一種鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜，所述鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜的材料的化學(xué)通式為；其中，MeInO3是基質(zhì)，且x為0.03～0.12，Me為Y、La、Gd或Lu。該鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜的電致發(fā)光光譜（EL）中，在530nm波長(zhǎng)區(qū)有很強(qiáng)的發(fā)光峰，能夠應(yīng)用于薄膜電致發(fā)光顯示器中。本發(fā)明專(zhuān)利技術(shù)還提供該鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜的制備方法及其應(yīng)用。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜、制備方法及其應(yīng)用
本專(zhuān)利技術(shù)涉及發(fā)光材料領(lǐng)域，尤其涉及一種鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜、其制備方法、薄膜電致發(fā)光器件及其制備方法。
技術(shù)介紹
薄膜電致發(fā)光顯示器(TFELD)由于其主動(dòng)發(fā)光、全固體化、耐沖擊、反應(yīng)快、視角大、適用溫度寬、工序簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)，已引起了廣泛的關(guān)注，且發(fā)展迅速。目前，研究彩色及至全色TFELD，開(kāi)發(fā)多波段發(fā)光的材料，是該課題的發(fā)展方向。但是，可應(yīng)用于薄膜電致發(fā)光顯不器的鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜，仍未見(jiàn)報(bào)道。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
基于此，有必要提供一種可應(yīng)用于薄膜電致發(fā)光器件的鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜、其制備方法、使用該鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜的薄膜電致發(fā)光器件及其制備方法。 一種鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜，所述鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜的材料的化學(xué)通式為 Mei_xln03:xTi4+ ； 其中，Meln03是基質(zhì)，且 x 為 0.03 ?0.12，Me 為 Y、La、Gd 或 Lu。 在優(yōu)選的實(shí)施例中，所述鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜的厚度為60nm?400nm。 —種鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜的制備方法，包括以下步驟: 根據(jù)Μθι_χ1η03:xTi4+各元素的化學(xué)計(jì)量比稱(chēng)取Me203、Ιη203和Ti02粉體并混合均勻在900°C?1300°C下燒結(jié)制成靶材，其中，X為0.03?0.12，Me為Y、La、Gd*Lu ； 將襯底及所述靶材與所述裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，并調(diào)整所述真空腔體的真空度為1.ο X l(T3Pa?1.0 X l(T5Pa ;及 調(diào)整工作氣體的流量為lOsccm?30sccm，工作氣體的壓強(qiáng)為0.2Pa?4.5Pa，所述靶材與所述襯底的間距為50mm?100mm，所述襯底的溫度為250°C?750°C，濺射功率為60W?300W，在所述襯底上磁控濺射得到鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜，所述鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜的材料的化學(xué)通式為Mei_xln03:xTi4+，其中，X為0.03?0.12，Me為Y、La、Gd或Lu。 在優(yōu)選的實(shí)施例中，還包括步驟:在得到鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜后，將所述鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜在0.0OlPa?0.lPa、500°C?800°C下退火1小時(shí)?3小時(shí)。 在優(yōu)選的實(shí)施例中，磁控濺射的操作中，工作氣體的流量為25SCCm，工作氣體的壓強(qiáng)為2Pa，所述靶材與所述襯底的間距為75mm，所述襯底的溫度為600°C，所述濺射功率為150W。 在優(yōu)選的實(shí)施例中，所述襯底為ΙΤ0襯底；所述工作氣體為氬氣。 在優(yōu)選的實(shí)施例中，磁控濺射的操作中，通過(guò)控制磁控濺射的時(shí)間為lOmin?40min,得到厚度為60nm?400nm的鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜。 一種薄膜電致發(fā)光器件，包括依次層疊的基底、陽(yáng)極層、發(fā)光層以及陰極層，所述發(fā)光層為鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜，所述鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜的材料的化學(xué)通式為 Me1-JnO3:xTi4+ ； 其中，MeInO3是基質(zhì)，且 X 為 0.03 ?0.12，Me 為 Y、La、Gd 或 Lu。 一種薄膜電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟: 提供襯底，所述襯底包括層疊的基底和陽(yáng)極層； 在所述陽(yáng)極層上形成發(fā)光層，所述發(fā)光層為鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜，所述鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜的材料的化學(xué)通式為Mei_xln03:xTi4+，其中，MeInO3是基質(zhì)，且x為 0.03 ?0.12，Me 為 Y、La、Gd 或 Lu ; 在所述發(fā)光層上形成陰極層。 在優(yōu)選的實(shí)施例中，所述發(fā)光層的制備包括以下步驟: 根據(jù)Μθι_χ1η03:xTi4+各元素的化學(xué)計(jì)量比稱(chēng)取Me203、In2O3和T12粉體并混合均勻在900°C?1300°C下燒結(jié)制成靶材，其中，X為0.03?0.12，Me為Y、La、Gd或Lu ； 將襯底及所述靶材與所述裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，并調(diào)整所述真空腔體的真空度為1.0X KT3Pa?1.0X KT5Pa ;及 調(diào)整工作氣體的流量為1sccm?30sccm，工作氣體的壓強(qiáng)為0.2Pa?4.5Pa，所述靶材與所述襯底的間距為50mm?100mm，所述襯底的溫度為250°C?750°C，濺射功率為60W?300W，在所述襯底上磁控濺射得到鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜，所述鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜的材料的化學(xué)通式為Me1-JnO3:xTi4+，其中，X為0.03?0.12，Me為Y、La、Gd或Lu。 上述鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜(Mei_xln03:xTi4+)的電致發(fā)光光譜(EL)中，在530nm波長(zhǎng)區(qū)有很強(qiáng)的發(fā)光峰，這種鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜能夠應(yīng)用于薄膜電致發(fā)光器件。 【附圖說(shuō)明】 圖1為一實(shí)施方式的薄膜電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2為實(shí)施例1得到鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜的EL光譜圖； 圖3為實(shí)施例1得到鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜的XRD圖。 【具體實(shí)施方式】 為使本專(zhuān)利技術(shù)的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本專(zhuān)利技術(shù)的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)的說(shuō)明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本專(zhuān)利技術(shù)。但是本專(zhuān)利技術(shù)能夠以很多不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本專(zhuān)利技術(shù)內(nèi)涵的情況下做類(lèi)似改進(jìn)，因此本專(zhuān)利技術(shù)不受下面公開(kāi)的具體實(shí)施的限制。 一實(shí)施方式的鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜，該鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜的材料的化學(xué)通式為Me1-JnO3:xTi4+0 其中，MeInO3是基質(zhì)，Ti元素是激活元素，且x為0.03?0.12，Me為Y、La、Gd或Lu。 摻雜元素Ti是發(fā)光體系中的激活元素，在結(jié)構(gòu)組成中進(jìn)入了 In3+離子的晶格。 優(yōu)選的，X為0.1。 優(yōu)選的，鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜的厚度為60nm?400nm。 上述鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜(Mei_xln03:xTi4+)的電致發(fā)光光譜(EL)中，在530nm波長(zhǎng)區(qū)有很強(qiáng)的發(fā)光峰，這種鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜能夠應(yīng)用于薄膜電致發(fā)光器件。 上述鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜的制備方法，包括如下步驟: S11、根據(jù)Μθι_χ1η03:xTi4+各元素的化學(xué)計(jì)量比稱(chēng)取Me203、Ιη203和Ti02粉體并混合均勻在900°C?1300°C下燒結(jié)制成靶材。 X 為 0.03 ?0.12，MeSY、La、Gd*Lu。優(yōu)選的，x 為 0.1。 優(yōu)選的，將Me203、Ιη203和Ti02粉體混合均勻在1250°C下燒結(jié)制成靶材。 優(yōu)選的，制成的祀材的直徑為50mm,厚度為2mm。 S12、將靶材與襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，并調(diào)整真空腔體的真空度為 1.0 X l(T3Pa ?1.0 X l(T5Pa。 優(yōu)選的，襯底為氧化銦錫(ΙΤ0)玻璃，玻璃層作為基層，ΙΤ0層作為導(dǎo)電層。 優(yōu)選的，襯底在使用前先進(jìn)行預(yù)處理，預(yù)處理的操作為:用丙酮、無(wú)水乙醇和去離子水依次超聲清洗襯底，接著對(duì)襯底進(jìn)行氧等離子處理。 優(yōu)選的，真空腔體的真空度為5.0X 10_4Pa。 S13、調(diào)整工作氣體的流量為lOsccm?30sccm，工作氣體的壓強(qiáng)為0.2Pa?4.5Pa，靶材與襯底的間距為50mm?100mm，襯底的溫本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜，其特征在于，所述鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜的材料的化學(xué)通式為Me1?xInO3：xTi4+；其中，MeInO3是基質(zhì)，且x為0.03～0.12，Me為Y、La、Gd或Lu。
【技術(shù)特征摘要】
1.一種鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜，其特征在于，所述鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜的材料的化學(xué)通式為Mei_xln03:xTi4+ ； 其中，Meln03是基質(zhì)，且x為0.03?0.12，Me為Y、La、Gd或Lu。2.如權(quán)利要求1所述的鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜，其特征在于，所述鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜的厚度為60nm?400nm。3.—種鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 根據(jù)Μθι_χ1η03:xTi4+各元素的化學(xué)計(jì)量比稱(chēng)取Me203、Ιη203和Ti02粉體并混合均勻在900。。?1300°C下燒結(jié)制成靶材，其中，X為0.03?0.12，Me為Y、La、Gd或Lu ; 將襯底及所述靶材與所述裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，并調(diào)整所述真空腔體的真空度為 1.0X l(T3Pa ?1.0X l(T5Pa ;及 調(diào)整工作氣體的流量為lOsccm?30sccm，工作氣體的壓強(qiáng)為0.2Pa?4.5Pa，所述靶材與所述襯底的間距為50mm?100mm，所述襯底的溫度為250°C?750°C，濺射功率為60W?300W，在所述襯底上磁控濺射得到鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜，所述鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜的材料的化學(xué)通式為Mei_xln03:xTi4+，其中，X為0.03?0.12，Me為Y、La、Gd或Lu。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在于，還包括步驟:在得到鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜后，將所述鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜在0.0OlPa?0.lPa、500°C?800°C下退火1小時(shí)?3小時(shí)。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在于，磁控濺射的操作中，工作氣體的流量為25sCCm，工作氣體的壓強(qiáng)為2Pa，所述靶材與所述襯底的間距為75mm，所述襯底的溫度為600°C，所述濺射功率為120W。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在于，所述襯底為IT0襯底；所述工作氣體為...
【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：周明杰，陳吉星，王平，馮小明，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司，深圳市海洋王照明工程有限公司，
類(lèi)型：發(fā)明
國(guó)別省市：廣東;44
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