用于制造磁記錄介質及其保護膜的方法技術

本發明專利技術提供用于產生保護膜的方法，該方法可用于制造磁記錄介質，該方法包括步驟：(a)提供形成在所述襯底上的磁性層；以及(b)通過使用特定低飽和烴氣和特定低不飽和烴氣的混合氣作為源氣體的等離子體CVD方法在該磁性層上形成保護膜，其中步驟(b)包括在該磁性層上形成第一保護膜的步驟(b-1)以及在該第一保護膜上形成第二保護膜的步驟(b-2)，步驟(b-1)是通過使用源氣體的等離子體CVD方法執行的，在該源氣體中，氣體混合比被調節以使在源氣體中相對每個碳原子氫原子的平均數變得大于2.5但小于3.0，并且步驟(b-2)是通過使用源氣體的等離子體CVD方法執行的，在該源氣體中，氣體混合比被調節以使在源氣體中相對每個碳原子氫原子的平均數變得大于2.0但小于2.5。

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】【專利摘要】本專利技術提供用于產生保護膜的方法，該方法可用于制造磁記錄介質，該方法包括步驟：(a)提供形成在所述襯底上的磁性層；以及(b)通過使用特定低飽和烴氣和特定低不飽和烴氣的混合氣作為源氣體的等離子體CVD方法在該磁性層上形成保護膜，其中步驟(b)包括在該磁性層上形成第一保護膜的步驟(b-1)以及在該第一保護膜上形成第二保護膜的步驟(b-2)，步驟(b-1)是通過使用源氣體的等離子體CVD方法執行的，在該源氣體中，氣體混合比被調節以使在源氣體中相對每個碳原子氫原子的平均數變得大于2.5但小于3.0，并且步驟(b-2)是通過使用源氣體的等離子體CVD方法執行的，在該源氣體中，氣體混合比被調節以使在源氣體中相對每個碳原子氫原子的平均數變得大于2.0但小于2.5。【專利說明】 專利技術背景 1.
本公開涉及一種用于制造磁記錄介質和適于制造磁記錄介質的保護膜的方法。 2.現有技術描述 為了改進硬盤驅動器（HDD)的記錄密度，不僅需要改善其磁記錄層，而且還需要 減少磁記錄層和用于讀/寫信息的磁頭之間的距離（磁間距）。因此，已使用技術以減少形 成在磁記錄層上的保護膜的厚度、減少形成在保護膜上的潤滑薄膜的厚度、減少磁頭的飛 行高度，還有稱為按要求飛行（flying on demand) (FOD)技術，它使得磁頭的讀/寫元件部 分突出以減少有效飛行厚度。 在所有這些技術中，減少磁記錄介質中的保護膜的厚度是相當重要的。日本專利 申請公開No. 2010-205323提出一種用于減小保護膜的厚度的技術。
技術實現思路
然而，最近的保護膜要求厚度減少并能夠通過與潤滑層的結合而進一步適用于 FOD和其它技術。 因此，本專利技術的一個目的是提供磁記錄介質，該磁記錄介質能進一步實現減少保 護膜的厚度并進一步適用于FOD和其它技術而不損害磁記錄介質的可靠性，諸如抗蝕性和 耐久性。 為了實現上述目的，本申請的專利技術提供一種制造保護膜的方法，該方法可用于制 造一磁記錄介質，該磁記錄介質具有：襯底，形成在該襯底上的磁性層，形成在該磁性層上 的保護膜，以及形成在該保護膜上的潤滑層，該方法包括下列步驟： (a)提供形成在該襯底上的磁性層；以及 (b)通過使用低飽和烴氣和低不飽和烴氣的混合氣作為源氣體的等離子體CVD方 法在該磁性層上形成保護膜， 其中該低飽和烴氣選自包括如下項的組：甲烷、乙烷、丙烷、丁烷、以及它們中的兩 項或更多項的混合物， 該低不飽和烴氣選自包括如下項的組：乙烯、丙烯、丁烯、丁二烯、以及它們中的兩 項或更多項，并且 步驟（b)包括在該磁性層上形成第一保護膜的步驟（b_l)以及在該第一保護膜上 形成第二保護膜的步驟（b_2)， 步驟（b-1)是通過使用源氣體的等離子體CVD方法執行，在源氣體中，調節低飽和 烴氣和低不飽和烴氣之間的混合比以使在源氣體中相對每個碳原子氫原子的平均數變得 大于2. 5但小于3. 0,以及 步驟（b-2)通過使用源氣體的等離子體CVD方法執行，在源氣體中，調節低飽和烴 氣和低不飽和烴氣之間的混合比以使在源氣體中相對每個碳原子氫原子的平均數變得大 于2. 0但小于2. 5。 【具體實施方式】 A.用于制造保護膜的方法，該方法可用于制造磁記錄介質。 根據本申請的專利技術的用于制造保護膜的方法，它可用來制造磁記錄介質，該方法 具有下列步驟： (a)提供被形成在襯底上的磁性層；以及 (b)通過使用低飽和烴氣和低不飽和烴氣作為源氣體的等離子體CVD在該磁性層 上形成保護膜。 (1)步驟（a)通過步驟（a)提供在其上形成保護膜的磁性層。 (1-1) 磁性層被形成在襯底上。襯底優選地是非磁性的并可由傳統地用于制造磁記錄層 的任何材料制成。襯底可由例如鍍Ni-P的鋁合金、玻璃、陶瓷、塑料、或硅制成。 (1-2) 通過在襯底上層疊金屬薄膜層而形成磁性層，且該磁性層并包括至少磁記錄層。 磁記錄層可使用諸如包含至少Co和Pt的合金的鐵磁材料形成。期望鐵磁材料的 易磁化軸被取向在執行磁記錄的方向上。例如，當執行垂直磁記錄時，磁記錄層的材料的易 磁化軸需要被取向在與記錄介質的表面垂直的 方向上（即，垂直于襯底的主平面）。 進一步優選的是，磁記錄層是由單層或多層構成的垂直磁記錄層，它使用具有顆 粒結構的材料形成的，該顆粒結構具有散布在非磁性氧化物基質或非磁性氮化物基質中的 磁性晶粒。此處可使用的晶粒結構的材料的示例包括CoPt-Si0 2、CoCrPtO、CoCrPt-Si02、 CoCrPt-Ti02、CoCrPt-Al 203、CoPt-AIN、和 CoCrPt-Si3N4，但不限于此。在本申請的專利技術中， 就增進垂直磁記錄層中彼此相鄰的磁性晶粒之間的磁間隔、降低噪聲、和改進介質的特性 (例如其SNR和記錄分辨率）這些方面而言，使用具有顆粒結構的材料是優選的。 注意，磁記錄層可使用技術中已知的任何方法來實現，諸如濺射方法（DC磁控管 濺射方法、RF磁控管濺射方法等）或真空蒸鍍方法。 (1-3) 上述（1-2)中提到的磁性層可任選地包括非磁性下層、軟磁層、籽晶層、中間層、 以及位于磁記錄層和襯底之間的其它層。這些層可以是磁性或非磁性層。 非磁性下層 非磁性下層可使用包括Cr的非磁性材料形成，諸如Ti或CrTi合金。 軟磁層 可使用諸如FeTaC或山達斯特（Sendust) (FeSiAl)合金之類的結晶材料；諸如 FeTaC、CoFeNi、或CoNiP之類的微晶材料；或包括諸如CoZrNdXoZrNb、或CoTaZr之類的Co 合金的非晶材料形成軟磁層。軟磁層用于以將由磁頭生產的垂直磁場集中到垂直磁記錄介 質的磁記錄層中。盡管軟磁層的薄膜厚度的最佳值取決于用于記錄的磁頭的結構或特性， 然而優選地軟磁層的薄膜厚度約為IOnm至500nm以與生產能力平衡。 籽晶層 可使用諸如 NiFeAl、NiFeSi、NiFeNb、NiFeB、NiFeNbB、NiFeMo、或 NiFeCr 之類的 坡莫合金材料；通過將Co添加至坡莫合金獲得的材料，諸如C〇NiFe、C 〇NiFeSi、C〇NiFeB、* CoNiFeNb ;Co ;或諸如CoBXoSi、CoNi、或CoFe之類的基于Co的合金，形成籽晶層。優選的 是，籽晶層足夠厚以控制磁記錄層的結晶結構并一般具有至少3nm但不大于50nm的薄膜厚 度。 中間層 中間層可使用Ru或主要含Ru的合金形成。優選的是，中間層一般具有至少0. Inm 但不大于20nm的薄膜厚度。在該范圍內的薄膜厚度可提供具有達到高密度記錄所需的特 性但不劣化磁記錄層的磁性質或磁記錄性質的磁記錄層。 注意，可使用技術中已知的任何方法來形成對于磁記錄層、非磁性下層、軟磁層、 籽晶層、和中間層，諸如濺射方法（DC磁控管濺射方法、RF磁控管濺射方法等）或真空蒸鍍 方法。 (2)步驟（b) 在步驟（b)中，在通過步驟（a)提供的磁性層上形成保護膜。 (2-1) 使用將烴氣用作源氣體的等離子體化學氣相沉積（CVD)方法來形成保護膜。在這 種方法中，源氣體被設置在等離本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種用于制造保護膜的方法，所述方法可用于制造磁記錄介質，所述磁記錄介質具有襯底，形成在所述襯底上的磁性層，形成在所述磁性層上的保護膜，以及形成在所述保護膜上的潤滑層，所述方法包括下列步驟：(a)提供形成在所述襯底上的所述磁性層；以及(b)通過使用低飽和烴氣和低不飽和烴氣的混合氣作為源氣體的等離子體CVD方法，在所述磁性層上形成所述保護膜；其中所述低飽和烴氣選自包括如下項的組：甲烷、乙烷、丙烷、丁烷、以及上述中兩項或更多項的混合物，所述低不飽和烴氣選自包括如下項的組：乙烯、丙烯、丁烯、丁二烯、以及上述中兩項或更多項的混合物，并且所述步驟(b)包括在所述磁性層上形成第一保護膜的步驟(b?1)以及在所述第一保護膜上形成第二保護膜的步驟(b?2)，所述步驟(b?1)是通過使用源氣體的等離子體CVD方法執行的，在所述源氣體中，調節所述低飽和烴氣和所述低不飽和烴氣之間的混合比以使在所述源氣體中相對于每個碳原子氫原子的平均數變得大于2.5但小于3.0，且所述步驟(b?2)是通過使用源氣體的等離子體CVD方法執行的，在所述源氣體中，調節所述低飽和烴氣和所述低不飽和烴氣之間的混合比以使所述源氣體中每碳原子的氫原子的平均數變得大于2.0但小于2.5。...

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】

【專利技術屬性】
技術研發人員：永田德久，
申請(專利權)人：富士電機馬來西亞有限公司，
類型：發明
國別省市：馬來西亞;MY