一種應用于LDO的過流保護電路制造技術

本實用新型專利技術公開了一種應用于LDO的過流保護電路，它包括LDO芯片，MOS管M1－M9、MP1、MP2，保險電阻R1、R2、RF1、RF2，其中，所述的LDO芯片輸出端分別連接MP1、M1、M2、M3、M4的柵極和MP2的漏極，M1的漏極連接M2的源極，M2的漏極連接M3的源極，M3的漏極連接M4的源極，M4的漏極連接M5的源極，M5的柵極、M8的柵極、M8的漏極、M7的漏極相連接，RF1的另一端連接RF2和LDO芯片的反饋輸入負極。本實用新型專利技術的有益效果是：當功率調整管電流增大到某一定值時，與LDO輸出端相連的MOS管打開，抽取輸出端電流，防止反饋支路電流過大，達到了過流保護的目的。（*該技術在2024年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】
【專利摘要】本技術公開了一種應用于LD0的過流保護電路，它包括LD0芯片，M0S管Ml—M9、MP1、MP2，保險電阻Rl、R2、RF1、RF2，其中，所述的LD0芯片輸出端分別連接MP1、Ml、M2、M3、M4的柵極和MP2的漏極，Ml的漏極連接M2的源極，M2的漏極連接M3的源極，M3的漏極連接M4的源極，M4的漏極連接M5的源極，M5的柵極、M8的柵極、M8的漏極、M7的漏極相連接，RF1的另一端連接RF2和LD0芯片的反饋輸入負極。本技術的有益效果是：當功率調整管電流增大到某一定值時，與LD0輸出端相連的M0S管打開，抽取輸出端電流，防止反饋支路電流過大，達到了過流保護的目的。【專利說明】—種應用于LDO的過流保護電路
本技術涉及一種應用于LDO的過流保護電路，屬于電子
。
技術介紹
隨著半導體工藝技術的提高以和便攜式電子產品的迅猛發展，電源IC(集成電路）有了長足的進展。電源IC產品主要包括線性穩壓器（LDO)、開關電源、AC/DC穩壓器(交流/直流穩壓器）以及功率因數校正（PFC)預穩器等。而其中線性穩壓器是最常用的電源管理芯片，由于線性穩壓器使用方便、體積小、性能良好和可靠性高等優點，所以在電源管理市場中占有很大比重。由于LDO芯片工作時所消耗的功耗取決于輸入電壓、負載等外部條件，在某些異常情況下，芯片內部的功耗會變得很大，導致短路大電流會使功率調整管被燒壞。
技術實現思路
本技術的目的在于提供一種應用于LDO的過流保護電路，克服現有技術的不足，起到過流保護的作用。 本技術的目的是通過以下技術方案來實現的：一種應用于LDO的過流保護電路，它包括LDO芯片，MOS管M1-M9、MPl、MP2，保險電阻RU R2、RFl、RF2，其中，所述的LDO芯片輸出端分別連接MP1、M1、M2、M3、M4的柵極和MP2的漏極，MP1、M1、MP2的源極和R2相連為電路的電壓輸入點，MPl的漏極連接RFl和Rl為電路的輸出點，Ml的漏極連接M2的源極，M2的漏極連接M3的源極，M3的漏極連接M4的源極，M4的漏極連接M5的源極，M5的柵極、M8的柵極、M8的漏極、M7的漏極相連接，M8的源極連接Rl的另一端，M5的漏極、M6的漏極、M6的柵極、M7的柵極、M9的柵極相連接，M9、M6、M7的源極接地，RFl的另一端連接RF2和LDO芯片的反饋輸入負極，LDO芯片的正極輸入基準電壓，RF2的另一端接地，M9的漏極連接R2的另一端和MP2的柵極。 所述的MOS管M1-M4的尺寸相同。 本技術的有益效果在于：當功率調整管電流增大到某一定值時，與LDO輸出端相連的MOS管打開，抽取輸出端電流，防止反饋支路電流過大，達到了過流保護的目的。 【專利附圖】【附圖說明】 圖I為本技術的電路圖。 【具體實施方式】 下面結合附圖進一步描述本技術的技術方案，但要求保護的范圍并不局限于所述。 如圖1，一種應用于0)0的過流保護電路，它包括0)0芯片，1?)5管肌-]\19、]\^1、]\^2，保險電阻Rl、R2、RF1、RF2，其中，所述的LDO芯片輸出端分別連接MPl、Ml、M2、M3、M4的柵極和MP2的漏極，MP1、M1、MP2的源極和R2相連為電路的電壓輸入點，MPl的漏極連接RFl和Rl為電路的輸出點，Ml的漏極連接M2的源極，M2的漏極連接M3的源極，M3的漏極連接M4的源極，M4的漏極連接M5的源極，M5的柵極、M8的柵極、M8的漏極、M7的漏極相連接，M8的源極連接Rl的另一端，M5的漏極、M6的漏極、M6的柵極、M7的柵極、M9的柵極相連接，M9、M6、M7的源極接地，RFl的另一端連接RF2和LDO芯片的反饋輸入負極，LDO芯片的正極輸入基準電壓，RF2的另一端接地，M9的漏極連接R2的另一端和MP2的柵極。 所述的MOS管Ml — M4的尺寸相同。 其中，M4和M5之間設置有一個參考電壓點Q，M5、M8的作用是箝位Q點電壓與輸出電壓V0UT，功率調整管接入輸出電壓V0UT，從而使得M1-M4的VDS電壓與功率調整管接近，保證鏡像精度，使之能夠更準確的感應功率調整管的電流。M1-M4管是4個串聯在一起的尺寸相同管子，串聯的目的是為了減少靜態電流，而且與功率調整管尺寸相匹配，用來感應功率調整管的電流，當功率調整管電流增大到一定程度時，M5的電流也增大，M6的柵極電壓增大，從輸出端抽取電流，使得反饋支路電流不至于過大，同時由于M6的柵極電壓增大使得M9導通，同時MPl導通，給MPl柵極的VG點注入電流從而MPl柵極的VG點電壓升高，此時功率調整管電流減少，防止了功率調整管因為大電流而被燒壞，從而實現了功率調整管過流保護的作用。【權利要求】1.一種應用于LDO的過流保護電路，其特征在于：它包括LDO芯片，MOS管M1-M9、MP1、MP2，保險電阻Rl、R2、RFU RF2，其中，所述的LDO芯片輸出端分別連接MP1、Ml、M2、M3、M4的柵極和MP2的漏極，MP1、M1、MP2的源極和R2相連并作為電路的電壓輸入點，MPl的漏極連接RFl和Rl為電路的輸出點，Ml的漏極連接M2的源極，M2的漏極連接M3的源極，M3的漏極連接M4的源極，M4的漏極連接M5的源極，M5的柵極、M8的柵極、M8的漏極、M7的漏極相連接，M8的源極連接Rl的另一端，M5的漏極、M6的漏極、M6的柵極、M7的柵極、M9的柵極相連接，M9、M6、M7的源極接地，RFl的另一端連接RF2和LDO芯片的反饋輸入負極，LDO芯片的正極輸入基準電壓，RF2的另一端接地，M9的漏極連接R2的另一端和MP2的柵極。2.根據權利要求I所述的應用于LDO的過流保護電路，其特征在于：所述的MOS管M1-M4的尺寸相同。【文檔編號】G05F1/569GK204028740SQ201420404374【公開日】2014年12月17日 申請日期:2014年7月21日 優先權日:2014年7月21日 【專利技術者】楊潔, 彭僑, 鄒江, 陽芝林 申請人:遵義師范學院本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種應用于LDO的過流保護電路，其特征在于：它包括LDO芯片，MOS管M1?M9、MP1、MP2，保險電阻R1、R2、RF1、RF2，其中，所述的LDO芯片輸出端分別連接MP1、M1、M2、M3、M4的柵極和MP2的漏極，MP1、M1、MP2的源極和R2相連并作為電路的電壓輸入點，MP1的漏極連接RF1和R1為電路的輸出點，M1的漏極連接M2的源極，M2的漏極連接M3的源極，M3的漏極連接M4的源極，M4的漏極連接M5的源極，M5的柵極、M8的柵極、M8的漏極、M7的漏極相連接，M8的源極連接R1的另一端，M5的漏極、M6的漏極、M6的柵極、M7的柵極、M9的柵極相連接，M9、M6、M7的源極接地，RF1的另一端連接RF2和LDO芯片的反饋輸入負極，LDO芯片的正極輸入基準電壓，RF2的另一端接地，M9的漏極連接R2的另一端和MP2的柵極。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：楊潔，彭僑，鄒江，陽芝林，
申請(專利權)人：遵義師范學院，
類型：新型
國別省市：貴州;52