一種鍍膜方法及其裝置制造方法及圖紙

本發(fā)明專利技術(shù)公開了一種鍍膜方法，包括以下步驟：對(duì)被鍍基材采用真空鍍膜方式形成至少一層真空納米薄膜層；在所述真空納米薄膜層的表面采用大氣鍍膜方式形成至少一層大氣納米薄膜層。本發(fā)明專利技術(shù)方法克服了傳統(tǒng)真空鍍膜及大氣鍍膜方式各自的弊端，有效地提高了生產(chǎn)效率，實(shí)現(xiàn)了連續(xù)化生產(chǎn)，同時(shí)降低了生產(chǎn)成本。所形成的鍍膜層與基材之間結(jié)合力強(qiáng)，產(chǎn)品質(zhì)量?jī)?yōu)異。本發(fā)明專利技術(shù)還提供一種鍍膜裝置，包括通過傳動(dòng)系統(tǒng)相連接的至少一個(gè)真空鍍膜子系統(tǒng)及至少一個(gè)大氣鍍膜子系統(tǒng)。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
一種鍍膜方法及其裝置
本專利技術(shù)涉及鍍膜領(lǐng)域，具體涉及一種鍍膜方法及其裝置。
技術(shù)介紹
現(xiàn)有鍍膜技術(shù)主要為真空鍍膜。真空鍍膜包括以下步驟：將被鍍基片掛入到鍍膜 架的掛具上；將鍍膜架推入鍍膜機(jī)內(nèi)；關(guān)閉真空室門并抽真空；投入惰性氣體，在高電壓下 產(chǎn)生輝光；開始鍍膜；降低真空度；打開真空室門，取出鍍膜架；將被鍍基片從掛具上取下。 采用干法鍍膜的方式生產(chǎn)效率太低、成本太高、上下掛具產(chǎn)生很多刮傷從而造成低良率，且 很難實(shí)現(xiàn)連續(xù)式生產(chǎn)。 濕法噴涂技術(shù)在鍍膜領(lǐng)域也廣泛存在，但采用濕法噴涂不能獨(dú)立形成光學(xué)薄膜。 一般來說，噴涂技術(shù)只能噴涂一些透明漆，噴涂技術(shù)可以與真空鍍膜搭配，在真空鍍膜表 面噴涂一層作為保護(hù)涂層存在的透明漆。噴涂技術(shù)獨(dú)立加工存在很多應(yīng)用上的弊端，最大 的問題在于：在大氣環(huán)境中進(jìn)行濕法噴涂，待鍍基材難以清潔達(dá)到鍍膜表面的標(biāo)準(zhǔn)，從而無 法保證鍍膜層與被鍍基片之間的結(jié)合力。因此，現(xiàn)有鍍膜工序幾乎全部采用真空鍍膜。例 如，目前在手機(jī)和平板電腦上廣泛采用的憎水鍍膜，先在被鍍基片表面鍍上氧化硅打底層， 再在氧化硅表面沉積含氟憎水鍍膜。因此，現(xiàn)有技術(shù)需要改進(jìn)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
有鑒于此，本專利技術(shù)提供一種效率高、成本低、可實(shí)現(xiàn)連續(xù)化生產(chǎn)的鍍膜方法，包括 以下步驟：對(duì)被鍍基材采用真空鍍膜方式形成至少一層真空納米薄膜層；在所述真空納米 薄膜層的表面采用大氣鍍膜方式形成至少一層大氣納米薄膜層。 本專利技術(shù)還提供一種鍍膜裝置，鍍膜裝置包括通過傳動(dòng)系統(tǒng)相連接的至少一個(gè)真空 鍍膜子系統(tǒng)及至少一個(gè)大氣鍍膜子系統(tǒng)。 本專利技術(shù)的有益效果在于：采用兩種鍍膜方式混合鍍膜進(jìn)行連續(xù)化生產(chǎn)，生產(chǎn)效率 高，成本低廉。由于在前工序的打底薄膜層全部在真空中完成，并且經(jīng)過了等離子清洗，因 此被鍍基材的表面非常干凈新鮮，將被鍍基材轉(zhuǎn)移到大氣下進(jìn)行大氣鍍膜時(shí)，有效地保證 了大氣納米薄膜層與真空納米打底層之間的結(jié)合力。 【具體實(shí)施方式】 為了使本專利技術(shù)所要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié) 合實(shí)施例，對(duì)本專利技術(shù)進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅用以解釋 本專利技術(shù)，并不用于限定本專利技術(shù)。 本專利技術(shù)鍍膜方法包括以下步驟：對(duì)被鍍基材采用真空鍍膜方式形成至少一層真空 納米薄膜層；在真空納米薄膜層的表面采用大氣鍍膜方式形成至少一層大氣納米薄膜層。 其中，真空鍍膜方式包括磁控濺射鍍膜、熱蒸發(fā)鍍膜、電子槍式鍍膜或多弧離子鍍 膜，對(duì)基材進(jìn)行真空鍍膜可以采用其中的一種或者多種，所形成的真空納米薄膜層也可以 為多層，其總厚度大于5nm。此工序全部在真空中完成，并且被鍍基材在真空室中經(jīng)過了等 離子清洗，表面非常干凈新鮮，完全滿足作為大氣鍍膜表面的標(biāo)準(zhǔn)。 進(jìn)一步地，大氣鍍膜方式包括噴鍍、輥鍍或浸鍍鍍膜，鍍膜時(shí)可同時(shí)采用其中的一 種或多種。將鍍有真空打底鍍膜層的基材轉(zhuǎn)移至大氣中，在打底層上再鍍有一層或多層的 大氣納米薄膜，其總厚度大于lnm。所制得的產(chǎn)品表面同時(shí)覆有真空鍍層和大氣鍍層，且膜 層之間結(jié)合力強(qiáng)，品質(zhì)優(yōu)良。 更優(yōu)選地，鍍膜方法還包括在大氣鍍膜之前對(duì)被鍍基材進(jìn)行預(yù)處理及在大氣鍍膜 之后對(duì)所形成的大氣納米薄膜層進(jìn)行熟化。其中，預(yù)處理的方式包括等離子處理、紫外線處 理、電暈處理等，熟化的方式包括紫外熟化、紅外熟化或熱熟化等。 本專利技術(shù)鍍膜裝置，包括通過傳動(dòng)系統(tǒng)相連接的至少一個(gè)真空鍍膜子系統(tǒng)及至少一 個(gè)大氣鍍膜子系統(tǒng)。 其中，真空鍍膜子系統(tǒng)由至少三個(gè)真空室組成，真空室包含至少一個(gè)傳遞室和至 少一個(gè)鍍膜室，真空鍍膜子系統(tǒng)中被鍍基材的鍍膜面平行或垂直于所述傳動(dòng)系統(tǒng)的傳動(dòng)方 向。傳動(dòng)系統(tǒng)可以為傳送帶或機(jī)械臂，可將在真空鍍膜子系統(tǒng)中經(jīng)過真空鍍膜的基材傳送 至大氣鍍膜子系統(tǒng)中。本鍍膜裝置還可進(jìn)一步在大氣鍍膜子系統(tǒng)之前設(shè)置預(yù)處理單元，對(duì) 鍍膜真空打底層的基材進(jìn)行等離子處理或紫外照射等處理。更進(jìn)一步地，可在大氣鍍膜子 系統(tǒng)之后設(shè)置熟化單元，對(duì)大氣鍍膜形成的納米薄膜層進(jìn)行熟化處理。熟化單元可以為紫 外熟化、紅外熟化或熱熟化等的相應(yīng)設(shè)備。 以下通過實(shí)施例進(jìn)一步解釋本專利技術(shù)。 實(shí)施例1 A、將被鍍基材置于真空鍍膜子系統(tǒng)中，通過等離子體放電產(chǎn)生的輝光對(duì)被鍍基材 表面進(jìn)行等離子清洗； B、在真空鍍膜子系統(tǒng)中，采用磁控濺射真空鍍膜方式在水平于鍍膜系統(tǒng)傳動(dòng)方向 的被鍍基材鍍膜面上鍍上至少一層、總厚度大于5nm的納米薄膜鍍層，形成所述真空納米 薄膜層； C、通過傳輸系統(tǒng)，將經(jīng)步驟B處理的具有至少一層納米薄膜層的基材送到大氣鍍 膜子系統(tǒng)工位； D、在所述真空子系統(tǒng)中形成的至少一層的納米薄膜鍍層表面，通過噴鍍至少一 層、總厚度大于lnm的納米薄膜鍍層，形成所述大氣納米薄膜層； E、通過熟化單元，對(duì)所述大氣納米薄膜層進(jìn)行熟化，獲得具有真空納米薄膜層、大 氣納米薄膜層的基材。 實(shí)施例2 其他操作步驟同實(shí)施例1，僅根據(jù)表2所示改變部分操作條件，在藍(lán)寶石基板表面 依次鍍上氧化鋁薄膜、氧化硅薄膜和含氟硅烷憎水納米薄膜。 表1本專利技術(shù)實(shí)施例2鍍膜操作具體控制參數(shù) 本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種鍍膜方法，其特征在于，所述鍍膜方法包括以下步驟：對(duì)被鍍基材采用真空鍍膜方式形成至少一層真空納米薄膜層；在所述真空納米薄膜層的表面采用大氣鍍膜方式形成至少一層大氣納米薄膜層。

【技術(shù)特征摘要】
1. 一種鍍膜方法，其特征在于，所述鍍膜方法包括以下步驟：對(duì)被鍍基材采用真空鍍 膜方式形成至少一層真空納米薄膜層；在所述真空納米薄膜層的表面采用大氣鍍膜方式形 成至少一層大氣納米薄膜層。2. 如權(quán)利要求1所述的鍍膜方法，其特征在于，所述真空鍍膜方式為磁控濺射鍍膜、熱 蒸發(fā)鍍膜、電子槍式鍍膜或多弧離子鍍膜中的至少一種；所述大氣鍍膜方式為噴鍍、輥鍍或 浸鍍鍍膜中的至少一種。3. 如權(quán)利要求1或2所述的鍍膜方法，其特征在于，所述鍍膜方法還包括在大氣鍍膜之 前對(duì)所述被鍍基材進(jìn)行預(yù)處理；所述預(yù)處理的方式為等離子處理、紫外線處理、電暈處理中 的至少一種。4. 如權(quán)利要求1或2所述的鍍膜方法，其特征在于，所述鍍膜方法還包括對(duì)所述大氣納 米薄膜層進(jìn)行熟化；所述熟化的方式為紫外熟化、紅外熟化或熱熟化。5. 如權(quán)利要求1所述的...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：胡偉，陳鵬，盧德球，常瑞荊，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：深圳市東麗華科技有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：廣東;44