開環易位聚合物氫化物的制造方法及樹脂組合物技術

本發明專利技術涉及一種開環易位聚合物氫化物的制造方法、以及含有通過該制造方法得到的開環易位聚合物氫化物的樹脂組合物。所述開環易位聚合物氫化物的制造方法包括：使環狀烯烴在聚合催化劑存在下進行開環易位聚合，然后，將生成的開環易位聚合物的碳-碳雙鍵的至少一部分氫化。該方法的特征在于，使用選自下述式(I)、(II)、(III)、(IV)中的至少一種釕化合物作為所述聚合催化劑。根據本發明專利技術，能夠提供尤其是能夠以工業上有利的方式制造透光率優異的開環易位聚合物氫化物的方法。

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】【專利摘要】本專利技術涉及一種開環易位聚合物氫化物的制造方法、以及含有通過該制造方法得到的開環易位聚合物氫化物的樹脂組合物。所述開環易位聚合物氫化物的制造方法包括：使環狀烯烴在聚合催化劑存在下進行開環易位聚合，然后，將生成的開環易位聚合物的碳-碳雙鍵的至少一部分氫化。該方法的特征在于，使用選自下述式(I)、(II)、(III)、(IV)中的至少一種釕化合物作為所述聚合催化劑。根據本專利技術，能夠提供尤其是能夠以工業上有利的方式制造透光率優異的開環易位聚合物氫化物的方法。【專利說明】開環易位聚合物氫化物的制造方法及樹脂組合物
本專利技術涉及作為有機場致發光(EL)元件的像素分離膜及平坦化膜、薄膜晶體管的柵極絕緣膜及保護膜等的形成材料等而有用的開環易位聚合物氫化物的制造方法、以及含有上述開環易位聚合物氫化物的樹脂組合物。
技術介紹
以往，使用過渡金屬化合物作為催化劑的環狀烯烴的易位開環聚合方法已被廣泛公知。作為所述易位催化劑的中心金屬，除了元素周期表第6族的W、Mo以外，還已知有Nb、丁&、1^、21'、11、仙、08、11'等。其中，含釕的催化劑體系具有不易受到水、醇等催化劑失活成分的影響的優點，因此近年來，對這類催化劑的改良得到了大力發展。 例如，專利文獻I中公開了一種方法，其包括:使用配位有2個諸如三苯基膦、三環己基膦這樣的中性給電子體作為配體的芐叉合釕化合物，使環狀烯烴進行易位開環聚合，然后，向聚合反應液中添加改性劑以終止聚合，接著，在氫壓力下將環狀烯烴的開環聚合物氫化。 專利文獻2中公開了一種開環易位聚合物氫化物的制造方法，其包括:使用在釕上配位有至少I個含雜原子卡賓化合物的釕卡賓絡合物作為易位聚合催化劑使環狀烯烴進行開環易位聚合，然后將生成的開環易位聚合物的碳-碳雙鍵的至少一部分氫化。該文獻中，作為所使用的釕卡賓絡合物，公開了下述式(a)、(b)所示的釕化合物。 【權利要求】1.一種開環易位聚合物氫化物的制造方法，其包括:使環狀烯烴在聚合催化劑的存在下進行開環易位聚合，然后，將生成的開環易位聚合物的碳-碳雙鍵的至少一部分氫化，在該方法中，作為所述聚合催化劑，使用選自下述式(I)、(II)、(III)、(IV)中的至少一種釕化合物，式中，X1~X8各自獨立地表示鹵原子或-O-(C = O)-Ra所示的基團，Ra表示任選具有取代基的C1-C2tl烷基， L1~L5各自獨立地表示給電子性的化合物配體， R0表示氫原子、鹵原子、硝基、氰基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、C1-C20烷硫基、三C1-C2tl烷基甲硅烷基、三C1-C2tl烷基甲硅烷氧基、任選具有取代基的C6-C2tl芳基、任選具有取代基的C6-C2tl芳氧基、任選具有取代基的C2-C2tl雜環基X1-C2tl烷基磺酰基、C1-C2tl烷基亞磺酰基、甲酰基、C1-C20烷基羰基、C1-C20烷氧基羰基、二 C1-C2tl烷基氨基甲酰基、二 C1-C2tl烷基脲基、或C1-C2tl烷基磺酰胺基， R1表示式:(Rbl) (Rb2)NSO2-所示的基團、甲酰基、C1-C20烷基羰基、C1-C20烷氧基羰基、式:(Rcl) (IT2)NCO-所示的基團、酰胺基、鹵原子、二C1-C2tl烷基脲基、或C1-C2tl烷基磺酰胺基，Rbl> Rcl表示氫原子、C1-C20烷基或任選具有取代基的芳基，Rb2> Rc2表示氫原子、C1-C20烷基、任選具有取代基的芳基、或式:G-D-所示的基團，且式:G-D-中，D表示連結基團、G表示高分子主鏈，另外，Rbl與Rb2、Rcl與R。2分別可以共同鍵合而形成環， R2、R3、R5、R6、R7、R1' R11、R12各自獨立地表示氫原子、齒原子、C1-C2tl烷基、C「C2(I烷氧基、c「c2(l烷硫基、三C1-C2tl烷基甲硅烷氧基、C6-C2tl芳氧基、C6-C2tl芳基、C2-C2tl雜環基、C「C2Q烷氧基羰基、二 C1-C2tl烷基氨基甲酰基、二 C1-C2tl烷基脲基、或C1-C2tl烷基磺酰胺基，R4、R8、R9、R13、R14、R15、R16各自獨立地表示氫原子、C1-C20烷基、C1-C2tl烷氧基、C1-C2tl烷硫基、三C1-C2tl烷基甲硅烷基、三C1-C2tl烷基甲硅烷氧基、任選具有取代基的C6-C2tl芳基、任選具有取代基的C6-C2tl芳氧基、任選具有取代基的C2-C2tl雜環基、C1-C20烷基磺酰基、C1-Cm烷基亞磺酰基X1-C2tl烷基羰基、C1-C2tl烷氧基羰基、二 C1-C2tl烷基氨基甲酰基、二 C1-C2tl烷基脲基、C1-C20烷基磺酰胺基、或任選被鹵原子取代的C6-C2tl芳基羰基， Y1、Y2各自獨立地表示氧原子、硫原子、NRb或PRb，Rb表示氫原子或C1-C2tl烷基， Z表示式:-C(Rb) (R。)-所示的基團、或羰基，且式:_C(Rb) (R。)-中，Rb、R。各自獨立地表示氫原子、C1-C6烷基、或鹵代C1-C6烷基。2.根據權利要求1所述的制造方法，其中，使開環易位聚合物的碳-碳雙鍵的至少98%氫化。3.根據權利要求1或2所述的制造方法，其中，所述釕化合物是式(I)、(II)、(III)及(IV)中的L1~L5為下述式(1-1)~(1-3)中的任意配體的化合物，式(1-1)~(1-3)中的R17、R18各自獨立地表示氫原子、或任選包含鹵原子、氧原子、氮原子、硫原子、磷原子、硅原子的C1~C2tl烴基，R19~R22各自獨立地表示氫原子、C1-C10烷基，R23~R25各自獨立地表示C1-C2tl烷基、C1-C20烷氧基、C3-C20環烷基、任選具有取代基的C6-C20芳基、任選具有取代基的C6-C2tl芳氧基、或任選具有取代基的C2-C2tl雜環基。4.根據權利要求1~3中任一項所述的制造方法，其中，所述式(I)所示的釕化合物為下述式(ι-1)所示的化合物，式(1-1)中，L1、R°~R4表不與上述相同的含義。5.根據權利要求1~3中任一項所述的制造方法，其中，所述式(I)所示的釕化合物為下述式(1-2)所示的化合物，式(1-2)中，L1、R°、R2~R4、Rbl及Rb2表示與上述相同的含義。6.根據權利要求1~3中任一項所述的制造方法，其中，所述式(I)所示的釕化合物為下述式(1-3)所示的化合物，_ 式(1-3)中，R°、R2~R4、R17、R18、Rbl及Rb2表示與上述相同的含義。7.根據權利要求1~3中任一項所述的制造方法，其中，所述式(I)所示的釕化合物為下述式(1-4)所示的化合物，式(1-4)中，R0、R2~R4、R23~R25、Rbl及Rb2表示與上述相同的含義。8.根據權利要求1~3中任一項所述的制造方法，其中，所述式(II)所示的釕化合物為下述式(i1-ι)所示的化合物，式(I1-1)中，R5~R9、R17、R18及Z表示與上述相同的含義。9.根據權利要求1~3中任一項所述的制造方法，其中，所述式(II)所示的釕化合物為下述式(I1-2)所示的化合物，式(I 1-2)中，R8、R9、R17及R18表示與上述相同的含義。10.根據權利本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種開環易位聚合物氫化物的制造方法，其包括：使環狀烯烴在聚合催化劑的存在下進行開環易位聚合，然后，將生成的開環易位聚合物的碳?碳雙鍵的至少一部分氫化，在該方法中，作為所述聚合催化劑，使用選自下述式(I)、(II)、(III)、(IV)中的至少一種釕化合物，式中，X1～X8各自獨立地表示鹵原子或?O?(C＝O)?Ra所示的基團，Ra表示任選具有取代基的C1?C20烷基，L1～L5各自獨立地表示給電子性的化合物配體，R0表示氫原子、鹵原子、硝基、氰基、C1?C20烷基、C1?C20烷氧基、C1?C20烷硫基、三C1?C20烷基甲硅烷基、三C1?C20烷基甲硅烷氧基、任選具有取代基的C6?C20芳基、任選具有取代基的C6?C20芳氧基、任選具有取代基的C2?C20雜環基、C1?C20烷基磺酰基、C1?C20烷基亞磺酰基、甲酰基、C1?C20烷基羰基、C1?C20烷氧基羰基、二C1?C20烷基氨基甲酰基、二C1?C20烷基脲基、或C1?C20烷基磺酰胺基，R1表示式:(Rb1)(Rb2)NSO2?所示的基團、甲酰基、C1?C20烷基羰基、C1?C20烷氧基羰基、式:(Rc1)(Rc2)NCO?所示的基團、酰胺基、鹵原子、二C1?C20烷基脲基、或C1?C20烷基磺酰胺基，Rb1、Rc1表示氫原子、C1?C20烷基或任選具有取代基的芳基，Rb2、Rc2表示氫原子、C1?C20烷基、任選具有取代基的芳基、或式:G?D?所示的基團，且式:G?D?中，D表示連結基團、G表示高分子主鏈，另外，Rb1與Rb2、Rc1與Rc2分別可以共同鍵合而形成環，R2、R3、R5、R6、R7、R10、R11、R12各自獨立地表示氫原子、鹵原子、C1?C20烷基、C1?C20烷氧基、C1?C20烷硫基、三C1?C20烷基甲硅烷氧基、C6?C20芳氧基、C6?C20芳基、C2?C20雜環基、C1?C20烷氧基羰基、二C1?C20烷基氨基甲酰基、二C1?C20烷基脲基、或C1?C20烷基磺酰胺基，R4、R8、R9、R13、R14、R15、R16各自獨立地表示氫原子、C1?C20烷基、C1?C20烷氧基、C1?C20烷硫基、三C1?C20烷基甲硅烷基、三C1?C20烷基甲硅烷氧基、任選具有取代基的C6?C20芳基、任選具有取代基的C6?C20芳氧基、任選具有取代基的C2?C20雜環基、C1?C20烷基磺酰基、C1?C20烷基亞磺酰基、C1?C20烷基羰基、C1?C20烷氧基羰基、二C1?C20烷基氨基甲酰基、二C1?C20烷基脲基、C1?C20烷基磺酰胺基、或任選被鹵原子取代的C6?C20芳基羰基，Y1、Y2各自獨立地表示氧原子、硫原子、NRb或PRb，Rb表示氫原子或C1?C20烷基，Z表示式:?C(Rb)(Rc)?所示的基團、或羰基，且式:?C(Rb)(Rc)?中，Rb、Rc各自獨立地表示氫原子、C1?C6烷基、或鹵代C1?C6烷基。...

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】...

【專利技術屬性】
技術研發人員：堤隆志，田口和典，大迫由美，
申請(專利權)人：日本瑞翁株式會社，
類型：發明
國別省市：日本;JP