二酮基吡咯并吡咯聚合物和小分子制造技術

本發明專利技術涉及包含式(I)的重復單元的聚合物以及式(II)化合物，其中Y、Y15、Y16和Y17相互獨立地為式(a)的基團，其特征在于聚合物和化合物包含含硅的增溶側鏈，以及它們在有機器件中，尤其是在有機光伏器件和光電二極管中，或者在含有二極管和/或有機場效應晶體管的器件中作為有機半導體的用途。本發明專利技術聚合物和化合物可以在有機溶劑中具有優異溶解性和優異成膜性能。此外，當本發明專利技術聚合物和化合物用于有機場效應晶體管、有機光伏器件和光電二極管中時，可以觀察到高能量轉換效率、優異的場效應遷移率、良好的開/關電流比和/或優異的穩定性。

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】二酮基吡咯并吡咯聚合物和小分子 本專利技術涉及包含式（I)的重復單元的聚合物以及式（II)化合物，其中Y、Y15、Y 16 和Y17相互獨立地為式

【技術保護點】
一種包含下式的重復單元的聚合物：其中a為0、1、2或3，a’為0、1、2或3；b為0、1、2或3；b’為0、1、2或3；c為0、1、2或3；c’為0、1、2或3；R1和R2可以相同或不同且選自C1?C100烷基，其可以任選被C1?C12烷基、C1?C12烷氧基、鹵素、C5?C12環烷基、硝基、氰基、乙烯基、烯丙基、C6?C24芳基、C2?C20雜芳基或ESi取代一次或多次；和/或可以任選被?O?、?S?、?NR39?、?COO?、?CO?、?OCO?、C6?C24亞芳基、C2?C20亞雜芳基、C3?C12亞環烷基或DSi間隔，C2?C100鏈烯基，其可以任選被C1?C12烷基、C1?C12烷氧基、鹵素、C5?C12環烷基、硝基、氰基、乙烯基、烯丙基、C6?C24芳基、C2?C20雜芳基或ESi取代一次或多次；和/或可以任選被?O?、?S?、?NR39?、?COO?、?CO?、?OCO?、C6?C24亞芳基、C2?C20亞雜芳基、C3?C12亞環烷基或DSi間隔，C3?C100炔基，其可以任選被C1?C12烷基、C1?C12烷氧基、鹵素、C5?C12環烷基、硝基、氰基、乙烯基、烯丙基、C6?C24芳基、C2?C20雜芳基或ESi取代一次或多次；和/或可以任選被?O?、?S?、?NR39?、?COO?、?CO?、?OCO?、C6?C24亞芳基、C2?C20亞雜芳基、C3?C12亞環烷基或DSi間隔，C3?C12環烷基，其可以任選被C1?C12烷基、C1?C12烷氧基、鹵素、C5?C12環烷基、硝基、氰基、乙烯基、烯丙基、C6?C24芳基、C2?C20雜芳基或ESi取代一次或多次；和/或可以任選被?O?、?S?、?NR39?、?COO?、?CO?、?OCO?、C6?C24亞芳基、C2?C20亞雜芳基、C3?C12亞環烷基或DSi間隔，C6?C24芳基，其可以任選被C1?C12烷基、C1?C12烷氧基、鹵素、C5?C12環烷基、硝基、氰基、乙烯基、烯丙基、C6?C24芳基、C2?C20雜芳基或ESi取代一次或多次；C2?C20雜芳基，其可以任選被C1?C12烷基、C1?C12烷氧基、鹵素、C5?C12環烷基、硝基、氰基、乙烯基、烯丙基、C6?C24芳基、C2?C20雜芳基或ESi取代一次或多次；?CO?C1?C18烷基、?CO?C5?C12環烷基、?COO?C1?C18烷基，它們可以任選被C1?C12烷基、C1?C12烷氧基、鹵素、C5?C12環烷基、硝基、氰基、乙烯基、烯丙基、C6?C24芳基、C2?C20雜芳基或ESi取代一次或多次；和/或可以任選被?O?、?S?、?NR39?、?COO?、?CO?、?OCO?、C6?C24亞芳基、C2?C20亞雜芳基、C3?C12亞環烷基或DSi間隔，ESi為?SiR161R162R163或?O?SiR161R162R163；DSi為?SiR161R162?、?SiR161R162?(O?SiR161R162)d?或?O?SiR161R162?；R161、R162和R163相互獨立地為氫，C1?C25烷基，可以任選被C1?C4烷基取代的C3?C12環烷基；C1?C25鹵代烷基，C2?C25鏈烯基，?O?SiR164R165R166，?(O?SiR164R165)d?R166，C1?C25烷氧基，C3?C24(雜)芳氧基，NR167R168，鹵素，C1?C25酰氧基，苯基，被C1?C24烷基、鹵素、氰基或C1?C25烷氧基取代1?3次的苯基；R164、R165和R166相互獨立地為氫，C1?C25烷基，可以任選被C1?C4烷基取代的C3?C12環烷基；C1?C25鹵代烷基，C2?C25鏈烯基，?O?SiR169R170R171，?(O?SiR169R170)d?R171，C1?C25烷氧基，C3?C24(雜)芳氧基，NR167R168，鹵素，C1?C25酰氧基，苯基，被C1?C24烷基、鹵素、氰基或C1?C25烷氧基取代1?3次的苯基；R169、R170和R171相互獨立地為氫，C1?C25烷基，可以任選被C1?C4烷基取代的C3?C12環烷基；C1?C25鹵代烷基，C2?C25鏈烯基，?O?Si(CH3)3，C1?C25烷氧基，C3?C24(雜)芳氧基，NR167R168，鹵素，C1?C25酰氧基，苯基，被C1?C24烷基、鹵素、氰基或C1?C25烷氧基取代1?3次的苯基；R167和R168相互獨立地為氫，C6?C18芳基；被C1?C18烷基或C1?C18烷氧基取代的C6?C18芳基；或者可以任選被一個或多個氧或硫原子間隔的C1?C25烷基；或C7?C25芳烷基；d為1?50的整數；R39為氫，C1?C18烷基，C1?C18鹵代烷基，C7?C25芳烷基或C1?C18鏈烷酰基，Ar1、Ar1’、A...

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】2012.04.04 EP 12163088.3;2012.04.12 EP 12163887.8;1. 一種包含下式的重復單元的聚合物：其中 a 為 0、1、2 或 3, a' 為 0、1、2 或 3 ;b 為 0、1、2 或 3 ;b' 為 0、1、2 或 3 ;c 為 0、1、2 或 3 ; c' 為 0、1、2 或 3 ; R1和R2可以相同或不同且選自 C1-Cltlt!燒基，其可以任選被C1-C12燒基、C 1-C12燒氧基、齒素、C5-C12環燒基、硝基、氰基、 乙烯基、烯丙基、C6-C24芳基、C2-C2tl雜芳基或E si取代一次或多次；和/或可以任選被-0-、- S-、-NR39-、-C00-、 -C0-、-0C0-、C6-C 24 亞芳基、C2-C2tl 亞雜芳基、C3-C12 亞環燒基或 Dsi 間隔， C2-Cltltl鏈烯基，其可以任選被C1-C12烷基、C 1-C12烷氧基、鹵素、C5-C12環烷基、硝基、氰基、乙 烯基、烯丙基、C6-C24芳基、C2-C2tl雜芳基或E si取代一次或多次；和/或可以任選被-0-、-S-、 -NR39-、-C00-、-C0-、-0C0-、C 6-C24亞芳基、C2-C2tl亞雜芳基、C 3-C12亞環燒基或Dsi 間隔，C3-C100炔基，其可以任選被C1-C12烷基、C1-C12烷氧基、鹵素 X5-C12環烷基、硝基、氰基、乙烯基、烯丙 基、C6-C24芳基、C2-Cm雜芳基或E si取代一次或多次；和/或可以任選被-〇-、-S-、-NR39-、-C 〇〇_、_C〇-、-〇C〇-、C6_C24亞芳基、C 2_C2(I亞雜芳基、C3-C12亞環燒基或Dsi間隔，C 3-C12環燒基， 其可以任選被C1-C12烷基、C1-C12烷氧基、鹵素、C 5-C12環烷基、硝基、氰基、乙烯基、烯丙基、 C6-C24芳基、C2-C2tl雜芳基或E si取代一次或多次；和/或可以任選被-0-、-5-、-順39-、-(：00- 、-CO-、-oco-、C6-C24亞芳基、C2-C2tl亞雜芳基、C 3-C12亞環烷基或Dsi間隔，C6-C24芳基，其可 以任選被C1-C12烷基、C1-C12烷氧基、鹵素、C 5-C12環烷基、硝基、氰基、乙烯基、烯丙基、C6-C24芳基、C2-C2tl雜芳基或Esi取代一次或多次； C2-C2tl雜芳基，其可以任選被C1-C12烷基、C 1-C12烷氧基、鹵素 X5-C12環烷基、硝基、氰基、 乙烯基、烯丙基、C6-C24芳基、C2-C2tl雜芳基或E si取代一次或多次； -CO-C1-C18燒基、-CO-C5-C12環燒基、-COO-C 1-C18燒基，它們可以任選被C1-C12燒基、 c「c12烷氧基、齒素、C5-C12環烷基、硝基、氰基、乙烯基、烯丙基、C 6-C24芳基、C2-C2tl雜芳基或 Esi取代一次或多次；和/或可以任選被-〇-、-S-、-NR 39-、-C00-、-C0-、 -0C0-、C6-C24亞芳 基、C2-C2tl亞雜芳基、C3-C12亞環烷基或D si間隔， Esi 為-SiR161R162R163 或-O-SiR161R162R163 ; Dsi 為-SiR161R162-' -SiR16lR162-(O-SiR161R162) d-或-O-SiR161R162-; R161、R162和R163相互獨立地為氫，C1-C 25烷基，可以任選被C1-C4烷基取代的C3-C 12環 烷基；C「C25 齒代烷基，C2-C25 鏈烯基，-O-SiR164R165R166, -(O-SiR164R165)d-R166, C1-C25 烷氧基， C3-C24(雜）芳氧基，NR167R168,齒素，C 1-C25酰氧基，苯基，被C1-C24烷基、齒素、氰基或C 1-C25烷氧基取代1-3次的苯基； R164、R165和R166相互獨立地為氫，C1-C 25烷基，可以任選被C1-C4烷基取代的C3-C 12環 烷基；C「C25 鹵代烷基，C2-C25 鏈烯基，-〇-SiR169R17°R171，-(O-SiR169R 17tl)d-R171, C1-C25 烷氧基， C3-C24(雜）芳氧基，NR167R168,齒素，C 1-C25酰氧基，苯基，被C1-C24烷基、齒素、氰基或C 1-C25烷氧基取代1-3次的苯基； R169、R17tl和Rm相互獨立地為氫，C1-C 25烷基，可以任選被C1-C4烷基取代 的 C3-C12 環烷基；CrC25 齒代烷基，C2-C25 鏈烯基，-O-Si (CH3) 3, C1-C25 烷氧基，C3-C24 (雜） 芳氧基，NR167R168,齒素，C1-C25酰氧基，苯基，被C 1-C24烷基、齒素、氰基或C1-C25烷氧基取代 1-3次的苯基； R167和R168相互獨立地為氫，C6-C18芳基；被C 1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C 18芳 基；或者可以任選被一個或多個氧或硫原子間隔的C1-C25烷基；或C7-C 25芳烷基； d為1-50的整數； R39為氫，C1-C18烷基，C1-C 18齒代烷基，C7-C25芳烷基或C1-C18鏈烷酰基，Ar 1、Arl'、Ar2、 八1'2'31'3和41'3'相互獨立地R3和R3'相互獨立地為氫肩素，Esi肩代C1-C 25烷基，氰基，可以任選被一個或多個氧或 硫原子間隔的C1-C25烷基；C7-C25芳烷基，被一個或多個E si取代的C1-C25烷基，或C1-C25烷 氧基； R4、R4'、R5、R5'、R6和R 6'相互獨立地為氫，齒素，ESi，齒代C1-C25烷基，氰基，可以任選被 一個或多個氧或硫原子間隔的C1-C25烷基；C7-C25芳烷基，被一個或多個E si取代的C1-C25烷 基，或C1-C25烷氧基； R7、R7'、R9和R9'相互獨立地為氫，可以任選被一個或多個氧或硫原子間隔的(^-(： 25烷基； 可以被一個或多個Esi取代的C1-C25烷基，或C7-C 25芳烷基，或者R7和R7'或R9和R9' 一起為 _ Cr1〇4r1〇4' R8和R8'相互獨立地為氫，C6-C18芳基；被C 1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C 18芳基； 或者可以任選被一個或多個氧或硫原子間隔的C1-C25烷基；被一個或多個Esi取代的C 1-C25烷基，或C7-C25芳烷基， R11和R11'相互獨立地為C1-C25烷基，C 7-C25芳烷基或苯基，它們可以被C1-C8烷基和/或 C1-C8燒氧基取代1-3次； R12和R12'相互獨立地為氫，鹵素，氰基，可以任選被一個或多個氧或硫原子間隔的(^-(： 25烷基，C1-C25烷氧基，C7-C25芳烷基或^^R 13,其中R13為C1-Cltl烷基或三（C1-C 8烷基） 甲娃焼基；或者Rlt14和R1(l4'相互獨立地為氫、氰基、COOR1' C1-C25烷基或C6-C24芳基或C 2-C2tl雜芳基； Rltl3為C1-C25烷基，可以任選被一個或多個氧或硫原子間隔的C 1-C25烷基，或為C7-C25芳 燒基； R1Q5、R1CI5'、Rici6和R1CI6'相互獨立地為氫、鹵素、氰基、可以任選被一個或多個氧或硫原子 間隔的C1-C25烷基；C7-C25芳烷基或C 1-C18烷氧基， Riw為氫，C7-C25芳烷基，C6-C 18芳基；被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C 6-C18芳基； C「C18全氟燒基；可以被-〇-或-S-間隔的C1-C25燒基；或者-COOR ici3 ;R1CI3如上所定義； Rlt18和Rlt19相互獨立地為H，C1-C25烷基，被E取代和/或被D間隔的C 1-C25烷基，C7-C25芳烷基，C6-C24芳基，被G取代的C6-C24芳基，C 2-C2tl雜芳基，被G取代的C2-C2tl雜芳基，C 2-C18鏈烯基，C2-C18炔基，C1-C18烷氧基，被E取代和/或被D間隔的C 1-C18烷氧基，或C7-C25芳烷 基，或者 Rltl8和Rltl9 -起形成式=CRikiR111的基團，其中 Rlltl和Rm相互獨立地為H，C1-C18烷基，被E取代和/或被D間隔的C 1-C18烷基，C6-C24芳基，被G取代的C6-C24芳基，或C2-C2tl雜芳基或被G取代的C 2-C2tl雜芳基，或者 Rltl8和Rltl9 -起形成5或6員環，其任選可以被C1-C18烷基、被E取代和/或被D間隔的 C「C18烷基、C6-C24芳基、被G取代的C6-C 24芳基、C2-C2tl雜芳基、被G取代的C2-C 2tl雜芳基、 C2-C18鏈烯基X2-C18炔基、C 1-C18烷氧基、被E取代和/或被D間隔的C1-C18烷氧基或C 7-C25芳烷基取代， D 為-CO-、-COO-、-S-、-0-或-NR112-， E 為 C1-C8 硫代烷氧基、C1-C8 烷氧基、CN、-NR112R113、-CONR112Ri13 或鹵素， G為E或C1-C18烷基，以及 R112和R113相互獨立地為H ;C6-C18芳基；被C1-C18烷基或C 1-C18烷氧基取代的C6-C18芳 基；C「C18烷基；或被-O-間隔的C1-C18烷基， R114為可以任選被一個或多個氧或硫原子間隔的C1-C25烷基， R115和R115'相互獨立地為氫、鹵素、氰基、可以任選被一個或多個氧或硫原子間隔的 C「C25烷基、C「C25烷氧基、C7-C25芳烷基或^^R' 16，其中R116為C1-C10烷基或三（C1-C 8燒基）甲娃燒基； R117和R117'相互獨立地為C1-C25烷基、C 7-C25芳烷基或苯基，它們可以被C1-C8烷基和/ 或C1-C8燒氧基取代1_3次； R118、R119、R12ci和R121相互獨立地為氫，鹵素，鹵代C 1-C25燒基,氰基,可以任選被一個或 多個氧或硫原子間隔的C1-C25烷基；C7-C25芳烷基或C 1-C25烷氧基； R122和R122'相互獨立地為氫，C6-C18芳基；被C 1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C 18芳 基；或可以任選被一個或多個氧或硫原子間隔的C1-C25烷基；或C7-C 25芳烷基； 條件是基團 R1、R2、R3、R3'、R4、R 4'、R5、R5'、R6、R6'、R 7、R7'、R8、R8'、R9 和 R9' 中至少一個含 有基團Esi和/或Dsi。元的聚合物，其中R1和R2可以相...

【專利技術屬性】
技術研發人員：P·哈約茲，
申請(專利權)人：巴斯夫歐洲公司，
類型：發明
國別省市：德國;DE