利技術固定是由焊接固定的。本專利技術硅油是經高溫、高真空下處理過的硅油灌注的。本專利技術的有益效果是：由于本專利技術解決了壓力/差壓變送器的硅傳感元件免受高過載壓力破壞的新型結構。當正常待測介質的壓力作用于兩邊隔離膜片上，一邊經正壓腔基座內的硅油傳遞到硅傳感器內硅片的正壓受壓面，另一邊經負壓基腔座內的硅油傳遞到硅傳感器內硅片的負壓受壓面。當待測介質的壓力超出壓力/差壓變送器正常測量的壓力時，正壓腔基座、負壓腔基座兩邊的隔離膜片會貼住正壓腔基座、負壓腔基座中心的引壓孔，這樣就阻隔了壓力的傳遞，也就實現了壓力/差壓變送器的硅傳感元件免受高過載壓力破壞的新型結構。附圖說明以下結合附圖及實施例對本專利技術進行進一步的描述。圖1是本專利技術的俯視結構視圖。圖2是本專利技術圖1的A-A剖視結構視圖。圖3是本專利技術圖1的B-B剖視結構視圖。圖4是本專利技術圖2的C-C剖視結構視圖。圖中1連接件2、4、5、14、15、16焊道，3硅傳感器，6硅片，7、8、9、12正壓側引壓孔，10、21隔離膜片，11、20硅油，13壓腔基座，17負壓腔基座，18中心膜片，19、22、23、24、25、26、27負壓腔引壓孔，28、30密封鋼球，29、31緊定螺釘。實施例1：有一個正壓腔基座13，正壓腔基座的側邊設置有負壓腔基座17，正壓腔基座和負壓腔基座內端波紋面之間設置有中心膜片18，中心膜片與正壓腔基座和負壓腔基座的內端波紋面外周界錐面固定一起；正壓腔基座的上端固定有連接件1，正壓腔基座伸入至連接件的中間上端設置有硅傳感器3，傳感器中心靠下端處設置有硅片6；正壓腔基座中間設置有上正壓腔引壓孔7、中上正壓腔引壓孔8、中正壓腔引壓孔9、下正壓腔引壓孔12；負壓腔基座的中間設置有下負壓腔引壓孔19、中負壓腔引壓孔22、上負壓腔引壓孔23，上負壓腔引壓孔伸入至正壓腔基座中間設置有上端負壓腔引壓孔25、下端負壓腔引壓孔24和中上端負壓腔引壓孔26，負壓腔引壓孔還設置有伸入至硅傳感器中間的負壓腔引壓孔27；正壓腔引壓孔和負壓腔引壓孔中間設置有硅油11與20；正壓腔基座的外端波紋面外固定有隔離膜片10，負壓腔基座的外端波紋面外固定有隔離膜片21；正壓腔基座的內端設置有緊定螺釘29與31，緊定螺釘中心上端設置有與正壓腔引壓孔和負壓腔引壓孔配合的密封鋼球28與30。本實施例附圖中加黑部分為焊道分別為2、4、5、14、15、16。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種新型的壓力/差壓變送器耐高過載壓力裝置，其特征是：有一個正壓腔基座，正壓腔基座的側邊設置有負壓腔基座，正壓腔基座和負壓腔基座內端波紋面之間設置有中心膜片，中心膜片與正壓腔基座和負壓腔基座的內端波紋面外周界錐面固定一起；正壓腔基座的上端固定有連接件，正壓腔基座伸入至連接件的中間上端設置有硅傳感器，硅傳感器中心靠下端處設置有硅片；正壓腔基座中間設置有上、中上、中、下四個正壓腔引壓孔；負壓腔基座的中間設置有下、中、上三個負壓腔引壓孔，上負壓腔引壓孔伸入至正壓腔基座中間設置有上端和下端負壓腔引壓孔，在上端負壓腔引壓孔與連接件交接處設置有負壓腔引壓孔，負壓腔引壓孔還設置有伸入至硅傳感器中間的負壓腔引壓孔；正壓腔引壓孔和負壓腔引壓孔中間設置有硅油；正壓腔基座和負壓腔基座的外端波紋面外固定有隔離膜片；正壓腔基座的內端設置有緊定螺釘，緊定螺釘中心上端設置有與正壓腔引壓孔和負壓腔引壓孔配合的密封鋼球。

【技術特征摘要】
1.一種新型的壓力/差壓變送器耐高過載壓力裝置，其特征是：有一個正壓腔基座，正壓腔基座的側邊設置有負壓腔基座，正壓腔基座和負壓腔基座內端波紋面之間設置有中心膜片，中心膜片與正壓腔基座和負壓腔基座的內端波紋面外周界錐面固定一起；正壓腔基座和負壓腔基座的外端波紋面外固定有隔離膜片；正壓腔基座的上端固定有連接件，正壓腔基座伸入至連接件的中間上端設置有硅傳感器，硅傳感器中心靠下端處設置有硅片；正壓腔基座內外端波紋面軸線上設置有一端通正壓腔基座外端波紋面、另一端通正壓腔基座內端波紋面的下正壓腔引壓孔，正壓腔基座內外端波紋面軸線上方設置有與軸線平行且一端通正壓腔基座內端波紋面的中正壓腔引壓孔，正壓腔基座內外端波紋面軸線上方設置有與軸線垂直且一端通正壓腔基座與硅傳感器縫隙、另一端與中正壓腔引壓孔的一端相通的中上正壓腔引壓孔，正壓腔基座中間上方設置有與中上正壓腔引壓孔垂直且一端通中上正壓腔引壓孔之中、另一端通正壓腔基座外邊的上正壓腔引壓孔；負壓腔基座內外端波紋面軸線上設置有一端通負壓腔基座外端波紋面、另一端通負壓腔基座內端波紋面的下負壓腔引壓孔，負壓腔基座內外端波紋面軸線上方設置有與軸線平行且一端通負壓腔基座內端波紋面的中負壓腔引壓孔，負壓腔基座內外端波紋面軸線上方設置有與中負壓腔引壓孔垂直且一端通負壓腔基座和正壓腔基座結合錐面、另一端與中...

【專利技術屬性】
技術研發人員：張惠益，
申請(專利權)人：福建上潤精密儀器有限公司，
類型：發明
國別省市：福建;35