【技術實現步驟摘要】
雙光電二極管裸封結構
本技術涉及一種高精度加速度計，尤其涉及一種雙光電二極管裸封結構。
技術介紹
加速度計是工程領域中的常用裝置，雙光電二極管是其中的重要器件，隨著技術的進步，工程領域對加速度計的精度、體積要求也越來越高，縮減加速度計體積的先決條件是縮減其內部器件的體積；現有用于的加速度計的雙光電二極管一般采用獨立封裝結構，結構中除了含有雙光電二極管外還包括了封裝殼體，這種結構不僅較為復雜，而且封裝殼體要占用相當一部分體積，另外，現有的雙光電二極管中的光電二極管一般先獨立制作然后再將兩個光電二極管拼接起來，不僅工藝較為復雜，而且由于兩個光電二極管生長于不同襯底上，兩個光電二極管電學參數的均一性較差。
技術實現思路
針對
技術介紹
中的問題，本技術提出了一種雙光電二極管裸封結構，其改進在于:所述雙光電二極管裸封結構由陶瓷基片和兩塊硅芯片組成；所述硅芯片通過樹脂粘結在陶瓷基片的同側面上，兩塊硅芯片之間留有間隙。 本技術的原理是:不對雙光電二極管進行單獨封裝，直接將其設置在加速度計內，最后與其他器件一起被加速度計的殼體封裝在內；當取消了雙光電二極管的獨立殼體后，基于現有的芯片工藝極限，雙光電二極管的體積可以縮小40%左右，十分利于加速度計體積的進一步小型化。 優選地，所述兩塊硅芯片由形成于同一襯底層上的一塊母片經物理解理而成，物理解理的深度達到陶瓷基片表面，物理解理后所形成的空隙即為所述間隙。采用這種方案得到的雙光電二極管，由于其生長于同一襯底層上，兩個光電二極管電學參數的均一性較好，可以使加速度計的性能得到改善。 優選地，所述兩塊...
【技術保護點】
一種雙光電二極管裸封結構，其特征在于：所述雙光電二極管裸封結構由陶瓷基片（1）和兩塊硅芯片（2）組成；所述硅芯片（2）通過樹脂粘結在陶瓷基片（1）的同側面上，兩塊硅芯片（2）之間留有間隙。
【技術特征摘要】
1.一種雙光電二極管裸封結構，其特征在于:所述雙光電二極管裸封結構由陶瓷基片(I)和兩塊硅芯片(2)組成；所述硅芯片(2)通過樹脂粘結在陶瓷基片(I)的同側面上，兩塊硅芯片(2)之間留有間隙。2.根據權利要求1所述的雙光電二極管裸封結構，其特征在于:所述兩塊硅芯片(2)由形成于同一襯底層上的一塊母片(3)經物理解理而成，物理解理的深度達到陶瓷基片(I)表面，物理解理后所形成的空隙即為所述間隙。3....
【專利技術屬性】
技術研發人員：王波，向勇軍，凌茂真，向榮珍，
申請(專利權)人：中國電子科技集團公司第四十四研究所，
類型：新型
國別省市：重慶;85
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