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    在內(nèi)表面上具有惰性氣相涂層的金屬部件制造技術(shù)

    技術(shù)編號(hào):10942842 閱讀:104 留言:0更新日期:2015-01-22 19:48
    本發(fā)明專利技術(shù)提供了具有均勻涂覆的內(nèi)表面的金屬液相色譜部件及用于實(shí)現(xiàn)其的方法。本發(fā)明專利技術(shù)解決了在用于其中樣品與金屬離子或表面相互作用的LC分析的流動(dòng)路徑中的金屬部件腐蝕或干擾的問(wèn)題。本發(fā)明專利技術(shù)還緩解了涂覆具有很好地粘附至金屬表面的惰性連續(xù)涂層的很長(zhǎng)的金屬管和非常小的金屬通道的困難。金屬流動(dòng)路徑通過(guò)該涂層而呈現(xiàn)惰性,從而與生物分析分離兼容,例如通過(guò)使用氣相沉積過(guò)程來(lái)涂覆具有連續(xù)覆蓋流動(dòng)路徑中所有金屬表面的涂層的內(nèi)表面。

    【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

    本專利技術(shù)總體涉及涂覆的金屬部件及相關(guān)方法。更具體地說(shuō),本專利技術(shù)涉及具有均勻涂覆的內(nèi)表面的金屬液相色譜部件及用于實(shí)現(xiàn)其的方法。
    技術(shù)介紹
    液相色譜(LC)是用于分離化合物的混合物的色譜技術(shù),目的在于識(shí)別、量化或純化混合物的各個(gè)組分。這種分離基于樣品與流動(dòng)相和固定相的相互作用而發(fā)生。具有多種可在分離混合物時(shí)采用的固定/流動(dòng)相組合。液-固柱色譜(其是最流行的色譜技術(shù))特征在于液體流動(dòng)相,其慢慢地過(guò)濾下來(lái)通過(guò)固體固定相,帶來(lái)具有其的分離組分。LC使用許多金屬部件用于輸送液體。示例包括泵部件、自動(dòng)進(jìn)樣器針頭和分離柱。由LC所分析的許多樣品與金屬?zèng)]有相互作用,但一些樣品特別是在生物分析應(yīng)用中的樣品對(duì)浸漬過(guò)的金屬離子是敏感的和/或容易與引起與分析過(guò)程干擾的金屬表面或分離部件中的雜質(zhì)相互作用。常規(guī)的解決方案一直是使用惰性材料比如聚醚醚酮(PEEK)用于這些應(yīng)用的流動(dòng)路徑。除了昂貴之外,PEEK難以形成LC部件的許多所需的形狀和尺寸,并且不易于采用所希望的任何形式。此外,PEEK機(jī)械上沒(méi)有金屬?gòu)?qiáng)壯,因此無(wú)法承受用于超高壓LC(UHPLC)的壓力(通常高于約400bar)。其他現(xiàn)有的方法包括將生物相容的聚合物內(nèi)管插入到金屬外管內(nèi),并且將金屬管涂覆有液相的有機(jī)層。(美國(guó)專利號(hào)5482628、5651885、5736036;美國(guó)專利申請(qǐng)?zhí)?0050255579、20110259089。)另一種方法是使用插入到由金屬或塑料制成的夾套中的玻璃管,其已將應(yīng)用限制至LC部件。(美國(guó)專利號(hào)4968421)傳統(tǒng)的方法和現(xiàn)有的替代設(shè)計(jì)已經(jīng)表現(xiàn)出這樣的缺點(diǎn),即不能良好地粘附至受保護(hù)的金屬表面、不能夠沿著小管長(zhǎng)度均勻地涂覆、以及不能夠涂覆小通道(例如,5-10微米直徑)。因此,仍然存在未滿足的具有連續(xù)且均勻涂覆的內(nèi)表面的金屬液相色譜部件及用于實(shí)現(xiàn)其的高效方法的需要。
    技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
    本專利技術(shù)部分地基于用于具有長(zhǎng)的、狹窄的和/或收縮的內(nèi)表面的金屬部件的受控且均勻的涂層的獨(dú)特方法。本專利技術(shù)有效地解決了在用于其中樣品與金屬離子或表面相互作用的LC分析的流動(dòng)路徑中的金屬部件腐蝕或干擾的問(wèn)題。本專利技術(shù)還緩解了涂覆具有很好地粘附至金屬表面的惰性連續(xù)涂層的很長(zhǎng)的金屬管和非常小的金屬通道的困難。金屬流動(dòng)路徑通過(guò)該涂層而呈現(xiàn)惰性,從而與生物分析分離兼容,例如通過(guò)使用氣相沉積過(guò)程來(lái)涂覆具有連續(xù)覆蓋流動(dòng)路徑中所有金屬表面的涂層的內(nèi)表面。在一方面,本專利技術(shù)總體涉及一種金屬部件,其具有含有連續(xù)覆蓋有具有基本均勻厚度的保護(hù)涂層的內(nèi)表面的管腔、通道或空腔。所述保護(hù)涂層通過(guò)氣相過(guò)程形成,包括:提供在所述氣相中的一種或多種分子前體;將所述管腔、通道或空腔的內(nèi)表面暴露至在所述氣相中的一種或多種分子前體;允許所述一種或多種分子前體在所暴露的內(nèi)表面或其附近反應(yīng)、分解或以其他方式變化并且隨后在其上沉積;以及采用惰性氣體沖洗或創(chuàng)建真空,從而除去未反應(yīng)的一種或多種分子前體和反應(yīng)副產(chǎn)物,如果有的話。在另一方面,本專利技術(shù)總體涉及一種用于涂覆具有管腔、通道或空腔的金屬物體的內(nèi)表面的方法。所述方法包括通過(guò)氣相過(guò)程形成具有基本均勻厚度的連續(xù)保護(hù)涂層。在另一方面,本專利技術(shù)總體涉及一種具有涂覆有根據(jù)本文所公開(kāi)的方法的保護(hù)涂層的內(nèi)表面的金屬物體。附圖說(shuō)明圖1示出了本專利技術(shù)實(shí)施例的示意圖。圖2示出了在不銹鋼上的a-Si涂層的X-射線光電子能譜組成深度分布的示例性數(shù)據(jù)。圖3示出了與從未涂覆的不銹鋼浸出的離子相比的對(duì)從涂覆有a-Si、硅氧烷以及Si/硅氧烷雙層的2x3厘米不銹鋼試樣浸入到溶液中的離子進(jìn)行對(duì)比的示例性數(shù)據(jù)。具體實(shí)施方式除非另有定義,本文所用的所有技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ)具有的含義與本專利技術(shù)所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常所理解的相同。如本文所用,術(shù)語(yǔ)“涂層”和“涂覆”是指與底層材料分開(kāi)且不同的材料層。涂覆的材料表現(xiàn)出在涂層材料和底層材料例如支撐材料之間的可識(shí)別的邊界,例如是漸變的或突變的。如本文所用,術(shù)語(yǔ)“基本均勻的厚度”是指襯底上的涂層在整個(gè)涂層面積上具有的厚度大于最小厚度。如本文所用,最小厚度是指涂層具有約1nm、約5nm、約10nm、約50nm、約100nm或以上的厚度。如本文所用,術(shù)語(yǔ)“流體”是指能夠流動(dòng)(例如,通過(guò)流動(dòng)通道)的液體具有至少一個(gè)小于1毫米的橫截面尺寸。為了本公開(kāi)的目的,術(shù)語(yǔ)“流體”不包含氣體。如本文所用,術(shù)語(yǔ)“微流體裝置”是指具有微流體反應(yīng)器、微流體流動(dòng)通道和/或閥的單個(gè)單元。微流體裝置還可以具有其他的微流體部件,比如泵、柱、攪拌器等。如本文所用,術(shù)語(yǔ)“化學(xué)氣相沉積”是指用于產(chǎn)生薄膜或涂層的化學(xué)過(guò)程。在典型的化學(xué)氣相沉積(CVD)過(guò)程中,襯底暴露于一種或多種揮發(fā)性前體,其在襯底表面上或附近反應(yīng)、分解、冷凝或以其他方式變化,以產(chǎn)生所需的沉積物。通常,還產(chǎn)生揮發(fā)性副產(chǎn)物,其由氣流或真空通過(guò)反應(yīng)室被去除。待沉積的材料可以采取多種形式,包括:?jiǎn)尉Ч琛⒍嗑Ч琛o(wú)定形硅以及外延硅。在典型的CVD過(guò)程中,襯底被加熱至升高的溫度,其在允許前體在表面上反應(yīng)方面可能很重要。然而,在某些CVD過(guò)程中,沉積可以在室溫下進(jìn)行。例如,某些原子層沉積(ALD)過(guò)程可以在環(huán)境溫度下進(jìn)行。CVD技術(shù)包括:在大氣壓力下的常壓CVD(APCVD)-CVD過(guò)程;在低于大氣壓力(減少的壓力傾向于減少不必要的氣相反應(yīng)并提高整個(gè)襯底上的膜均勻性)下的低壓CVD(LPCVD)-CVD過(guò)程;在非常低的壓力例如低于10-6Pa(~10-8torr)下的超高真空CVD(UHVCVD)-CVD過(guò)程。如本文所用,術(shù)語(yǔ)“分子前體”是指在氣相中的分子,包括希望在涂層中的一個(gè)或多個(gè)元素。這些前體可以進(jìn)行化學(xué)或物理變化,以使得所需的元素可以沉積在表面上并且摻入在涂層中。分子前體可以是無(wú)機(jī)或有機(jī)化合物。例如,無(wú)機(jī)分子前體可以包括將會(huì)導(dǎo)致在表面上的保護(hù)涂層的金屬系材料,其中所述保護(hù)涂層選自Si系、Ti系、Zr系或Al系無(wú)機(jī)化合物(例如氧化物、氮化物或氮氧化物)。例如,無(wú)機(jī)前體分子還可以包括用于產(chǎn)生氧化物的H2O或用于產(chǎn)生氮化物的NH3。例如,有機(jī)分子前體可以包括可能導(dǎo)致Si系聚合物材料作為在表面上的保護(hù)涂層的聚合物材料。該分子前體還可以包括有機(jī)金屬材料例如三甲基鋁,以提供用于包括進(jìn)入涂層中的金屬(在該示例中是鋁)的方法。對(duì)于前體來(lái)說(shuō)還存在許多其它的可能性,并且在文獻(xiàn)中是顯而易見(jiàn)的,并且尚待開(kāi)發(fā)的前體也可以落入本專利技術(shù)的范圍之內(nèi)。本文檔來(lái)自技高網(wǎng)
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    【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
    一種金屬部件,其具有含有連續(xù)覆蓋有具有基本均勻厚度的保護(hù)涂層的內(nèi)表面的管腔、通道或空腔,其中,所述保護(hù)涂層通過(guò)氣相過(guò)程形成,包括:提供在所述氣相中的一種或多種分子前體;將所述管腔、通道或空腔的內(nèi)表面暴露至在所述氣相中的一種或多種分子前體;允許所述一種或多種分子前體在所暴露的內(nèi)表面或其附近反應(yīng)、分解或以其他方式變化并且隨后在其上沉積;采用惰性氣體沖洗,從而除去未反應(yīng)的一種或多種分子前體和反應(yīng)副產(chǎn)物,如果有的話;以及根據(jù)需要任選地重復(fù)上述步驟中的一個(gè)或多個(gè),以達(dá)到期望的膜厚度和/或組成。

    【技術(shù)特征摘要】
    2013.07.19 US 13/946,9421.一種金屬部件,其具有含有連續(xù)覆蓋有具有基本均勻厚度的保護(hù)涂層
    的內(nèi)表面的管腔、通道或空腔,其中,所述保護(hù)涂層通過(guò)氣相過(guò)程形成,包
    括:
    提供在所述氣相中的一種或多種分子前體;
    將所述管腔、通道或空腔的內(nèi)表面暴露至在所述氣相中的一種或多種分
    子前體;
    允許所述一種或多種分子前體在所暴露的內(nèi)表面或其附近反應(yīng)、分解或
    以其他方式變化并且隨后在其上沉積;
    采用惰性氣體沖洗,從而除去未反應(yīng)的一種或多種分子前體和反應(yīng)副產(chǎn)
    物,如果有的話;以及
    根據(jù)需要任選地重復(fù)上述步驟中的一個(gè)或多個(gè),以達(dá)到期望的膜厚度和
    /或組成。
    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬部件,其中,所述管腔、通道或空腔的特
    征在于小于約10毫米的至少一個(gè)尺寸和長(zhǎng)于約20毫米的一個(gè)尺寸。
    3.根據(jù)權(quán)利要求1-2中任一項(xiàng)所述的金屬部件,其是色譜柱,特征在于
    小于約10毫米的內(nèi)徑和大于約20毫米的長(zhǎng)度,其中,所述保護(hù)涂層具有約
    10納米至約5微米的基本均勻的厚度,或者是其微流體裝置或部件,具有小
    于約1毫米的至少一個(gè)內(nèi)部尺寸。
    4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任...

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:E卡爾KL西沃德KP基里恩
    申請(qǐng)(專利權(quán))人:安捷倫科技有限公司
    類型:發(fā)明
    國(guó)別省市:美國(guó);US

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