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    銪鋱共摻雜稀土鋁酸鹽發光材料、制備方法及其應用技術

    技術編號:10638910 閱讀:149 留言:0更新日期:2014-11-12 13:45
    一種銪鋱共摻雜稀土鋁酸鹽發光材料,其化學式為LaaGdbLucAl5O12∶xEu2+,yTb3+,LaaGdbLucAl5O12是基質,Eu2+和Tb3+離子是激活元素,其中,a為0~3,b為0~3,c為0~3,且a+b+c=3,x為0.01~0.05,y為0.01~0.06。該銪鋱共摻雜稀土鋁酸鹽發光材料制成的發光薄膜的電致發光光譜(EL)中,在480nm和580nm波長區都有很強的發光峰,能夠應用于薄膜電致發光顯示器中。本發明專利技術還提供該銪鋱共摻雜稀土鋁酸鹽發光材料的制備方法及其應用。

    【技術實現步驟摘要】
    【專利摘要】一種銪鋱共摻雜稀土鋁酸鹽發光材料,其化學式為LaaGdbLucAl5O12∶xEu2+,yTb3+,LaaGdbLucAl5O12是基質,Eu2+和Tb3+離子是激活元素,其中,a為0~3,b為0~3,c為0~3,且a+b+c=3,x為0.01~0.05,y為0.01~0.06。該銪鋱共摻雜稀土鋁酸鹽發光材料制成的發光薄膜的電致發光光譜(EL)中,在480nm和580nm波長區都有很強的發光峰,能夠應用于薄膜電致發光顯示器中。本專利技術還提供該銪鋱共摻雜稀土鋁酸鹽發光材料的制備方法及其應用。【專利說明】銪鋱共摻雜稀土鋁酸鹽發光材料、制備方法及其應用
    】 本專利技術涉及一種銪鋱共摻雜稀土鋁酸鹽發光材料、其制備方法、銪鋱共摻雜稀土 鋁酸鹽發光薄膜、其制備方法、薄膜電致發光器件及其制備方法。 【
    技術介紹
    】 薄膜電致發光顯示器(TFELD)由于其主動發光、全固體化、耐沖擊、反應快、視角 大、適用溫度寬、工序簡單等優點,已引起了廣泛的關注,且發展迅速。目前,研究彩色及至 全色TFELD,開發多波段發光的材料,是該課題的發展方向。但是,可應用于薄膜電致發光顯 示器的銪鋱共摻雜稀土鋁酸鹽發光材料,仍未見報道。 【
    技術實現思路
    】 基于此,有必要提供一種可應用于薄膜電致發光器件的銪鋱共摻雜稀土鋁酸鹽發 光材料、其制備方法、銪鋱共摻雜稀土鋁酸鹽發光薄膜、其制備方法、使用該銪鋱共摻雜稀 土鋁酸鹽發光材料的薄膜電致發光器件及其制備方法。 一種銪鋱共摻雜稀土鋁酸鹽發光材料,其化學式為LaaGdbLu eAl5012 : xEu2+,yTb3+, LaaGdbLUc;Al5012是基質,Eu 2+和Tb3+離子是激活元素,其中,a為0?3,b為0?3,c為0? 3,且 a+b+c=3, X 為 0· 01 ?0· 05, y 為 0· 01 ?0· 06。 所述 a 為 0· 6, b 為 1. 0, c 為 1. 4, X 為 0· 03, y 為 0· 04。 一種銪鋱共摻雜稀土鋁酸鹽發光材料的制備方法,包括以下步驟: 根據 LaaGdbLueAl5012 : xEu2+, yTb3+各元素的化學計量比稱取 La203, Gd203, Lu203, A1203,Eu203和Tb40 7粉體并混合均勻,其中,a為0?3,b為0?3,c為0?3,且a+b+c=3, X 為 0· 01 ?0· 05, y 為 0· 01 ?0· 06 ;及 將混合均勻的粉體在900°C?1300°C下燒結0. 5小時?5小時即得到化學式為 LaaGdbLUc;Al5012 : xEu2+,yTb3+的銪鋱共摻雜稀土鋁酸鹽發光材料。 -種銪鋱共摻雜稀土鋁酸鹽發光薄膜,該銪鋱共摻雜稀土鋁酸鹽發光薄膜的材料 的化學通式為 LaaGdbLueAl5012 : xEu2+,yTb3+,LaaGdbLu eAl5012 是基質,Eu2+ 和 Tb3+ 離子是激活 元素,其中,a為〇?3,b為0?3,c為0?3,且a+b+c=3,x為0· 01?0· 05,y為0· 01? 0. 06〇 一種銪鋱共摻雜稀土鋁酸鹽發光薄膜的制備方法,包括以下步驟: 根據 LaaGdbLueAl5012 : xEu2+, yTb3+各元素的化學計量比稱取 La203, Gd203, Lu203, A1203,Eu203和Tb40 7粉體并混合均勻,其中,a為0?3,b為0?3,c為0?3,且a+b+c=3, X 為 0· 01 ?0· 05, y 為 0· 01 ?0· 06 ; 將所述靶材以及襯底裝入磁控濺射鍍膜設備的真空腔體,并將真空腔體的真空度 設置為 1. 〇 X l(T3Pa ?1. 0 X l(T5Pa ;及 調整磁控濺射鍍膜工藝參數為:基靶間距為45mm?95mm,磁控濺射工作壓強 0. 2Pa?4Pa,工作氣體的流量為lOsccm?35sccm,襯底溫度為250°C?750°C,接著進行制 膜,得到化學式為LaaGdbLUc;Al50 12 : xEu2+,yTb3+的銪鋱共摻雜稀土鋁酸鹽發光薄膜。 還包括步驟:將所述銪鋱共摻雜稀土鋁酸鹽發光薄膜于50(TC?80(TC下真空退 火處理lh?3h。 一種薄膜電致發光器件,該薄膜電致發光器件包括依次層疊的襯底、陽極層、發光 層以及陰極層,所述發光層的材料為銪鋱共摻雜稀土鋁酸鹽發光材料,該銪鋱共摻雜稀土 鋁酸鹽發光材料的化學式為La aGdbLueAl5012 : xEu2+,yTb3+,1^6(沾11,15012是基質』11 2+和 Tb3+離子是激活元素,其中,a為0?3,b為0?3,c為0?3,且a+b+c=3, X為0. 01? 0· 05, y 為 0· 01 ?0· 06。 一種薄膜電致發光器件的制備方法,包括以下步驟: 提供具有陽極的襯底; 在所述陽極上形成發光層,所述發光層的材料為銪鋱共摻雜稀土鋁酸鹽發光 材料,該銪鋱共摻雜稀土鋁酸鹽發光材料的化學式為La aGdbLueAl5012 : xEu2+,yTb3+, LaaGdbLUc;Al5012是基質,Eu 2+和Tb3+離子是激活元素,其中,a為0?3,b為0?3,c為0? 3,且 a+b+c=3, X 為 0· 01 ?0· 05, y 為 0· 01 ?0· 06 ; 在所述發光層上形成陰極。 所述發光層的制備包括以下步驟: 根據 LaaGdbLi^Al;^ : xEu2+, yTb3+各元素的化學計量比稱取 La203, Gd203, Lu203, A1203,Eu203和Tb40 7粉體并混合均勻在900°C?1300°C下燒結0· 5小時?5小時制成靶材, 其中,a 為 0 ?3,b 為 0 ?3,c 為 0 ?3,且 a+b+c=3,x 為 0· 01 ?0· 05,y 為 0· 01 ?0· 06 ; 將所述靶材以及所述襯底裝入磁控濺射鍍膜設備的真空腔體,并將真空腔體的真 空度設置為 1. 〇 X l〇_3Pa ?1. 0 X 10_5Pa ; 調整磁控濺射鍍膜工藝參數為:基靶間距為45mm?95mm,磁控濺射工作壓強 0. 2Pa?4Pa,工作氣體的流量為lOsccm?35sccm,襯底溫度為250°C?750°C,接著進行制 膜,得到化學式為La aGdbLUc;Al5012 : xEu2+,yTb3+的銪鋱共摻雜稀土鋁酸鹽發光薄膜,在所述 陽極上形成發光層。 還包括步驟:將所述銪鋱共摻雜稀土鋁酸鹽發光薄膜于50(TC?80(TC下真空退 火處理lh?3h。 上述銪鋱共摻雜稀土鋁酸鹽發光材料(LaaGdbLu eAl5012 : xEu2+,yTb3+)制成的發光 薄膜的電致發光光譜(EL)中,在480nm和580nm波長區都有很強的發光峰,能夠應用于薄 膜電致發光顯示器中。 【【專利附圖】【附圖說明】】 圖1為一實施方式的薄膜電致發光器件的結構示意圖; 圖2為實施例1制備的銪鋱共摻雜稀土鋁酸鹽發光薄膜的電致發光譜圖; 圖3為實施例1制備的銪鋱共摻雜稀土鋁酸鹽發光薄膜的拉曼光譜; 圖4是實施例1制備的薄膜電致發光器件的電壓與電流密度和電壓與亮度之間的 關系曲線圖。 【【具體實施方式】】 下面結合本文檔來自技高網...

    【技術保護點】
    一種銪鋱共摻雜稀土鋁酸鹽發光材料,其特征在于:其化學式為LaaGdbLucAl5O12∶xEu2+,yTb3+,LaaGdbLucAl5O12是基質,Eu2+和Tb3+離子是激活元素,其中,a為0~3,b為0~3,c為0~3,且a+b+c=3,x為0.01~0.05,y為0.01~0.06。

    【技術特征摘要】

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:周明杰,王平,陳吉星,鐘鐵濤,
    申請(專利權)人:海洋王照明科技股份有限公司,深圳市海洋王照明技術有限公司,深圳市海洋王照明工程有限公司
    類型:發明
    國別省市:廣東;44

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