具有窄激光發(fā)射角度的多模垂直腔面發(fā)射激光器制造技術

本發(fā)明專利技術的上DBR鏡的上高折射率層具有一中心區(qū)及一邊緣區(qū)。所述中心區(qū)具有相對所述邊緣區(qū)向激光發(fā)射的方向突出的一凸起。其中，所述垂直腔面發(fā)射半導體激光器滿足下列關系式：dp×n=(1/4+N/2)×λ，及dc×n=dp×n+(1/4+M/2)×λ，其中，λ為真空中所述激光的波長；dc為所述上高折射率層的中心區(qū)的膜厚度；dp為所述上高折射率層的邊緣區(qū)的膜厚度；n為所述上高折射率層的折射率；及N、M為零或自然數(shù)。

【技術實現(xiàn)步驟摘要】

【技術保護點】
一種垂直腔面發(fā)射半導體激光器，包括一下分布式布拉格反射鏡、一上分布式布拉格反射鏡以及位于所述下分布式布拉格反射鏡和所述上分布式布拉格反射鏡之間的用以產(chǎn)生激光的活性層，所述激光從所述上分布式布拉格反射鏡發(fā)出，其特征在于：所述上分布式布拉格反射鏡包括多個交替堆疊的高折射率層和低折射率層，其中一個所述高折射率層為設于所述上分布式布拉格反射鏡的激光發(fā)射面上的上高折射率層，所述上高折射率層具有一中心區(qū)及一邊緣區(qū)，所述中心區(qū)包括位于所述上高折射率層上的一凸點，所述凸點通過所述活性層的中點沿所述上分布式布拉格反射鏡的層體層疊方向向所述上分布式布拉格反射鏡突出而形成，所述邊緣區(qū)環(huán)繞所述中心區(qū)，所述中心區(qū)具有相對所述邊緣區(qū)向所述激光發(fā)射的方向突出的一凸起，其中，所述垂直腔面發(fā)射半導體激光器滿足下列關系式：dp×n=(1/4+N/2)×λ,及dc×n=dp×n+(1/4+M/2)×λ，其中，λ為真空中所述激光的波長；dc為所述上高折射率層的中心區(qū)的膜厚度；dp為所述上高折射率層的邊緣區(qū)的膜厚度；n為所述上高折射率層的折射率；及N、M為零或自然數(shù)。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：玉貫岳正，
申請(專利權(quán))人：新科實業(yè)有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：中國香港;81