CMP后的清洗方法技術

本發明專利技術揭示了一種CMP后的清洗方法，在鎢CMP工藝后清洗晶圓，所述CMP后的清洗方法包括：第一步，采用氫氟酸清洗所述晶圓；第二步，采用氨水清洗所述晶圓。采用本發明專利技術的清洗方法對鎢CMP后的晶圓進行清洗，能夠有效地清洗CMP過程中的化學殘留物，得到的晶圓缺陷少，產品的良率高。

【技術實現步驟摘要】
【專利摘要】本專利技術揭示了一種CMP后的清洗方法，在鎢CMP工藝后清洗晶圓，所述CMP后的清洗方法包括：第一步，采用氫氟酸清洗所述晶圓；第二步，采用氨水清洗所述晶圓。采用本專利技術的清洗方法對鎢CMP后的晶圓進行清洗，能夠有效地清洗CMP過程中的化學殘留物，得到的晶圓缺陷少，產品的良率高?！緦＠f明】CMP后的清洗方法
本專利技術涉及半導體制造領域，特別是涉及一種CMP后的清洗方法。
技術介紹
晶圓的清洗時半導體器件生產過程中非常重要的步驟，清洗地是否干凈直接影響 了器件的性能和良率，所以，在半導體器件的制備流程中，需要對晶圓進行多次清洗。 在現有的半導體制造工藝中，需要將金屬鎢（W)填充到接觸孔（CT)中，然后進行 平坦化。一般米用化學機械研磨（Chemical Mechanical Polishing,簡稱CMP)方法進行平 坦化工藝，然而，在CMP的過程中會產生很多殘留物（residue)，從而形成缺陷（defect)。所 以，CMP之后需要對晶圓（wafer)進行清洗，以減少缺陷。現有的清洗方法一般是在鎢CMP 工藝之后，先米用氨水（ΝΗ40Η)進行清洗晶圓，再米用氫氟酸（HF)清洗所述晶圓。 但是，在實際的操作過程中，發現現有的清洗方法并不能有效地去除鎢CMP工藝 之后的缺陷。如圖la和圖lb所不，其中，圖la為鶴CMP清洗后的缺陷分布圖，圖lb為鶴 CMP清洗并經氮化硅沉積后的缺陷分布圖。由圖la可以看出，鎢CMP清洗后的晶圓上的缺 陷數量多（大概5000個），且缺陷均勻分布于整個晶圓上；鎢CMP進行清洗后，需要對晶圓 沉積氮化硅，由圖lb可以看出，沉積氮化硅后的晶圓上的缺陷數量多（大概8000個），且缺 陷均勻分布于晶圓的邊緣位置。所以，如何提供一種CMP后的清洗方法，能夠減少鎢CMP清 洗后晶圓上的缺陷，已成為本領域技術人員需要解決的問題。
技術實現思路
本專利技術的目的在于，解決現有的鎢CMP清洗后晶圓上的缺陷多的問題。 為解決上述技術問題，本專利技術提供一種CMP后的清洗方法，包括： 第一步，提供一鶴CMP后的晶圓； 第二步，采用氫氟酸清洗所述晶圓； 第二步，米用氨水清洗所述晶圓。 進一步的，在所述第一步和第二步之間，還包括預清洗步驟。 進一步的，所述預清洗步驟包括： 采用去離子水漂洗所述晶圓。 進一步的，所述采用去離子水漂洗所述晶圓的時間為15秒?35秒。 進一步的，所述第二步包括： 采用氫氟酸刷洗所述晶圓； 采用去離子水漂洗所述晶圓。 進一步的，所述采用氫氟酸刷洗所述晶圓的時間為10秒?30秒。 進一步的，所述采用氫氟酸刷洗所述晶圓的步驟中，刷子的轉速為100轉/分? 700轉/分。 進一步的，所述采用去離子水漂洗所述晶圓的時間為35秒?60秒。 進一步的，所述第三步包括： 米用氨水漂洗所述晶圓。 進一步的，所述采用氨水漂洗所述晶圓的時間為40秒?70秒。 與現有技術相比，本專利技術提供的CMP后的清洗方法具有以下優點： 1、本專利技術的CMP后的清洗方法，包括在鎢CMP工藝后，先進行第二步，采用氫氟酸 清洗所述晶圓；再進行第三步，采用氨水清洗所述晶圓，與現有技術相比，采用本專利技術的清 洗方法對鎢CMP后的晶圓進行清洗，能夠有效地清洗CMP過程中的化學殘留物，得到的晶圓 缺陷少，產品的良率高。 2、本專利技術的CMP后的清洗方法還包括在所述第一步和第二步之間，還進行一預清 洗步驟，所述預清洗步驟包括，采用去離子水漂洗所述晶圓，可以進一步的減少晶圓的缺 陷，提商廣品的良率。 【專利附圖】【附圖說明】 圖la為現有技術中鎢CMP清洗后的缺陷分布圖； 圖lb為現有技術中鎢CMP清洗并經氮化硅沉積后的缺陷分布圖； 圖2為本專利技術一實施例的CMP后的清洗方法的流程圖； 圖3a為本專利技術第二實施例的鎢CMP清洗后的缺陷分布圖； 圖3b為本專利技術第二實施例的鎢CMP清洗并經氮化硅沉積后的缺陷分布圖； 圖4a為本專利技術第三實施例的鎢CMP清洗后的缺陷分布圖； 圖4b為本專利技術第三實施例的鎢CMP清洗并經氮化硅沉積后的缺陷分布圖； 圖5a為本專利技術第四實施例的鎢CMP清洗后的缺陷分布圖； 圖5b為本專利技術第四實施例的鎢CMP清洗并經氮化硅沉積后的缺陷分布圖。 【具體實施方式】 下面將結合示意圖對本專利技術的CMP后的清洗方法、晶圓硅片的刻蝕方法及其應用 進行更詳細的描述，其中表示了本專利技術的優選實施例，應該理解本領域技術人員可以修改 在此描述的本專利技術，而仍然實現本專利技術的有利效果。因此，下列描述應當被理解為對于本領 域技術人員的廣泛知道，而并不作為對本專利技術的限制。 為了清楚，不描述實際實施例的全部特征。在下列描述中，不詳細描述公知的功能 和結構，因為它們會使本專利技術由于不必要的細節而混亂。應當認為在任何實際實施例的開 發中，必須做出大量實施細節以實現開發者的特定目標，例如按照有關系統或有關商業的 限制，由一個實施例改變為另一個實施例。另外，應當認為這種開發工作可能是復雜和耗費 時間的，但是對于本領域技術人員來說僅僅是常規工作。 在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本專利技術。根據下面說明和權利要 求書，本專利技術的優點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非 精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本專利技術實施例的目的。 本專利技術的核心思想在于，提供一種CMP后的清洗方法，在鎢CMP工藝后，先進行第 二步，采用氫氟酸清洗所述晶圓；再進行第三步，采用氨水清洗所述晶圓。采用本專利技術的清 洗方法對鎢CMP后的晶圓進行清洗，能夠有效地清洗CMP過程中的化學殘留物，得到的晶圓 缺陷少，產品的良率高。 結合上述核心思想，本專利技術提供一種CMP后的清洗方法，在鎢CMP工藝后清洗晶 圓，參考圖2,圖2為本專利技術一實施例的晶圓硅片的刻蝕方法的流程圖。 首先，進行第一步S11，提供一鎢CMP后的晶圓。 然后，進行第二步S12,采用氫氟酸清洗所述晶圓。其中，第一步S11可以包含兩個 子步： 第一子步，采用氫氟酸刷洗所述晶圓，其中，刷洗的過程會使用刷子（brush)，此為 本領域的公知常識，在此不做贅述。在第一子步中，刷子的轉速為100轉/分?700轉/分， 如300轉/分、500轉/分，所述采用氫氟酸刷洗所述晶圓的時間為10秒?30秒，如15秒、 20秒、25秒，但并不限于10秒?30秒，只要可以保證清洗地比較干凈，又不會過度清洗，亦 在本專利技術的思想范圍之內； 第二子步，采用去離子水漂洗所述晶圓，其中，漂洗的過程會不使用刷子，此為本 領域的公知常識，在此不做贅述。其中，所述采用去離子水漂洗所述晶圓的時間為35秒? 60秒，如40秒、50秒、55秒，但并不限于35秒?60秒，只要可以保證將所述第一子步中的 氫氟酸清洗干凈，亦在本專利技術的思想范圍之內。 接著，進行第三步S13,采用氨水清洗所述晶圓，其中，采用氨水漂洗所述晶圓，不 使用刷子，所述采用氨水漂洗所述晶圓的時間為40秒?70秒，如50秒、55秒、60秒，但并 不限于40秒?70秒，只要可以保證清本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種CMP后的清洗方法，包括：第一步，提供一鎢CMP后的晶圓；第二步，采用氫氟酸清洗所述晶圓；第三步，采用氨水清洗所述晶圓。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：唐強，孫濤，
申請(專利權)人：中芯國際集成電路制造上海有限公司，
類型：發明
國別省市：上海;31