一種ITO靶材的陰極座優化方法技術

本發明專利技術公開一種ITO靶材的陰極座優化方法，包括以下步驟：（1）將若干套ITO靶材的陰極座裝在連續式磁控濺射鍍膜線上，每套ITO靶材的陰極座上設置三排磁鐵，其中兩排磁鐵的個數為10片，中間一排磁鐵的個數為9片；（2）設置在陰極座兩側的兩排磁鐵與中間一排磁鐵的距離均為75mm～85mm；（3）調節ITO靶材的陰極座上的三排磁鐵之間的間距，將陰極座兩側的兩排磁鐵之間的間距縮小為20mm～60mm。本發明專利技術對陰極座的磁鐵排列進行優化，縮短三排磁鐵間的距離20-60mm，從而縮小磁力線的分布范圍，達到縮小ITO靶材的尺寸節省ITO靶材的目的。

【技術實現步驟摘要】
一種ITO靶材的陰極座優化方法
本專利技術涉及ITO導電玻璃的制作領域，特別涉及一種ITO靶材的陰極座優化方法。
技術介紹
目前，ITO導電玻璃的制作是通過連續式磁控濺射鍍膜線制作生產的，現有的在連續式磁控濺射鍍膜線上安裝的一套ITO靶材陰極座的數量及其規格為10片50*50*6mm+9片310*60*6mm，這樣一套ITO靶材的重量為8.84kg；在連續式磁控濺射鍍膜線上裝滿ITO靶材陰極座的重量就相當大了，然而，在不影響制作ITO導電玻璃的前提下，ITO靶材陰極座的規格和重量可減少適當的范圍，以降低ITO靶材陰極座的制作成本。
技術實現思路
本專利技術的目的是針對現有技術的上述缺陷，提供一種ITO靶材的陰極座優化方法。該方法可大大減少每套ITO靶的重量，降低制作成本。為解決現有技術的上述缺陷，本專利技術提供的技術方案是：一種ITO靶材的陰極座優化方法，包括以下步驟：（1）、將若干套ITO靶材的陰極座裝在連續式磁控濺射鍍膜線上，每套ITO靶材的陰極座上設置三排磁鐵，其中兩排磁鐵的個數為10片，中間一排磁鐵的個數為9片；（2）、設置在陰極座兩側的兩排磁鐵與中間一排磁鐵的距離均為75mm～85mm；（3）、調節ITO靶材的陰極座上的三排磁鐵之間的間距，將陰極座兩側的兩排磁鐵之間的間距縮小為20mm～60mm。作為本專利技術ITO靶材的陰極座優化方法的一種改進，第（1）步所述陰極座兩側的兩排磁鐵的磁鐵尺寸為50mm×65mm×6mm。作為本專利技術ITO靶材的陰極座優化方法的一種改進，第（1）步所述中間一排磁鐵的磁鐵尺寸為300mm×50mm×6mm。作為本專利技術ITO靶材的陰極座優化方法的一種改進，第（1）步所述每套ITO靶材的陰極座重量為7.99kg。作為本專利技術ITO靶材的陰極座優化方法的一種改進，第（3）步所述陰極座兩側的兩排磁鐵之間的間距為60mm。與現有技術相比，本專利技術的優點是：本專利技術對陰極座的磁鐵排列進行優化，縮短三排磁鐵間的距離20-60mm，從而縮小磁力線的分布范圍，達到縮小ITO靶材的尺寸節省ITO靶材的目的，原來每套ITO靶的尺寸為1130×195×6mm，重量約為8.84KG，對陰極座磁鐵排列進行優化后，現在每套ITO靶的尺寸為1140×165×6mm，重量約為7.99KG，這樣每套ITO靶節省0.85KG，每套ITO靶材節省成本約4335元。具體實施方式下面就根據對比數據具體描述本專利技術。一種ITO靶材的陰極座優化方法，包括以下步驟：（1）、將若干套ITO靶材的陰極座裝在連續式磁控濺射鍍膜線上，每套ITO靶材的陰極座上設置三排磁鐵，其中兩排磁鐵的個數為10片，中間一排磁鐵的個數為9片；（2）、設置在陰極座兩側的兩排磁鐵與中間一排磁鐵的距離均為75mm～85mm；（3）、調節ITO靶材的陰極座上的三排磁鐵之間的間距，將陰極座兩側的兩排磁鐵之間的間距縮小為20mm～60mm。優選的，第（1）步所述陰極座兩側的兩排磁鐵的磁鐵尺寸為50mm×65mm×6mm。優選的，第（1）步所述中間一排磁鐵的磁鐵尺寸為300mm×50mm×6mm。優選的，第（1）步所述每套ITO靶材的陰極座重量為7.99kg。優選的，第（3）步所述陰極座兩側的兩排磁鐵之間的間距為60mm。將優化的陰極座裝在連續式磁控濺射鍍膜線的A面，B面裝優化前的陰極座，該設備屬于雙面鍍單面膜，裝好后開機做同樣的ITO玻璃產品，出來的產品分開放置，統計ITO玻璃產品的數量，直到ITO靶材用完為止，具體實驗數據如下表：原使用的ITO靶陰極座設計較大，導致購買一套的ITO靶材尺寸為10片50×50×6mm+9片310×60×6mm，這樣一套ITO靶材的重量為8.84kg。為了節省ITO靶材，我們重新設計陰極座的磁場，優化磁場后一套ITO靶材尺寸為10片50×65×6mm+9片300×50×6mm，這樣一套ITO靶材的重量為7.99kg，優化磁場后每套ITO靶材節省重量約為0.85kg。由以上數據可知：兩種不同規格的ITO靶材的產量相差不大，也就是說優化陰極座導致的修改ITO靶材規格尺寸對產品的產量沒有影響，但卻可以節省ITO靶材重量，每套能節約4335元。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種ITO靶材的陰極座優化方法，其特征在于，包括以下步驟：（1）、將若干套ITO靶材的陰極座裝在連續式磁控濺射鍍膜線上，每套ITO靶材的陰極座上設置三排磁鐵，其中兩排磁鐵的個數為10片，中間一排磁鐵的個數為9片；（2）、設置在陰極座兩側的兩排磁鐵與中間一排磁鐵的距離均為75mm～85mm；（3）、調節ITO靶材的陰極座上的三排磁鐵之間的間距，將陰極座兩側的兩排磁鐵之間的間距縮小為20mm～60mm。

【技術特征摘要】
1.一種ITO靶材的陰極座優化方法，其特征在于，包括以下步驟：（1）、將若干套ITO靶材的陰極座裝在連續式磁控濺射鍍膜線上，每套ITO靶材的陰極座上設置三排磁鐵，其中兩排磁鐵的個數為10片，中間一排磁鐵的個數為9片；（2）、設置在陰極座兩側的兩排磁鐵與中間一排磁鐵的距離均為75mm～85mm；（3）、調節ITO靶材的陰極座上的三排磁鐵之間的間距，將陰極座兩側的兩排磁鐵之間的間距縮小為20mm～60mm。2.根據權利要求1所述的ITO靶材的陰極座優化方法，...

【專利技術屬性】
技術研發人員：陳建湘，陳新文，盧瑋杰，薛仁奎，
申請(專利權)人：永州市新輝開科技有限公司，
類型：發明
國別省市：湖南;43