一種直流逆變交流控制裝置制造方法及圖紙

本實用新型專利技術涉及電機節電控制技術領域，提供一種直流逆變交流控制裝置，包括整流橋單元、IGBT、疊層母排、第一連接端子及第二連接端子，IGBT分別與疊層母排和第二連接端子連接，疊層母排包括底層絕緣層、疊層母排DRCL、疊層母排P+、中間絕緣層、疊層母排GND以及頂層絕緣層，疊層母排P+通過第一連接口與IGBT連接，疊層母排GND通過第二連接口與IGBT連接；疊層母排P+與疊層母排GND通過第三連接口和第四連接口相互連接，疊層母排DRCL與疊層母排GND之間、疊層母排P+與疊層母排GND之間通過第五連接口連接，該裝置結構緊湊，大大提高了節電控制器的使用效率，避免IGBT燒毀的情況。（*該技術在2024年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】
一種直流逆變交流控制裝置
本技術屬于電機節電控制
，尤其涉及一種直流逆變交流控制裝置。
技術介紹
在電機節電控制器中，絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate BipolarTransistor, IGBT)與電容的連接均采用電纜直接連接，當額定功率不斷提高時，電機節電控制器的故障率明顯增多，其主要的故障現象是IGBT模塊的燒毀。 當IGBT模塊燒壞時，需要對其進行更換，甚至要更換新的電機節電控制器，對用戶來說，操作不便，而且成本增加。
技術實現思路
本技術的目的在于提供一種直流逆變交流控制裝置，旨在解決現有技術中IGBT模塊經常燒壞，需要對其進行更換，甚至要更換新的電機節電控制器，增加成本的問題。 本技術是這樣實現的，一種直流逆變交流控制裝置，所述直流逆變交流控制裝置設置在節電控制器的內部支撐板上，所述直流逆變交流控制裝置包括整流橋單元、若干個IGBT、疊層母排、第一連接端子以及第二連接端子，其中: 所述整流橋單元設置在所述支撐板的上部，所述整流橋單元分別與所述疊層母排和第一連接端子連接，所述第一連接端子連接所述節電控制器的接觸器； 所述IGBT固定設置在所述支撐板上，所述IGBT的輸出端口與所述第二連接端子連接，所述第二連接端子設有三相輸出端口 ； 所述疊層母排依次設有底層絕緣層、疊層母排DRCL、疊層母排P+、中間絕緣層、疊層母排GND以及頂層絕緣層，其中，所述底層絕緣層與所述支撐板接觸； 所述疊層母排P+通過第一連接口與所述IGBT連接，所述疊層母排GND通過第二連接口與所述IGBT連接； 所述疊層母排P+設有與所述接觸器連接的第一連接端，所述疊層母排GND設有與所述整流橋單元連接的第二連接端； [0011 ] 所述疊層母排P+與所述疊層母排GND通過第三連接口和第四連接口相互連接，所述疊層母排DRCL與所述疊層母排GND之間、所述疊層母排P+與所述疊層母排GND之間通過第五連接口連接。 作為一種改進的方案，所述第一連接端子設有整流橋連接端口以及疊層母排連接端口。 作為一種改進的方案，所述整流橋單元設有整流輸入端、正極輸出端以及負極輸出端，其中: 所述正極輸出端與所述第一連接端子的所述整流橋連接端口對應連接； 所述負極輸出端與所述疊層母排GND連接。 作為一種改進的方案，所述底層絕緣層、中間絕緣層以及所述底層絕緣層上分別設有若干貫通孔。 作為一種改進的方案，所述底層絕緣層、疊層母排DRCL、疊層母排P+、中間絕緣層、疊層母排GND以及頂層絕緣層上分別設有固定螺絲孔。 由于直流逆變交流控制裝置包括整流橋單元、若干個IGBT、疊層母排、第一連接端子以及第二連接端子，IGBT分別與疊層母排和第二連接端子連接，疊層母排包括底層絕緣層、疊層母排DRCL、疊層母排P+、中間絕緣層、疊層母排GND以及頂層絕緣層，疊層母排P+通過第一連接口與所述IGBT連接，所述疊層母排GND通過第二連接口與所述IGBT連接；疊層母排P+設有與所述接觸器連接的第一連接端，疊層母排GND設有與所述整流橋單元連接的第二連接端；所述疊層母排P+與疊層母排GND通過第三連接口和第四連接口相互連接，所述疊層母排DRCL與疊層母排GND之間、疊層母排P+與疊層母排GND之間通過第五連接口連接，該裝置結構緊湊，設計簡潔，其具有較低的電感，可避免浪涌電壓而引起的擊穿，載流能力較高，大大提高了節電控制器的使用效率，避免IGBT燒毀的情況。 【附圖說明】 圖1是本技術提供的直流逆變交流控制裝置的結構示意圖； 圖2是本技術提供的疊層母排的結構示意圖； 圖3是本技術提供的底層絕緣層的結構示意圖； 圖4是本技術提供的疊層母排DRCL的結構示意圖； 圖5是本技術提供的疊疊層母排P+的結構示意圖； 圖6是本技術提供的中間絕緣層的結構示意圖； 圖7是本技術提供的疊層母排GND的結構示意圖； 圖8是本技術提供的頂層絕緣層的結構示意圖； 其中，1-節電控制器，2-支撐板，3-整流橋單元，4-1GBT, 5_疊層母排，6_第一連接端子，7-第二連接端子，8-1GBT輸出端口，9-三相輸出端口，10-底層絕緣層，11-疊層母排DRCL，12-疊層母排P+，13-中間絕緣層，14-疊層母排GND，15-頂層絕緣層，16-第一連接口，17-第二連接口，18-第一連接端，19-第二連接端，20-第三連接口，21-第四連接口，22-第五連接口，23-整流橋連接端口，24-疊層母排連接端口，25-整流輸入端，26-正極輸出端，27-負極輸出端，28-貫通孔，29-固定螺絲孔。 【具體實施方式】 為了使本技術的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本技術進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本技術，并不用于限定本技術。 圖1示出了本技術提供的直流逆變交流控制裝置的結構示意圖，為了便于說明，圖中僅給出了與本技術相關的部分。 直流逆變交流控制裝置設置在節電控制器1的內部支撐板2上，所述直流逆變交流控制裝置包括整流橋單元3、若干個IGBT4、低電感的疊層母排5、第一連接端子6以及第二連接端子7，其中: 所述整流橋單元3設置在所述支撐板2的上部，所述整流橋單元3分別與所述疊層母排5和第一連接端子6連接，所述第一連接端子6連接所述節電控制器1的接觸器(圖中未示出)； 所述IGBT4固定設置在所述支撐板2上，所述IGBT輸出端口 8與所述第二連接端子7連接，所述第二連接端子7設有三相輸出端口 9 ； 如圖2所示，同時結合圖3至圖8所示，所述疊層母排5依次設有底層絕緣層10、疊層母排DRCL11、疊層母排P+12、中間絕緣層13、疊層母排GND14以及頂層絕緣層15，其中，所述底層絕緣層10與所述支撐板2接觸； 所述疊層母排P+12通過第一連接口 16與所述IGBT4連接，所述疊層母排GND14通過第二連接口 17與所述IGBT4連接； 所述疊層母排P+12設有與所述接觸器連接的第一連接端18，所述疊層母排GND14設有與所述整流橋單元3連接的第二連接端19 ； 所述疊層母排P+12與所述疊層母排GND14通過第三連接口 20和第四連接口 21相互連接，所述疊層母排DRCL11與所述疊層母排GND14之間、所述疊層母排P+12與所述疊層母排GND14之間通過第五連接口 22連接。 在該實施例中，通過各層疊層母排5的設計，實現直流逆變交流的目的，而且其具有較低的電感。 在本技術中，第一連接端子6設有整流橋連接端口 23以及疊層母排連接端口24； 整流橋單元3設有整流輸入端25、正極輸出端26以及負極輸出端27，其中: 所述正極輸出端26與所述第一連接端子6的所述整流橋連接端口 23對應連接； 所述負極輸出端27與所述疊層母排GND14連接。 在該實施例中，所述疊層母排GND14設有與所述整流橋單元3的負極輸出端27連接的第二連接端19。 在本技術中，底層絕緣層10、中間絕緣層13以及所述底層絕緣層10上分別設有若干貫通孔28，本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種直流逆變交流控制裝置，其特征在于，所述直流逆變交流控制裝置設置在節電控制器的內部支撐板上，所述直流逆變交流控制裝置包括整流橋單元、若干個IGBT、疊層母排、第一連接端子以及第二連接端子，其中：所述整流橋單元設置在所述支撐板的上部，所述整流橋單元分別與所述疊層母排和第一連接端子連接，所述第一連接端子連接所述節電控制器的接觸器；所述IGBT固定設置在所述支撐板上，所述IGBT的輸出端口與所述第二連接端子連接，所述第二連接端子設有三相輸出端口；所述疊層母排依次設有底層絕緣層、疊層母排DRCL、疊層母排P+、中間絕緣層、疊層母排GND以及頂層絕緣層，其中，所述底層絕緣層與所述支撐板接觸；所述疊層母排P+通過第一連接口與所述IGBT連接，所述疊層母排GND通過第二連接口與所述IGBT連接；所述疊層母排P+設有與所述接觸器連接的第一連接端，所述疊層母排GND設有與所述整流橋單元連接的第二連接端；所述疊層母排P+與所述疊層母排GND通過第三連接口和第四連接口相互連接，所述疊層母排DRCL與所述疊層母排GND之間、所述疊層母排P+與所述疊層母排GND之間通過第五連接口連接。

【技術特征摘要】
1.一種直流逆變交流控制裝置，其特征在于，所述直流逆變交流控制裝置設置在節電控制器的內部支撐板上，所述直流逆變交流控制裝置包括整流橋單元、若干個IGBT、疊層母排、第一連接端子以及第二連接端子，其中: 所述整流橋單元設置在所述支撐板的上部，所述整流橋單元分別與所述疊層母排和第一連接端子連接，所述第一連接端子連接所述節電控制器的接觸器； 所述IGBT固定設置在所述支撐板上，所述IGBT的輸出端口與所述第二連接端子連接，所述第二連接端子設有三相輸出端口； 所述疊層母排依次設有底層絕緣層、疊層母排DRCL、疊層母排P+、中間絕緣層、疊層母排GND以及頂層絕緣層，其中，所述底層絕緣層與所述支撐板接觸； 所述疊層母排P+通過第一連接口與所述IGBT連接，所述疊層母排GND通過第二連接口與所述IGBT連接； 所述疊層母排P+設有與所述接觸器連接的第一連接端，所述疊層母排GND設有與所述整流橋單元連接的第二連接端...

【專利技術屬性】
技術研發人員：康抒智，陳世光，
申請(專利權)人：青島海博瓦節能技術有限公司，
類型：新型
國別省市：山東;37