為提供具有高發(fā)光效率的發(fā)光元件和提供功耗低且在低電壓下驅動的發(fā)光器件和電子器件，提供由通式(1)代表的咔唑衍生物。在該式中，α1、α2、α3和α4各自代表具有小于或等于13個碳原子的亞芳基；Ar1和Ar2各自代表具有小于或等于13個碳原子的芳基；R1代表氫原子、具有1-6個碳原子的烷基、取代或未取代的苯基，和取代或未取代的聯(lián)苯基中的任何基團；R2代表具有1-6個碳原子的烷基、取代或未取代的苯基，和取代或未取代的聯(lián)苯基中的任何基團。另外，l、m和n各自獨立為0或1。
【技術實現(xiàn)步驟摘要】
本申請是以下申請的分案申請：申請日：2008年11月28日；申請?zhí)枺?00880126449.5(PCT/JP2008/072104)；專利技術名稱：“咔唑衍生物，以及使用咔唑衍生物的發(fā)光元件、發(fā)光器件和電子器件”的分案申請。
本專利技術涉及咔唑衍生物、使用咔唑衍生物的發(fā)光元件、發(fā)光器件和電子器件。
技術介紹
近年來，對于用電致發(fā)光的發(fā)光元件的研究和開發(fā)非常活躍。作為這些發(fā)光元件的基本結構，將含發(fā)光物質的層插入電極對之間。通過向該元件施加電壓，可由發(fā)光物質得到光發(fā)射。因為這種發(fā)光元件是自發(fā)光類型，它具有比液晶顯示元件更優(yōu)的優(yōu)點，例如高可見度的像素且不需要背光源(backlight)，因此認為適用于平板顯示元件。另外，可將這種發(fā)光元件制成薄和重量輕的元件，這也是重要優(yōu)點。另外，極高反應速度也為其特征。另外，因為可將這種發(fā)光元件形成膜形式，可通過形成大面積元件，容易的得到平面光發(fā)射。難以通過使用由白熾燈或LED代表的點光源或通過使用由熒光燈代表的線光源得到該特性。因此，上述發(fā)光元件還具有作為適用于照明等的平面光源的高實用性價值。根據(jù)發(fā)光物質是有機化合物還是無機化合物，將此類用電致發(fā)光的發(fā)光元件粗略分類。當有機化合物用于發(fā)光物質時，通過向發(fā)光元件施加電壓，然后電流通過其中，將電極對中的電子和空穴注入含發(fā)光有機化合物的層。然后通過將這些載體(電子和空穴)重組，發(fā)光有機化合物形成激發(fā)態(tài)，當激發(fā)態(tài)返回基態(tài)時則發(fā)射光。因為這種機理，這種發(fā)光元件稱為電流激勵發(fā)光元件。注意，有機化合物的激發(fā)態(tài)可為單重激發(fā)態(tài)或三重激發(fā)態(tài)。由單重激發(fā)態(tài)發(fā)射的光稱為熒光，由三重激發(fā)態(tài)發(fā)射的光稱為磷光。在改善這種發(fā)光元件的元件特性中，存在取決于物質的很多問題，為解決這些問題，已進行了元件結構改善、物質開發(fā)等方面的工作(例如非專利文件1：Meng-Huan?Ho，Yao-Shan?Wu?and?Chin?H.Chen，2005?SID?International?Symposium?Digest?of?Technical?Papers，第XXXVI卷.第802-805頁)。在非專利文件1中所述發(fā)光元件中，4，4′-二[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(縮寫：NPB)用作與發(fā)光層接觸的層。但是，NPB具有低的單態(tài)激發(fā)能，且存在能量可從處于激發(fā)態(tài)的發(fā)光材料轉移的可能性。因為在發(fā)射具有短波長的藍光的發(fā)光材料的情況中，激發(fā)態(tài)的能量水平特別高，能量轉移到NPB的可能性更高。因為能量轉移到NPB，存在發(fā)光元件的發(fā)光效率降低的問題。
技術實現(xiàn)思路
因此。本專利技術的目的是通過提供新的咔唑衍生物提供具有高發(fā)光效率的發(fā)光元件。另外，本專利技術的另一個目的是提供能耗低并在低電壓下驅動的發(fā)光器件和電子器件。本專利技術的一個特征是由以下通式(1)代表的咔唑衍生物在該式中，α1、α2、α3和α4各自代表具有小于或等于13個碳原子的亞芳基，這些碳原子形成環(huán)；Ar1和Ar2各自代表具有小于或等于13個碳原子的芳基，這些碳原子形成環(huán)；R1代表氫原子、具有1-6個碳原子的烷基、取代或未取代的苯基，和取代或未取代的聯(lián)苯基中的任何基團；R2代表具有1-6個碳原子的烷基、取代或未取代的苯基，和取代或未取代的聯(lián)苯基中的任何基團。另外，l、m和n各自獨立為0或1。另外，在以上結構中，通式(1)中α1-α4由以下通式(2-1)-(2-12)中任一個式代表。在式中，R11-R16、R21-R30、R31-R38和R41-R45各自代表氫原子、具有1-6個碳原子的烷基、苯基和聯(lián)苯基中的任何基團。R46和R47各自代表具有1-6個碳原子的烷基和苯基中的任何基團。另外，R46和R47可相互連接形成環(huán)。R48代表氫原子、具有1-6個碳原子的烷基、苯基和聯(lián)苯基中的任何基團。另外，在以上結構中，通式(1)中Ar1和Ar2由以下通式(3-1)-(3-6)中任一個式代表。在式中，R51-R56、R61-R70、R71-R78和R81-R85各自代表氫原子、具有1-6個碳原子的烷基、苯基和聯(lián)苯基中的任何基團。R86和R87各自代表具有1-6個碳原子的烷基和苯基中的任何基團。另外，R86和R87可相互連接形成環(huán)。R88和R89各自代表氫原子、具有1-6個碳原子的烷基、苯基和聯(lián)苯基中的任何基團。另外，在以上結構中，通式(1)中R1由以下通式(4-1)-(4-9)任一個式代表，通式(1)中R2由以下通式(4-2)-(4-9)任一個式代表。在式中，R51-R70各自代表氫原子、具有1-6個碳原子的烷基、苯基和聯(lián)苯基中的任何基團。另外，本專利技術的一個特征由以下結構式(5)-(8)中任一個式代表。另外，作為本專利技術的另一個特征，發(fā)光元件包括電極對之間的EL層，EL層至少包括發(fā)光層和空穴-傳輸層，發(fā)光層和空穴-傳輸層中至少一個含上述任何咔唑衍生物。另外，作為本專利技術的另一個特征，發(fā)光元件包括位于陽極和陰極之間的EL層，EL層至少包括發(fā)光層、空穴-傳輸層和空穴-注入層，形成的空穴-注入層與陽極接觸，發(fā)光層、空穴-傳輸層和空穴-注入層中至少一個含上述任何咔唑衍生物。另外，在以上結構中，可使用結構，其中空穴-注入層含上述任何咔唑衍生物和相對于咔唑衍生物顯示電子接收性質的無機化合物。注意，可使用過渡金屬的氧化物作為無機化合物。另外，作為無機化合物，可使用氧化鈦、氧化釩、氧化鉬、氧化鎢、氧化錸、氧化釕、氧化鉻、氧化鋯、氧化鉿、氧化鉭和氧化銀中的一種或多種。另外，作為本專利技術的另一個特征，用任何上述發(fā)光元件形成發(fā)光器件，用該發(fā)光器件形成電子器件。另外，本專利技術還包括具有上述發(fā)光元件的發(fā)光器件和具有該發(fā)光器件的電子器件(devuce)。本說明書中的發(fā)光器件是指圖像顯示裝置、發(fā)光器件或光源(包括照明裝置)。另外，發(fā)光器件包括以下所有模塊：其中連接器例如柔性印刷電路(FPC)、帶式自動連接(TAB)帶，或帶式運輸器包裝(TCP)與發(fā)光器件連接的模塊；在TAB帶或TCP的末端提供有印刷線路板的模塊；和其中通過玻璃上芯片技術(COG)方法將集成電路(IC)直接安裝在發(fā)光元件上的模塊。因為本專利技術咔唑衍生物顯示高空穴-傳輸性質，所以它可主要用于空穴-傳輸層，該空穴-傳輸層包含在發(fā)光元件的EL層中。另外，本專利技術咔唑衍生物用于形成發(fā)光元件的空穴-傳輸層，由此可形成具有高發(fā)光效率的發(fā)光元件。另外，可用該發(fā)光元件得到發(fā)光器件和電子器件，它本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術保護點】
一種發(fā)光元件，包括：第一電極；所述第一電極上的EL層，該EL層包含由通式(1)表示的化合物；；以及所述EL層上的第二電極，其中：Ar2和R2各自為苯基；α1至α4各自由通式(2?1)表示，A1由通式(3?6)表示：；R1、R11、R12、R14、R15、R81至R85、R88以及R89各自為氫；R86和R87各自為具有1至6個碳原子的烷基；以及l(fā)、m以及n各自為0。
【技術特征摘要】
2007.12.03 JP 2007-312509;2008.05.16 JP 2008-129911.?一種發(fā)光元件，包括：
第一電極；
所述第一電極上的EL層，該EL層包含由通式(1)表示的化合物；
；以及
所述EL層上的第二電極，
其中：
Ar2和R2各自為苯基；
α1至α4各自由通式(2-1)表示，A1由通式(3-6)表示：
；
R1、R11、R12、R14、R15、R81至R85、R88以及R89各自為氫；
R86和R87各自為具有1至6個碳原子的烷基；以及
l、m以及n各自為0。
2.?權利要求1所示的發(fā)光元件，
其中，所述化合物由通式(7)表示：
。
3.?權利要求1所示的發(fā)光元件，
其中：
所述EL層包含接觸于所述第一電極的第一層；以及
所述第一層包含所述化合物以及具有受體性質的物質。
4.?權利要求3所示的發(fā)光元件，
其中，所述具有受體性質的物質選自氧化釩、氧化鈮、氧化鉭、氧化鉻、氧化鉬、氧化鎢、氧化錳和氧化錸。
5.?權利要求1所示的發(fā)光元件，
其中，所述EL層包括包含所述化合...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：野村洸子，尾坂晴惠，牛洼孝洋，川上祥子，瀨尾哲史，下垣智子，
申請(專利權)人：株式會社半導體能源研究所，
類型：發(fā)明
國別省市：日本;JP
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