本發(fā)明專利技術(shù)涉及用于二嵌段聚合物的超薄對(duì)準(zhǔn)壁。根據(jù)本發(fā)明專利技術(shù)的一種方法包括提供具有厚壁陣列的預(yù)規(guī)則化襯底、在預(yù)規(guī)則化襯底上沉積共形層、從厚壁和壁之間的間隔的頂部蝕刻共形層，并蝕刻厚壁同時(shí)留下共形層的薄壁。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【專利摘要】本專利技術(shù)涉及用于二嵌段聚合物的超薄對(duì)準(zhǔn)壁。根據(jù)本專利技術(shù)的一種方法包括提供具有厚壁陣列的預(yù)規(guī)則化襯底、在預(yù)規(guī)則化襯底上沉積共形層、從厚壁和壁之間的間隔的頂部蝕刻共形層，并蝕刻厚壁同時(shí)留下共形層的薄壁。【專利說(shuō)明】用于二嵌段聚合物的超薄對(duì)準(zhǔn)壁本申請(qǐng)是國(guó)際申請(qǐng)?zhí)枮镻CT/US2009/064448，國(guó)際申請(qǐng)日為2009年11月13日，進(jìn)入中國(guó)國(guó)家階段申請(qǐng)?zhí)枮?00980145649.X，專利技術(shù)名稱為“用于二嵌段聚合物的超薄對(duì)準(zhǔn)壁”的專利技術(shù)專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。
技術(shù)介紹
超順磁效應(yīng)對(duì)繼續(xù)提高盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的面密度和存儲(chǔ)容量構(gòu)成嚴(yán)重挑戰(zhàn)。規(guī)避由此施加的密度限制的最有發(fā)展前途的方法之一是使用規(guī)則介質(zhì)。在常規(guī)的介質(zhì)中，磁性記錄層是自然地形成起獨(dú)立磁性元件作用的納米級(jí)晶粒的隨機(jī)馬賽克的磁性合金的薄膜。每個(gè)記錄的位由這些隨機(jī)晶粒中的多個(gè)組成。在圖案和介質(zhì)中，磁性層被創(chuàng)建為高度統(tǒng)一的島的有序陣列，每個(gè)島能儲(chǔ)存單個(gè)位。 在常規(guī)介質(zhì)中，在盤(pán)的圓形軌道上制造位單元。每個(gè)位單元包括多個(gè)微小的磁性晶粒。每個(gè)晶粒表現(xiàn)得像一個(gè)獨(dú)立的磁體，在數(shù)據(jù)寫(xiě)過(guò)程期間可由寫(xiě)磁頭使它的磁化倒轉(zhuǎn)。這些晶粒是不規(guī)則形狀的且隨機(jī)定向。如果晶粒的尺寸相對(duì)于位單元的尺寸小，則磁性轉(zhuǎn)變足夠直接從而容易檢測(cè)到相鄰的位單元之間的邊界。然而，縮小位單元以提高面密度而不縮小晶粒尺寸使磁性轉(zhuǎn)變更難以檢測(cè)。 解決這個(gè)問(wèn)題的傳統(tǒng)方案是縮小晶粒尺寸。然而，存在實(shí)際限制。很小的晶粒的磁化是不穩(wěn)定的。根據(jù)超順磁效應(yīng)，如果晶粒體積和它的各向異性能的乘積低于某個(gè)數(shù)值，那么晶粒的磁化能夠自發(fā)倒轉(zhuǎn)。其結(jié)果是數(shù)據(jù)丟失。 在規(guī)則介質(zhì)中，每個(gè)位被儲(chǔ)存在單個(gè)特意形成的磁性切換體中。這可以是一個(gè)晶粒或若干交換體耦合晶粒，而不是隨機(jī)去耦晶粒的集合。沿著具有規(guī)則間距的圓形軌道形成單切換體磁性島。磁性轉(zhuǎn)變不再在隨機(jī)晶粒之間彎曲，而是在精確定位的島之間有明顯邊界。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)的實(shí)施例提供一種方法，包括提供具有厚壁的陣列的預(yù)規(guī)則化襯底、在預(yù)規(guī)則化襯底上沉積共形層(conforming layer)、從厚壁和壁之間的間隔的頂部蝕刻共形層，并蝕刻厚壁同時(shí)留下共形層的薄壁。 在以下詳細(xì)描述中，僅通過(guò)對(duì)構(gòu)想為用于實(shí)施本專利技術(shù)的最佳模式的說(shuō)明來(lái)示出和描述本專利技術(shù)的優(yōu)選實(shí)施例。如將要認(rèn)識(shí)到的那樣，本專利技術(shù)能具有其它和不同的實(shí)施例，且本專利技術(shù)的細(xì)節(jié)能夠在各個(gè)明顯的方面進(jìn)行修改，這些修改都不背離本專利技術(shù)。因此，附圖和描述被認(rèn)為本質(zhì)上是說(shuō)明性而非限制性的。 附圖簡(jiǎn)沭 圖1是根據(jù)本專利技術(shù)的一個(gè)方面的制造規(guī)則存儲(chǔ)介質(zhì)的方法的示意圖。 圖2a是根據(jù)本專利技術(shù)的一個(gè)方面的制造用于對(duì)準(zhǔn)二嵌段共聚物的薄壁的方法的步驟的示意圖。 圖2b是根據(jù)本專利技術(shù)的一個(gè)方面的制造用于對(duì)準(zhǔn)二嵌段共聚物的薄壁的方法的步驟的示意圖。 圖2c是根據(jù)本專利技術(shù)的一個(gè)方面的制造用于對(duì)準(zhǔn)二嵌段共聚物的薄壁的方法的步驟的示意圖。 圖2d是根據(jù)本專利技術(shù)的一個(gè)方面的制造用于對(duì)準(zhǔn)二嵌段共聚物的薄壁的方法的步驟的示意圖。 圖3是根據(jù)本專利技術(shù)的一個(gè)方面的制造硬掩模的方法的步驟的平面圖。 圖4是根據(jù)本專利技術(shù)的一個(gè)方面的制造硬掩模的方法的步驟的平面圖。 圖5是根據(jù)本專利技術(shù)的一個(gè)方面的制造硬掩模的方法的步驟的平面圖。 圖6是根據(jù)本專利技術(shù)的一個(gè)方面的制造硬掩模的方法的步驟的平面圖。 圖7a是根據(jù)本專利技術(shù)的一個(gè)方面的制造納米壓模的方法的步驟的示意圖。 圖7b是根據(jù)本專利技術(shù)的一個(gè)方面的制造納米壓模的方法的步驟的示意圖。 圖7c是根據(jù)本專利技術(shù)的一個(gè)方面的制造納米壓模的方法的步驟的示意圖。 圖7d是根據(jù)本專利技術(shù)的一個(gè)方面的制造納米壓模的方法的步驟的示意圖。 圖7e是根據(jù)本專利技術(shù)的一個(gè)方面的制造納米壓模的方法的步驟的示意圖。 圖7f是根據(jù)本專利技術(shù)的一個(gè)方面的制造納米壓模的方法的步驟的示意圖。 圖7g是根據(jù)本專利技術(shù)的一個(gè)方面的制造納米壓模的方法的步驟的示意圖。 圖7h是根據(jù)本專利技術(shù)的一個(gè)方面的制造納米壓模的方法的步驟的示意圖。 圖7i是根據(jù)本專利技術(shù)的一個(gè)方面的制造納米壓模的方法的步驟的示意圖。 詳細(xì)描沭 本專利技術(shù)的實(shí)施例提供一種方法，包括提供具有厚壁的陣列的預(yù)規(guī)則化襯底、在預(yù)規(guī)則化襯底上沉積共形層、從厚壁和壁之間的間隔的頂部蝕刻共形層、以及蝕刻厚壁同時(shí)留下共形層的薄壁。 本專利技術(shù)的另一實(shí)施例包括一種器件，該器件包括襯底和在襯底上的薄壁陣列，其中薄壁具有約5nm或更小的厚度。 本專利技術(shù)的另一實(shí)施例包括一種器件，該器件包括襯底、襯底上的圖案轉(zhuǎn)移層和在圖案轉(zhuǎn)移層中的孔陣列，其中孔與無(wú)孔區(qū)域的陣列對(duì)準(zhǔn)，以及其中無(wú)孔區(qū)域具有約5nm或更小的厚度。 示例 圖1示出了所提出的用于制造規(guī)則介質(zhì)100的一種方法。將可UV固化的光致抗蝕劑120的薄層涂在襯底110的表面上。然后，將透明的硬掩模(或壓模)130壓入光致抗蝕劑層120。在硬掩模130與抗蝕劑相接觸的同時(shí)，示出UV光140穿過(guò)硬掩模130到襯底110上。光致抗蝕劑120硬化，從而產(chǎn)生與硬掩模130的表面匹配的硬化光致抗蝕劑125的凹凸圖案。接著，典型地利用反應(yīng)離子蝕刻等離子150蝕刻規(guī)則化抗蝕劑125，從而在襯底110中產(chǎn)生柱陣列。然后，在經(jīng)蝕刻襯底的表面上沉積磁記錄材料170。在柱陣列的頂部的磁性材料形成離散的磁性島160。因?yàn)殡x寫(xiě)磁場(chǎng)太遠(yuǎn),所以在柱底部的基磁性材料165在記錄過(guò)程中不起作用。 圖2a到2d示出根據(jù)本專利技術(shù)的一個(gè)方面的制造用于對(duì)準(zhǔn)二嵌段共聚物的薄壁的方法。在該實(shí)施例中，提供了包括襯底210、圖案轉(zhuǎn)移層220、蝕刻停止層230以及規(guī)則化厚壁240的預(yù)規(guī)則化襯底200 (圖2a)。典型地，規(guī)則化厚壁240大約50nm到10nm厚，但是，規(guī)則化厚壁240可能更大。預(yù)規(guī)則化襯底200可通過(guò)傳統(tǒng)的半導(dǎo)體工藝制造。這些工藝包括，但不限于，化學(xué)氣相沉積(CVD)、有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積(OMCVD)、物理氣相沉積(PVD)、原子層沉積(ALD)、分子束外延(MBE)、液相外延(LPE)、化學(xué)蝕刻、反應(yīng)離子蝕刻(RIE)、等離子蝕刻、光刻和離子束光刻。 將共形層250沉積在預(yù)規(guī)則化襯底200上(圖2b)。共形層可通過(guò)任何提供基本上均勻厚度的沉積技術(shù)來(lái)沉積。優(yōu)選共形層沿著規(guī)則化厚壁240側(cè)壁的厚度均勻。沉積技術(shù)包括但不限于CVD、OMCVD、PVD、ALD、MBE和LPE。在本專利技術(shù)的一個(gè)方面中，圖案轉(zhuǎn)移層220包括S1x，蝕刻停止層230包括Cr，規(guī)則化厚壁240包括Al，以及共形層250包括SiN。這些成分僅作為示例且不旨在限制。 在下一步驟中(圖2c)，將共形層250從規(guī)則化厚壁240和蝕刻停止層230的頂部蝕刻掉。但是，沿著規(guī)則化厚壁240的側(cè)壁的共形層材料保留。這制造出共形層材料的薄壁 260。 在本專利技術(shù)的這個(gè)實(shí)施例的最后步驟中，規(guī)則化厚壁240優(yōu)先被蝕刻掉。這產(chǎn)生共形層材料的薄壁260的陣列。 優(yōu)先的蝕刻可通過(guò)任何適合的方法執(zhí)行，例如RIE。薄壁260的厚度由共形膜沉積工藝確定且可以非常薄。優(yōu)選地，薄壁260的厚度可大約為5nm或更小。更優(yōu)選地，薄壁260的厚度可大約為3nm或更小。甚至更優(yōu)選地，薄壁260的厚度可大約為Inm或更小。 圖3-6示出了本專利技術(shù)的另一實(shí)施例。具體地，圖3-6示出根據(jù)本專利技術(shù)的一本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種方法，包括：在預(yù)規(guī)則化襯底上形成多個(gè)壁；在一對(duì)或多對(duì)相鄰的所述壁之間形成一個(gè)或多個(gè)疇；以及使用所述壁和所述疇作為抗蝕劑圖案來(lái)蝕刻所述襯底以形成壓印印模。
【技術(shù)特征摘要】
...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：李金楊，D·S·闊，D·布切爾，K·佩霍斯，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：希捷科技有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：美國(guó);US
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