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    光電模塊、尤其是閃光燈模塊及其制造方法技術(shù)

    技術(shù)編號:10533841 閱讀:142 留言:0更新日期:2014-10-15 13:12
    光電模塊包括基底組件(P);安裝于所述基底(P)上的至少一個發(fā)光組件(E1,E2);安裝于所述基底(P)上的至少一個探測組件(D);至少一個光學(xué)組件(O),其包括至少一個無源光學(xué)器件(L);至少一個間隔組件(S),其布置于所述基底組件(P)和所述光學(xué)組件(O)之間。該光電模塊可以非常小,并且能夠高質(zhì)量高產(chǎn)量地制造。特別是,提供了至少兩個發(fā)光組件(E1,E2),例如兩個LED,用來發(fā)射顏色可變的光。這能夠改進場景的照明。

    【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
    【國外來華專利技術(shù)】【專利摘要】光電模塊包括基底組件(P);安裝于所述基底(P)上的至少一個發(fā)光組件(E1,E2);安裝于所述基底(P)上的至少一個探測組件(D);至少一個光學(xué)組件(O),其包括至少一個無源光學(xué)器件(L);至少一個間隔組件(S),其布置于所述基底組件(P)和所述光學(xué)組件(O)之間。該光電模塊可以非常小,并且能夠高質(zhì)量高產(chǎn)量地制造。特別是,提供了至少兩個發(fā)光組件(E1,E2),例如兩個LED,用來發(fā)射顏色可變的光。這能夠改進場景的照明。【專利說明】
    本專利技術(shù)涉及光電子領(lǐng)域,更具體的涉及光電器件的封裝和制造方法。更具體地,其 涉及光電模塊及其制造方法、應(yīng)用和包括這種模塊的電子裝置,特別地,其中該模塊為閃光 燈模塊。另外,提供一種場景成像的方法。本專利技術(shù)涉及根據(jù)權(quán)利要求的前序部分的方法和 設(shè)備。
    技術(shù)介紹
    US2010/0327164A1公開了一種光電模塊,更具體的公開了一種近距離傳感器,在 其制造過程中利用轉(zhuǎn)移模塑技術(shù)重疊模塑發(fā)光芯片和光探測芯片,從而在這些芯片上形成 透鏡。 US5, 912, 872公開了一種集成光學(xué)設(shè)備。在其制造過程中,其上具有多個有源元件 的支撐晶片與具有相應(yīng)的多個光學(xué)元件的透明晶片對準。然后將這種支撐-透明晶片對切 割分離。 US2011/0050979A1公開了 一種用于電光裝置的具有功能兀件的光學(xué)模塊。光學(xué)模 塊包括一個具有至少一個透鏡元件的透鏡基底部分和一個隔離物。該隔離物起到在透鏡基 底和完整組裝的電光裝置的基底部分之間保持嚴格定義的軸向距離的作用。為了保證功能 元件具有優(yōu)化的性能,設(shè)置了 EMC屏蔽件。隔離物至少部分具有導(dǎo)電性,從而形成EMC屏蔽 件或形成其的一部分。US2011/0050979A1中還公開了一種用于在晶片級上制造多個該種模 塊的方法。 術(shù)語定義 "有源光學(xué)器件":光感測或光發(fā)射器件。例如,光電二極管、圖像傳感器、LED、 0LED、激光芯片。有源光學(xué)器件可以呈現(xiàn)為裸片或呈現(xiàn)為在封裝中,即作為封裝器件。 "無源光學(xué)器件":通過折射和/或衍射和/或(內(nèi)部和/或外部)反射改變光方向 的光學(xué)器件,諸如透鏡、棱鏡、反射鏡、或光學(xué)系統(tǒng),其中光學(xué)系統(tǒng)為這種光學(xué)器件的集合, 且這種光學(xué)器件還可包括諸如孔徑光闌、圖像屏幕、支架的機械元件。 "光電模塊":包含有至少一個有源光學(xué)器件和至少一個無源光學(xué)器件的器件。 "復(fù)制":再現(xiàn)出給定結(jié)構(gòu)或其陰版(negative)的技術(shù)。例如,蝕刻、模壓、壓印、鑄 造、模塑。 "晶片":基本為盤狀或板狀的物體,其在一個方向(z-方向或縱向)上的尺寸 (extension)小于其在另外兩個方向(X-和y-方向或橫向)上的尺寸。通常,在(非空白) 晶片上,典型地在矩形網(wǎng)格上布置有或在其中提供有多個相似的結(jié)構(gòu)或物品。晶片可具有 開口或孔,且晶片在其橫向區(qū)域的主要部分中甚至可沒有材料。晶片可以具有任何橫向形 狀,其中,通常為圓形和矩形。雖然大多數(shù)情況下,晶片被理解為通常由半導(dǎo)體材料制成,但 在本專利申請中,顯然沒有這種限制。因而,晶片可以通常由例如半導(dǎo)體材料、聚合物材料、 包含金屬和聚合物或聚合物和玻璃材料的復(fù)合材料制成。特別地,諸如加熱或UV-固化聚 合物的可硬化材料是結(jié)合本專利技術(shù)感興趣的晶片材料。 toon] "橫向":參見"晶片"。 "縱向":參見"晶片"。 "光":多為電磁輻射;更特別地,電磁光譜的紅外、可見或紫外部分的電磁輻射。
    技術(shù)實現(xiàn)思路
    本專利技術(shù)的一個目標是創(chuàng)造特別緊湊和/或有益的光電模塊。此外,本專利技術(shù)還提供 了相應(yīng)的包括大量這種模塊的裝置、包括至少一個這種模塊的電子裝置、制造這種模塊的 方法以及場景成像的方法。 本專利技術(shù)的另一個目標是創(chuàng)造制造光電模塊的一種替代性的方式。 本專利技術(shù)的另一個目標是創(chuàng)造一種制造光電模塊的特別快速和/或特別簡單的方 式。 本專利技術(shù)的另一個目標是提供一種具有特別精確的對準的光電模塊和相應(yīng)的制造 方法。 本專利技術(shù)的另一個目標是提供一種具有特別小尺寸的光電模塊。 本專利技術(shù)的另一個目標是提供一種可重復(fù)制造的光電模塊。 本專利技術(shù)的另一個目標是提供一種能夠以非常少的步驟重復(fù)制造的光電模塊以及 相應(yīng)的制造方法。 本專利技術(shù)的另一個目標是提供一種涉及改進的處理,特別是簡化處理的制造光電模 塊的方法。 本專利技術(shù)的另一個目標是提供一種特別小和/或輕重量的照相裝置。 本專利技術(shù)的另一個目標是能夠為將要記錄的場景提供特別良好的照明,特別是能夠 通過特別小的電子裝置實現(xiàn)上述功能。 本專利技術(shù)的另一個目標是提供一種具有至少一個光電模塊的特別小的電子裝置。 根據(jù)以下說明書和實施例可獲知其它目標。 通過根據(jù)本專利權(quán)利要求的設(shè)備、裝置和方法,能夠至少部分地實現(xiàn)這些目標中 至少之一。 -種光電模塊,包括: -基底組件; -安裝于所述基底上的至少一個發(fā)光組件; -安裝于所述基底上的至少一個探測組件; -至少一個光學(xué)組件,包括至少一個無源光學(xué)器件; -至少一個間隔組件,布置于所述基底組件和所述光學(xué)組件之間。 所述發(fā)光組件用于發(fā)射光,特別是閃光。所述探測組件用來探測光,特別用來探測 光的至少一個與顏色有關(guān)的性質(zhì)。但是在某些實施方案中,探測組件也可以用于探測或確 定表征整體光強度和/或空間或角度光強分布的性質(zhì)。所述隔離組件的一個作用是在位于 其一側(cè)上的所述至少一個無源光學(xué)器件和位于其另一側(cè)的至少一個發(fā)光組件和至少一個 探測組件之間提供嚴格定義的(縱向)距離。 在一個實施例中,所述光學(xué)組件包括至少一個不透明部分和至少一個包括所述至 少一個無源光學(xué)器件的透明部分。特別地,所述不透明部分環(huán)繞所述至少一個透明部分中 的至少一個,并且更特別,所述不透明部分環(huán)繞所述至少一個透明部分中的每一個。 在一個可以與上文中討論的實施例組合的實施例中,所述隔離組件基本上由不透 明材料形成。這樣可以防止不希望的光進入到光電模塊中。所述不透明材料可以基本上衰 減或阻擋光線。 在一個可以與上文中討論的實施例中的一個或多個組合的實施例中,所述基底組 件基本上為印刷電路板。特別的,所述基底組件主要由印刷電路板基材構(gòu)成,例如FR4材 料。所述基底組件可以為不透明的,并且提供從所述發(fā)光組件和所述探測組件到光電模塊 外部的電接觸。這樣可以容易地使得所述基底提供從所述至少一個探測組件開始穿過所述 基底的至少一個電連接,以及從所述至少一個發(fā)光組件開始穿過所述基底的電連接中的至 少一個電連接。 在一個可以與上文中討論的實施例中的一個或多個組合的實施例中,所述基底組 件大致為塊狀或板狀。 在一個可以與上文中討論的實施例中的一個或多個組合的實施例中,至少是在忽 略所述至少一個無源光學(xué)器件時,所述光學(xué)組件大致為塊狀或板狀。 特別地,所述基底組件和所述光學(xué)組件可以大體上互相平行的布置。 這些實施例于有助于使得光電模塊獲得特別好的可制造性。 在一個可以與上文中討論的實施例中的一個或多個組合的實施例中,所述基底和 所述間隔組件的外側(cè)橫向尺寸基本上相同,特別地所述基底、所述光學(xué)組件和所述間隔組 件的外側(cè)橫向尺寸基本相同。 這些實施方式也有助于本文檔來自技高網(wǎng)
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    【技術(shù)保護點】
    一種光電模塊,包括:?基底組件;?安裝于所述基底上的至少一個發(fā)光組件;?安裝于所述基底上的至少一個探測組件;?至少一個光學(xué)組件,包括至少一個無源光學(xué)器件;?至少一個間隔組件,布置于所述基底組件和所述光學(xué)組件之間。

    【技術(shù)特征摘要】
    【國外來華專利技術(shù)】...

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:H·拉德曼M·羅西R·克羅姆霍夫
    申請(專利權(quán))人:新加坡恒立私人有限公司
    類型:發(fā)明
    國別省市:新加坡;SG

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