一種氮化物螢光材料，此螢光材料通式為(M1-x-yAx)(Al1-xSi1+x)N3:Euy，其中M=Mg、Ca、Sr、Ba、Zn;A=Li、Na;0<y<0.5及0<x<0.5。
【技術實現步驟摘要】
【專利摘要】一種氮化物螢光材料，此螢光材料通式為(Mh_yAx)(AlhSi1+x)N3:Euy，其中M=Mg、Ca、Sr、Ba、Zn;A=Li、Na;0〈y〈0.5及0<x<0.5。【專利說明】
-種氮化物螢光材料，此螢光材料通式為（Mh_yAx) (AlhSiltx)N3:Euy，其中M=Mg、 Ca、Sr、Ba、Zn;A=Li、Na; 0〈y〈0. 5 及 0〈χ〈0· 5。
技術介紹
發光二極體（light-emittingdiode,LED)的發光原理是利用電子在η型半導體 與P型半導體間移動的能量差，以光的形式將能量釋放，這樣的發光原理有別于白熾燈發 熱的發光原理，因此發光二極體被稱為冷光源。 此外，發光二極體具有高耐久性、壽命長、輕巧、耗電量低等優點，因此現今的照明 市場對于發光二極體寄予厚望，將其視為新一代的照明工具，已逐漸取代傳統光源，并且應 用于各種領域，如交通號志、背光模組、路燈照明、醫療設備等。 一般白光的產生是通過藍光LED激發鈰摻雜的釔鋁石榴石（Cerium-doped yttriumaluminumgarnet;YAG:Ce)螢光粉產生黃色螢光后混合形成白光，然而此種白光 發光二極體為冷白光，其演色性較低。目前白光發光二極體除使用藍色二極體搭配黃色螢 光粉外，亦有藍光二極體搭配綠色、紅色螢光粉以及紫外光發光二極體（UV-LED)搭配藍綠 紅三色螢光粉等混成白光方式，其中UV-LED搭配三色螢光粉具有較佳的演色性，故開發適 合紫外光激發的藍色、綠色與紅色螢光粉為目前物重要的研究課題。
技術實現思路
-種氮化物螢光材料，此螢光材料通式為（M1^Ax) (AVxSiltx)N3:Euy，其中M=Mg、 Ca、Sr、Ba、Zn;A=Li、Na; 0〈y〈0. 5 及 0〈χ〈0· 5。 【專利附圖】【附圖說明】 圖1是顯示本專利技術第一實施例所制備的CaQ^AlhGaxSiN^EuQ.c^O^O· 00-0· 25) 紅色氮化物螢光粉的X光粉末衍射圖譜。 圖2是顯示本專利技術第一實施例所制備的CaQ^AlhGaxSiN^EuQ.c^O^O· 00-0· 25) 紅色氮化物螢光粉的激發光譜圖。 圖3是顯示本專利技術第一實施例所制備的CaQ^AlhGaxSiN^EuQ.c^O^O· 00-0· 25) 紅色氮化物螢光粉的放射光譜圖。 圖4是顯示本專利技術第一實施例所制備的CaQ^AlhGaxSiN^EuQ.c^O^O· 00-0· 25) 紅色氮化物螢光粉的歸一化放射光譜圖。 圖5是顯示本專利技術的第一實施例所制備的CaaiAlhGaJiN^EuaiO^O· 00-0· 25 )紅色氮化物螢光粉的CIE色度座標圖。 圖6是顯示本專利技術的第一實施例所制備的（Caa995_xLix) (AlhSi1+x) N3:EuaCltl5U=O. 00-0. 15)紅色氮化物螢光粉的放光強度隨溫度變化的相對強度比較圖。 圖7是顯示本專利技術第一實施例所制備的（CaQ.995_xLix) (AlhSi1+x) N3:Eua(l(l5(X=0.00-0. 15)紅色氮化物螢光粉的X光粉末衍射圖譜。 圖8是顯示本專利技術第二實施例所制備的（CaQ.995_xLix) (AlhSi1+x) N3:Eu_5(x=0.00-0. 15)紅色氮化物螢光粉的激發光譜圖。 圖9是顯示本專利技術第二實施例所制備的（CaQ.995_xLix) (AlhSi1+x) N3:Eua(l(l5(X=0.00-0. 15)紅色氮化物螢光粉的放射光譜圖。 圖10是顯示本專利技術第二實施例所制備的（CaQ.995_xLix) (AlhSi1+x) N3:Eua(l(l5(X=0.00-0. 15)紅色氮化物螢光粉的歸一化放射光譜圖。 圖11是顯示本專利技術的第二實施例所制備的（CaQ.995_xLix) (AlhSi1+x) N3:EuaCltl5U=O. 00-0. 15)紅色氮化物螢光粉的放光強度隨溫度變化的相對強度比較圖。 圖12是顯示本專利技術的第二實施例的離子鍵結強度示意圖。 實施方式 本專利技術揭示一種氮化物螢光材料，為了使本專利技術的敘述更加詳盡與完備，請參照 下列描述并配合圖1至圖12的圖示。 本專利技術第一實施例揭示一氮化物螢光材料，其通式為Mpy (AlpxGax)SiN3 =Euy，其中 M=Mg、Ca、Sr、Ba、Zn;0〈y〈0. 5、0〈x〈0. 5,此螢光材料主要以銪（Eu)為發光中心。制備方法 包括：將包含有二族元素的氮化物、包含有鋁的氮化物、包含有硅的氮化物、包含有銪（Eu) 的氮化物及氮化鎵混合成混合物及加熱燒結形成氮化物螢光材料。 以下本專利技術的第一實施例中，說明Caa995AlhGaxSiN3 =Euatltl5螢光粉配方與制備過 程，并提供一不加入氮化鎵制備的比較例，而樣品1至5加入適量的氮化鎵，分別為X=O. 05、 0. 1、0. 15、0. 2與0. 25,其制作方法如下： -、制作比較例=Caa995AlhGaxSiN3 =Euacitl5,χ=0· 00 使用的原料包括Ca3N2、AIN、Si3N4與EuN，稱取適當量的上述原料于研缽均勻混合 研磨后，以固態合成法，置于溫度為1700°C，氮氣壓力為0. 48MPa的環境下燒結4小時，可得 一本專利技術第一實施例的紅色螢光粉比較例。在一實施例中，燒結溫度可介于1500-2200°C， 燒結的氮氣壓力可介于〇· 3-1.OMPa。 二、制作樣品1至5 =Caa995AlhGaxSiN3 =Euatltl5，其加入適當量的氮化鎵，分別為 χ=0· 05、0· 1、0· 15、0· 2 與 0· 25。 使用的原料包括Ca3N2、AlN、Si3N4與EuN，并加入適當量的氮化鎵，稱取適當量的上 述原料于研缽均勻混合研磨后，以固態合成法，置于溫度為1800°C，氮氣壓力為0. 48MPa的 環境下燒結4小時，可得一本專利技術第一實施例的紅色螢光粉樣品1至5。在一實施例中，燒 結溫度可介于1500-2200°C，燒結的氮氣壓力可介于0· 3-1.OMPa。 圖1是顯示本專利技術第一實施例所制備的Cad.s^AUaxSiN^Eu。.。。；^=。.00-0. 2 5)紅色氮化物螢光粉的X光粉末衍射圖譜，如圖1所示，將本專利技術合成的螢光粉與標準 CaAlSiN3化合物的X光粉末衍射圖譜比較，可鑒定本專利技術所合成的螢光粉為純相。 圖2是顯示本專利技術第一實施例所制備的CaQ^AlhGaxSiN^EuQ.c^O^O· 00_0· 25) 紅色氮化物螢光粉的的激發光譜圖，如圖2所示，其樣品可有效被紫外光-藍光晶片所激 發。在一實施例中，其激發波長可介于330-550nm，且可由發光二極體或等離子體產生。 圖3是顯示本專利技術第一實施例所制備的CaQ^AlhGaxSiN^EuQ.c^O^O· 00_0· 25) 紅色氮化物螢光粉的放射光譜圖；圖4是顯示本專利技術第一實施例所制備的Caa995AlhGaxS iN3:EuaCltl5U=O. 00-0. 25)紅色氮化物螢光粉的歸一化放射光譜圖，本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種氮化物螢光材料，該螢光材料通式為(M1?x?yAx)(Al1?xSi1+x)N3:Euy，其中M=Mg、Ca、Sr、Ba、Zn;A=Li、Na;0<y<0.5及0<x<0.5。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：劉如熹，王筱姍，
申請(專利權)人：晶元光電股份有限公司，
類型：發明
國別省市：中國臺灣;71
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