一種低損耗整流電路制造技術

本發明專利技術公開了一種低損耗整流電路，其包括第一、第二、第三、第四二極管；此外其還包括：與所述四個二極管對應并聯的四個MOSFET；邏輯控制模塊，其包括信號分壓器、比較電路、反向器和三態門，所述邏輯控制模塊控制各MOSFET的導通和截斷，以使各MOSFET在導通的狀態下替代與其對應并聯的二極管作為整流變換信號的通道。本發明專利技術公開的低損耗整流電路，其使得整流電路具有極低的整流壓降，從而能有效減少整流電路的損耗。

【技術實現步驟摘要】

【技術保護點】
一種低損耗整流電路，用于將交流輸入信號整流變換為直流輸出信號，包括第一二極管、第二二極管、第三二極管和第四二極管，其中第一二極管的負極與第二二極管的正極相連，第二二極管的負極與第三二極管的負極相連，第三二極管的正極與第四二極管的負極相連，第四二極管的正極相連與第一二極管的正極相連，其中第一二極管的負極和第四二極管的負極連接交流輸入端，第一二極管的正極和第二二極管的負極連接直流輸出端；其特征在于，還包括：第一MOSFET、第二MOSFET、第三MOSFET和第四MOSFET，其分別與第一二極管、第二二極管、第三二極管和第四二極管對應并聯；邏輯控制模塊，所述邏輯控制模塊根據接收自交流輸入端的交流信號，輸出邏輯控制信號來控制各MOSFET的導通和截斷，以使各MOSFET在導通的狀態下替代與其對應并聯的二極管作為整流變換信號的通道；所述邏輯控制模塊包括：信號分壓器，其輸入端連接所述交流輸入端，所述信號分壓器將交流輸入端輸入的交流電壓分壓為可供下述比較電路處理的電壓后輸出；????比較電路，其與信號分壓器的輸出端連接，所述比較電路將接收自信號分壓器輸出端的交流信號轉換為控制信號輸出；?????反向器，其輸入端連接比較電路的輸出端；第一三態控制門、第二三態控制門、第三三態控制門和第四三態控制門，所述各三態控制門的輸入端和控制端還均分別與比較電路的輸出端和反向器的輸出端連接，所述第一三態控制門、第二三態控制門、第三三態控制門和第四三態控制門的輸出端分別與所述第一MOSFET、第二MOSFET、第三MOSFET和第四MOSFET的柵極對應連接，輸出所述邏輯控制信號以分別對應控制各MOSFET的導通和截斷。...

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：陳纓，彭倩，劉亞東，曹永興，代杰杰，唐勇，李玨龍，胡赟，劉嘉美，陳佳俊，
申請(專利權)人：國家電網公司，國網四川省電力公司電力科學研究院，上海交通大學，
類型：發明
國別省市：北京;11