一種芯片鍵合線焊接力度的檢測(cè)方法技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)涉及一種芯片鍵合線焊接力度的檢測(cè)方法，包括以下步驟：S1：配制質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20%~30%氫氧化鉀溶液；S2：檢查芯片是否已采用塑封材料進(jìn)行封裝，如果是，則轉(zhuǎn)到步驟S3，否則轉(zhuǎn)到步驟S5；S3：將芯片置入腐蝕液中，去除芯片的封裝材料，露出金線；S4：將芯片從腐蝕液中取出，用丙酮進(jìn)行清洗；S5：將S1中配置的氫氧化鉀溶液加熱，保持氫氧化鉀溶液溫度在40~60℃；S6：將芯片浸入S5的氫氧化鉀溶液中，腐蝕1.5~3分鐘，然后取出芯片；S7：用清水沖洗芯片；S8：用離子風(fēng)機(jī)將帶檢測(cè)芯片風(fēng)干；S9：將芯片置于40倍顯微鏡下，使用鉤針將目標(biāo)金線剝離焊墊，觀察芯片焊墊上的彈坑，以判斷鍵合線的焊接力度。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術(shù)屬于芯片焊接力度檢測(cè)
，涉及，尤其是一種金線作為鍵合線的焊接力度的檢測(cè)方法；該檢測(cè)方法既能夠快速將鍵合線和芯片進(jìn)行分離，又能夠確保鍵合線留在芯片上的彈坑的痕跡不受損壞。
技術(shù)介紹
在芯片的生產(chǎn)制造過(guò)程中，需要通過(guò)在芯片的晶圓焊墊上焊接鍵合線，以實(shí)現(xiàn)芯片內(nèi)部電路與外界電路的電連接，而鍵合線通常采用金線；鍵合線與晶圓焊墊的接觸點(diǎn)被稱為金球，焊接方式通常采用超聲焊焊接，使金線瞬間熔化并與焊墊粘接，從而實(shí)現(xiàn)芯片內(nèi)部電路與外界電路的電連接。 在實(shí)際操作過(guò)程中，由于各種原因?qū)?huì)導(dǎo)致焊接時(shí)力度不同，從而會(huì)影響芯片內(nèi)部電路與外界電路的電連接效果；如果焊接時(shí)力度過(guò)大可能會(huì)對(duì)焊墊甚至晶圓內(nèi)部的線路造成損傷，影響芯片質(zhì)量，而如果焊接力度過(guò)小可能會(huì)降低金線鍵合質(zhì)量，容易出現(xiàn)開(kāi)路的情況。 因此，為檢測(cè)鍵合線在焊接過(guò)程中的力度，通常會(huì)抽取部分芯片將鍵合線與焊墊分離，判斷鍵合線在焊墊留下的彈坑痕跡，以確定焊接力度是否合適，從而判斷焊接質(zhì)量是否達(dá)到生產(chǎn)要求；該過(guò)程通常被稱為彈坑實(shí)驗(yàn)。 現(xiàn)有技術(shù)中，通常采用酸性溶液，如磷酸、王水；或者雙氧水進(jìn)行彈坑實(shí)驗(yàn)；但是采用上述溶液進(jìn)行彈坑實(shí)驗(yàn)時(shí)，容易出現(xiàn)彈坑被溶液損傷，或者無(wú)法將鍵合線與焊墊進(jìn)行分離的現(xiàn)象；此為現(xiàn)有技術(shù)的不足之處。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)的目的在于，針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)缺陷，提供設(shè)計(jì)，以解決上述技術(shù)問(wèn)題，既能夠快速將鍵合線和芯片進(jìn)行分離，又能夠確保鍵合線留在芯片上的彈坑的痕跡不受損壞。 為實(shí)現(xiàn)上述目的，本專利技術(shù)給出以下技術(shù)方案:，包括以下步驟:51:配制質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20°/Γ30%的氫氧化鉀溶液；52:檢查待檢測(cè)芯片是否已采用塑封材料進(jìn)行封裝，如果是，則轉(zhuǎn)到步驟S3，否則轉(zhuǎn)到步驟S5 ；S3:將待檢測(cè)芯片置入腐蝕液中，去除檢測(cè)芯片的封裝材料，露出金線，在此過(guò)程中需要確保金線不受腐蝕液的影響； 54:將待檢測(cè)芯片從腐蝕液中取出，用丙酮進(jìn)行清洗，然后將待檢測(cè)芯片晾干；55:將SI中配置的氫氧化鉀溶液加熱，保持氫氧化鉀溶液溫度在4(T60°C ； 56:用鑷子將鍵合線外露的芯片輕輕浸入到S5中的氫氧化鉀溶液中進(jìn)行腐蝕，腐蝕 1.5^3分鐘，再用鑷子將待檢測(cè)芯片從氫氧化鉀溶液中取出；57:用清水充分沖洗待檢測(cè)芯片，以去除粘附于待檢測(cè)芯片表面殘余的氫氧化鉀溶液；58:采用離子風(fēng)機(jī)將帶檢測(cè)芯片風(fēng)干，以蒸發(fā)存留在待檢測(cè)芯片表面的水分；59:將待檢測(cè)芯片置于放大倍數(shù)為40倍的顯微鏡下，使用鉤針將目標(biāo)金線剝離焊墊，觀察芯片焊墊上的彈坑，以判斷鍵合線的焊接力度。 優(yōu)選地，所述步驟S3中的腐蝕液為硝酸；采用硝酸作為封裝材料的腐蝕液，能夠快速溶解封裝材料，同時(shí)不易破壞鍵合線。 優(yōu)選地，所述步驟SI中的氫氧化鉀溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20%，所述步驟S5中加熱的溫度為40°C，所述步驟S6中腐蝕時(shí)間為3分鐘。 優(yōu)選地，所述步驟SI中的氫氧化鉀溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20%，所述步驟S5中加熱的溫度為50°C，所述步驟S6中腐蝕時(shí)間為2.5分鐘。 [0011 ] 優(yōu)選地，所述步驟SI中的氫氧化鉀溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20%，所述步驟S5中加熱的溫度為60°C，所述步驟S6中腐蝕時(shí)間為2分鐘。 優(yōu)選地，所述步驟SI中的氫氧化鉀溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%，所述步驟S5中加熱的溫度為40°C，所述步驟S6中腐蝕時(shí)間為2.5分鐘。 優(yōu)選地，所述步驟SI中的氫氧化鉀溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%，所述步驟S5中加熱的溫度為50°C，所述步驟S6中腐蝕時(shí)間為2分鐘。 優(yōu)選地，所述步驟SI中的氫氧化鉀溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%，所述步驟S5中加熱的溫度為60°C，所述步驟S6中腐蝕時(shí)間為1.5分鐘。 本專利技術(shù)的有益效果在于，采用該檢測(cè)方法，既能夠使得鍵合線與焊墊分離，又能夠避免鍵合線與焊墊之間的彈坑痕跡被破壞，從而準(zhǔn)確檢測(cè)焊接芯片時(shí)的焊接力度；此外，本專利技術(shù)設(shè)計(jì)原理可靠，具有非常廣泛的應(yīng)用前景。 由此可見(jiàn)，本專利技術(shù)與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有突出的實(shí)質(zhì)性特點(diǎn)和顯著地進(jìn)步，其實(shí)施的有益效果也是顯而易見(jiàn)的。 【具體實(shí)施方式】 下面通過(guò)具體實(shí)施例對(duì)本專利技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)闡述，以下實(shí)施例是對(duì)本專利技術(shù)的解釋，而本專利技術(shù)并不局限于以下實(shí)施方式。 實(shí)施例一:本專利技術(shù)提供的，包括以下步驟:51:配制質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20°/Γ30%的氫氧化鉀溶液；52:檢查待檢測(cè)芯片是否已采用塑封材料進(jìn)行封裝，如果是，則轉(zhuǎn)到步驟S3，否則轉(zhuǎn)到步驟S5 ；S3:將待檢測(cè)芯片置入腐蝕液中，去除檢測(cè)芯片的封裝材料，露出金線，在此過(guò)程中需要確保金線不受腐蝕液的影響；54:將待檢測(cè)芯片從腐蝕液中取出，用丙酮進(jìn)行清洗，然后將待檢測(cè)芯片晾干；55:將SI中配置的氫氧化鉀溶液加熱，保持氫氧化鉀溶液溫度在4(T60°C ； 56:用鑷子將鍵合線外露的芯片輕輕浸入到S5中的氫氧化鉀溶液中進(jìn)行腐蝕，腐蝕 1.5^3分鐘，再用鑷子將待檢測(cè)芯片從氫氧化鉀溶液中取出；57:用清水充分沖洗待檢測(cè)芯片，以去除粘附于待檢測(cè)芯片表面殘余的氫氧化鉀溶液；58:采用離子風(fēng)機(jī)將帶檢測(cè)芯片風(fēng)干，以蒸發(fā)存留在待檢測(cè)芯片表面的水分；59:將待檢測(cè)芯片置于放大倍數(shù)為40倍的顯微鏡下，使用鉤針將目標(biāo)金線剝離焊墊，觀察芯片焊墊上的彈坑，以判斷鍵合線的焊接力度。 本實(shí)施例中，所述步驟S3中的腐蝕液為硝酸；采用硝酸作為封裝材料的腐蝕液，能夠快速溶解封裝材料，同時(shí)不易破壞鍵合線。 本實(shí)施例中，所述步驟SI中的氫氧化鉀溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20%，所述步驟S5中加熱的溫度為40°C，所述步驟S6中腐蝕時(shí)間為3分鐘。 實(shí)施例二:本實(shí)施例與實(shí)施例一的不同之處在于:本實(shí)施例中，所述步驟SI中的氫氧化鉀溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20%，所述步驟S5中加熱的溫度為50°C，所述步驟S6中腐蝕時(shí)間為2.5分鐘。 實(shí)施例三:本實(shí)施例與實(shí)施例一的不同之處在于:本實(shí)施例中，所述步驟SI中的氫氧化鉀溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20%，所述步驟S5中加熱的溫度為60°C，所述步驟S6中腐蝕時(shí)間為2分鐘。 實(shí)施例四:本實(shí)施例與實(shí)施例一的不同之處在于:本實(shí)施例中，所述步驟SI中的氫氧化鉀溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%，所述步驟S5中加熱的溫度為40°C，所述步驟S6中腐蝕時(shí)間為2.5分鐘。 實(shí)施例五:本實(shí)施例與實(shí)施例一的不同之處在于:本實(shí)施例中，所述步驟SI中的氫氧化鉀溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%，所述步驟S5中加熱的溫度為50°C，所述步驟S6中腐蝕時(shí)間為2分鐘。 實(shí)施例六:本實(shí)施例與實(shí)施例一的不同之處在于:本實(shí)施例中，所述步驟SI中的氫氧化鉀溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%，所述步驟S5中加熱的溫度為60°C，所述步驟S6中腐蝕時(shí)間為1.5分鐘。 以上公開(kāi)的僅為本專利技術(shù)的優(yōu)選實(shí)施方式，但本專利技術(shù)并非局限于此，任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員能思之的沒(méi)有創(chuàng)造性的變化，以及在不脫離本專利技術(shù)原理前提下所作的若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，都應(yīng)落在本專利技術(shù)的保護(hù)范圍內(nèi)。本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種芯片鍵合線焊接力度的檢測(cè)方法，包括以下步驟：S1：配制質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20%~30%的氫氧化鉀溶液；S2：檢查待檢測(cè)芯片是否已采用塑封材料進(jìn)行封裝，如果是，則轉(zhuǎn)到步驟S3，否則轉(zhuǎn)到步驟S5；S3：將待檢測(cè)芯片置入腐蝕液中，去除檢測(cè)芯片的封裝材料，露出金線，在此過(guò)程中需要確保金線不受腐蝕液的影響；S4：將待檢測(cè)芯片從腐蝕液中取出，用丙酮進(jìn)行清洗，然后將待檢測(cè)芯片晾干；S5：將S1中配置的氫氧化鉀溶液加熱，保持氫氧化鉀溶液溫度在40~60℃；S6：用鑷子將鍵合線外露的芯片輕輕浸入到S5中的氫氧化鉀溶液中進(jìn)行腐蝕，腐蝕1.5~3分鐘，再用鑷子將待檢測(cè)芯片從氫氧化鉀溶液中取出；S7：用清水充分沖洗待檢測(cè)芯片，以去除粘附于待檢測(cè)芯片表面殘余的氫氧化鉀溶液；S8：采用離子風(fēng)機(jī)將帶檢測(cè)芯片風(fēng)干，以蒸發(fā)存留在待檢測(cè)芯片表面的水分；S9：將待檢測(cè)芯片置于放大倍數(shù)為40倍的顯微鏡下，使用鉤針將目標(biāo)金線剝離焊墊，觀察芯片焊墊上的彈坑，以判斷鍵合線的焊接力度。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種芯片鍵合線焊接力度的檢測(cè)方法，包括以下步驟: 51:配制質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20°/Γ30%的氫氧化鉀溶液； 52:檢查待檢測(cè)芯片是否已采用塑封材料進(jìn)行封裝，如果是，則轉(zhuǎn)到步驟S3，否則轉(zhuǎn)到步驟S5 ； S3:將待檢測(cè)芯片置入腐蝕液中，去除檢測(cè)芯片的封裝材料，露出金線，在此過(guò)程中需要確保金線不受腐蝕液的影響； 54:將待檢測(cè)芯片從腐蝕液中取出，用丙酮進(jìn)行清洗，然后將待檢測(cè)芯片晾干； 55:將SI中配置的氫氧化鉀溶液加熱，保持氫氧化鉀溶液溫度在4(T60°C ； 56:用鑷子將鍵合線外露的芯片輕輕浸入到S5中的氫氧化鉀溶液中進(jìn)行腐蝕，腐蝕1.5^3分鐘，再用鑷子將待檢測(cè)芯片從氫氧化鉀溶液中取出； 57:用清水充分沖洗待檢測(cè)芯片，以去除粘附于待檢測(cè)芯片表面殘余的氫氧化鉀溶液； 58:采用離子風(fēng)機(jī)將帶檢測(cè)芯片風(fēng)干，以蒸發(fā)存留在待檢測(cè)芯片表面的水分； 59:將待檢測(cè)芯片置于放大倍數(shù)為40倍的顯微鏡下，使用鉤針將目標(biāo)金線剝離焊墊，觀察芯片焊墊上的彈坑，以判斷鍵合線的焊接力度。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種芯片鍵合線焊接力度的檢測(cè)方法，其特征在于:所述步驟S3中的腐蝕液為硝酸。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種芯片鍵合線焊接力度的檢測(cè)方法，其特征在于:所述...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：趙楊，王曉玉，楊國(guó)榮，代瑾，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：山東華芯半導(dǎo)體有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：山東;37