磁路包括：設(shè)置成陣列狀的短磁鐵(1a)和短磁鐵(1b)；以及以?shī)A住短磁鐵(1a)和短磁鐵(1b)的方式設(shè)置的磁軛(2a)和磁軛(2b)。短磁鐵(1a)和短磁鐵(1b)配置為在陣列的排列方向上彼此之間的間隙在規(guī)定磁鐵間間隙(3)以下。此外，短磁鐵(1a)和短磁鐵(1b)配置為在磁軛(2a)和磁軛(2b)的一個(gè)磁軛一側(cè)具有一個(gè)磁極，在另一個(gè)磁軛一側(cè)具有另一個(gè)磁極。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【國(guó)外來華專利技術(shù)】磁路
本專利技術(shù)涉及長(zhǎng)磁路。
技術(shù)介紹
在日本專利特開平10-47651號(hào)公報(bào)（參照專利文獻(xiàn)1)中記載有如下長(zhǎng)磁路：以 相同磁極的面彼此相對(duì)的方式將多個(gè)永磁鐵間隔地排列，在各永磁鐵之間插入多個(gè)磁軛， 且使各永磁鐵和各磁軛緊密地接觸。 在日本專利特開平9-159068號(hào)公報(bào)（參照專利文獻(xiàn)2)中記載有如下三明治型磁 路：該三明治型磁路是管路用磁式懸吊器具所具備的管路用磁吸附構(gòu)件，該管路用磁式懸 吊器具將管路吸附到具有強(qiáng)磁性的固定物體來懸吊并支承該管路，其中該管路用磁吸附構(gòu) 件中，以磁軛夾住永磁鐵的磁極方向上的兩側(cè)。 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn) 專利文獻(xiàn) 專利文獻(xiàn)1 :日本專利特開平10-47651號(hào)公報(bào) 專利文獻(xiàn)2 :日本專利特開平9-159068號(hào)公報(bào)
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
專利技術(shù)所要解決的技術(shù)問題 在專利文獻(xiàn)1所記載的專利技術(shù)中，以相同磁極的面彼此相對(duì)的方式將多個(gè)永磁鐵間 隔地排列，因此，存在的問題有：長(zhǎng)度方向的磁場(chǎng)強(qiáng)度分布不均勻。 在專利文獻(xiàn)2所記載的專利技術(shù)中，利用磁軛夾住永磁鐵的磁極方向上的兩側(cè)來形成 三明治型磁路，從而強(qiáng)化了磁路的磁場(chǎng)強(qiáng)度，但是為了形成長(zhǎng)形的三明治型磁路，需要長(zhǎng)永 磁鐵，存在的問題有：永磁鐵難以加工，甚至容易開裂等。 本專利技術(shù)是為了解決上述問題而完成的，其目的在于得到長(zhǎng)磁路，在該長(zhǎng)磁路中，使 用配置為陣列狀的多個(gè)短磁鐵，以使陣列的排列方向上的磁通密度分布均勻。 解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案 本專利技術(shù)所涉及的磁路包括：設(shè)置為陣列狀的多個(gè)磁鐵；以及以?shī)A住多個(gè)磁鐵的方 式設(shè)置的一對(duì)磁軛，多個(gè)磁鐵配置為在陣列的排列方向上彼此之間的間隙在規(guī)定間隙以 下，在一對(duì)磁軛的一個(gè)磁軛一側(cè)具有一個(gè)磁極，在一對(duì)磁軛的另一個(gè)磁軛一側(cè)具有另一個(gè) 磁極。 專利技術(shù)效果 根據(jù)本專利技術(shù)的磁路，由于包括使間隙在規(guī)定間隙以下、且配置成陣列狀的多個(gè)磁 鐵；以及設(shè)于所述多個(gè)磁鐵的磁軛，因此，即使不使相鄰磁鐵緊密地接觸，也能在陣列的排 列方向上得到均勻的磁通密度。 此外，能使用具有生產(chǎn)成品率較高、且長(zhǎng)度校短的磁鐵，因此生產(chǎn)性得到提高。 【附圖說明】 toon] 圖1是表示本專利技術(shù)的實(shí)施方式1的磁路的側(cè)視圖。 圖2是表示本專利技術(shù)的實(shí)施方式1的磁路的立體圖。 圖3A是表示本專利技術(shù)的實(shí)施方式1的磁路的磁通密度分布的圖。 圖3B是用于說明測(cè)量部的設(shè)置位置的圖。 圖4是表示從本專利技術(shù)的實(shí)施方式1的磁路去除磁軛后的磁路的剖視圖。 圖5A是表示從本專利技術(shù)的實(shí)施方式1的磁路去除磁軛后的磁路的磁通密度分布的圖。 圖5B是用于說明測(cè)量部的設(shè)置位置的圖。 圖6是表示本專利技術(shù)的實(shí)施方式1的磁路的其它示例的側(cè)視圖。 圖7是表示本專利技術(shù)的實(shí)施方式2的磁路的立體圖。 圖8是表示本專利技術(shù)的實(shí)施方式3的磁路的側(cè)視圖。 圖9是表示本專利技術(shù)的實(shí)施方式3的磁路的立體圖。 圖10A是表示本專利技術(shù)的實(shí)施方式3的磁路的磁通密度分布的圖。 圖10B是用于說明測(cè)量部的設(shè)置位置的圖。 圖11A是表示從本專利技術(shù)的實(shí)施方式3的磁路去除磁軛后的磁路的磁通密度分布的圖。 圖11B是用于說明測(cè)量部的設(shè)置位置的圖。 圖12是表示本專利技術(shù)的實(shí)施方式3的磁路的其它示例的側(cè)視圖。 圖13是表示本專利技術(shù)的實(shí)施方式4的磁路的側(cè)視圖。 圖14是表示本專利技術(shù)的實(shí)施方式4的磁路的立體圖。 圖15A是表示本專利技術(shù)的實(shí)施方式4的磁路的磁通密度分布的圖。 圖15B是用于說明測(cè)量部的設(shè)置位置的圖。 圖16A是表示從本專利技術(shù)的實(shí)施方式4的磁路去除磁軛后的磁路的磁通密度分布的圖。 圖16B是用于說明測(cè)量部的設(shè)置位置的圖。 圖17A是表示本專利技術(shù)的實(shí)施方式4的磁路的磁通密度分布的圖。 圖17B是用于說明測(cè)量部的設(shè)置位置的圖。 圖18A是表示從本專利技術(shù)的實(shí)施方式4的磁路去除磁軛后的磁路的磁通密度分布的圖。 圖18B是用于說明測(cè)量部的設(shè)置位置的圖。 【具體實(shí)施方式】 實(shí)施方式1. 使用附圖，對(duì)本專利技術(shù)的實(shí)施方式1進(jìn)行說明。圖1是表示本專利技術(shù)的實(shí)施方式1的磁路 的側(cè)視圖，圖2是表示本專利技術(shù)的實(shí)施方式1的磁路的立體圖。在圖1及圖2中，1是磁鐵體， la、lb是磁鐵，2a、2b是鐵類金屬性的磁軛。磁鐵體1由磁鐵la和磁鐵lb構(gòu)成。磁鐵la 和磁鐵lb以使其磁極朝向設(shè)置有磁軛2a和2b的方向的方式來進(jìn)行配置。此外，磁鐵la 和磁鐵lb以將相同磁極朝向相同方向的方式來進(jìn)行配置。例如，磁鐵la和磁鐵lb以將N 極朝向設(shè)置有磁軛2a的一側(cè)、且將S極朝向設(shè)置有磁軛2b的一側(cè)的方式來進(jìn)行配置。此 夕卜，磁鐵la和磁鐵lb在軸向上配置成陣列狀。磁鐵la和磁鐵lb以具有例如2mm的磁鐵 間間隙3的方式來進(jìn)行配置。在磁路中，橫穿磁鐵la的N極和磁鐵lb的N極來設(shè)置鐵類 金屬性磁軛2a。此外，在磁路中，橫穿磁鐵la的S極和磁鐵lb的S極來設(shè)置鐵類金屬性磁 軛2b。磁軛2a和磁軛2b被配置成將磁鐵la和磁鐵lb夾成一體。另外，磁鐵間間隙3可 以是空隙，也可以填充有粘接劑等樹脂。 利用圖3A和圖3B，對(duì)磁路的動(dòng)作進(jìn)行說明。圖3A是表示本專利技術(shù)的實(shí)施方式1的 磁路的磁通密度分布的圖。對(duì)與圖1相同的結(jié)構(gòu)要素標(biāo)注相同標(biāo)號(hào)，省略其說明。5是表 不在與磁極方向及陣列的排列方向相正交的方向上、自磁路的磁鐵面間隔開2. 5mm的位置 (圖3B所示測(cè)量部4的位置），磁通密度在磁路軸向上的分布的曲線圖。 在圖3A所示曲線圖5中，縱軸為磁通密度，橫軸為磁路軸向長(zhǎng)度。圖3A所示的虛 線表示曲線圖5的橫軸與磁路之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系（S卩，磁路位于曲線圖5所示的永磁鐵范圍 內(nèi)）。在曲線圖5中示出了使磁鐵la和磁鐵lb之間的磁鐵間間隙3從0mm變化至5mm為 止時(shí)的磁通密的分布。即使磁鐵間間隙3增大，磁鐵間間隙3的周邊的磁通密度也不會(huì)大 幅地變動(dòng)。而且，磁鐵間間隙3達(dá)到3_為止，磁鐵間間隙3的周邊的磁通密度幾乎不發(fā)生 變化。橫穿磁路軸向的整個(gè)長(zhǎng)度，得到均勻的磁通密度。 為了說明本專利技術(shù)的實(shí)施方式1的效果，作為比較對(duì)象，對(duì)未設(shè)磁軛2a、2b的情況進(jìn) 行說明。圖4是從本專利技術(shù)的實(shí)施方式1的磁路去除磁軛2a、2b后的磁路的側(cè)視圖。在圖4 中，對(duì)與圖1相同的構(gòu)成要素，標(biāo)注相同標(biāo)號(hào)，并省略其說明。 利用圖5A和圖5B，對(duì)磁路的動(dòng)作進(jìn)行說明。圖5A是表不從本專利技術(shù)的實(shí)施方式1 的磁路去除磁軛后的磁路的磁通密度分布的圖。在圖5A和圖5B中，對(duì)與圖3相同的結(jié)構(gòu) 要素，標(biāo)注相同標(biāo)號(hào)，并省略其說明。51是表不在與磁極方向及陣列的排列方向相正交的方 向上、自磁路的磁鐵面間隔開2. 5mm的位置（圖5B所示測(cè)量部4的位置），磁通密度在磁路 軸向上的分布的曲線圖。 在圖5A所示曲線圖51中，縱軸為磁通密度，橫軸為磁路軸向的長(zhǎng)度方向。圖5A 所示的虛線表示曲線圖51的橫軸與磁路之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系。在曲線圖51中示出了使磁鐵la 和磁鐵lb之間的磁鐵間間隙3從0mm變化至5mm為止時(shí)的磁通密的分布。隨著磁鐵間間 隙3增大，磁鐵間間隙3的周邊的磁通密度會(huì)大幅地變動(dòng)。可知：隨著磁鐵la與磁鐵lb間 隔開的距離增大，磁鐵間間隙3的周邊的磁通密度的變動(dòng)會(huì)增大。 由此，在未設(shè)有磁軛2a和磁軛2b的情況下，若將磁鐵la與磁鐵lb間隔開，則無 法確保磁鐵間間隙3的周邊的磁通密度的均勻性。 如上所述，根據(jù)本發(fā)本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種磁路，其特征在于，包括：設(shè)置為陣列狀的多個(gè)磁鐵；以及以?shī)A住所述多個(gè)磁鐵的方式設(shè)置的一對(duì)磁軛，所述多個(gè)磁鐵配置為在陣列的排列方向上彼此之間的間隙在規(guī)定間隙以下，在所述一對(duì)磁軛的一個(gè)磁軛一側(cè)具有一個(gè)磁極，在所述一對(duì)磁軛的另一個(gè)磁軛一側(cè)具有另一個(gè)磁極。
【技術(shù)特征摘要】
【國(guó)外來華專利技術(shù)】2012.01.30 JP 2012-0168471. 一種磁路，其特征在于，包括： 設(shè)置為陣列狀的多個(gè)磁鐵；以及 以?shī)A住所述多個(gè)磁鐵的方式設(shè)置的一對(duì)磁軛， 所述多個(gè)磁鐵配置為在陣列的排列方向上彼此之間的間隙在規(guī)定間隙以下，在所述 一對(duì)磁軛的一個(gè)磁軛一側(cè)具有一個(gè)磁極，在所述一對(duì)磁軛的另一個(gè)磁軛一側(cè)具有另一個(gè)磁 極。2. 權(quán)利要求1所述的磁路，其特征在于， 所述多個(gè)磁鐵具有由所述陣列的排列方向和磁極方向所圍成的平面，且在相對(duì)于該平 面的側(cè)面設(shè)置有所述一對(duì)磁軛，所述一對(duì)磁軛從所述平面突出。3. 權(quán)利要求1或2所述的磁路，其特征在...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：岡田正明，尾込智和，淺野啟行，岸本健，下畑賢司，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：三菱電機(jī)株式會(huì)社，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：日本;JP
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