一種發(fā)光器件及其制作方法、顯示裝置、光檢測裝置制造方法及圖紙

本發(fā)明專利技術(shù)提供了一種發(fā)光器件及其制作方法、顯示裝置、光檢測裝置，涉及發(fā)光器件技術(shù)領(lǐng)域，能夠提高發(fā)光器件的出光效率。其中發(fā)光器件包括：基板及依次層疊于基板上的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陽極，空穴傳輸層和/或電子傳輸層的形成材料包括光導(dǎo)電高分子材料。由于光導(dǎo)電高分子材料在光照激發(fā)下能夠產(chǎn)生載流子，促進(jìn)載流子轉(zhuǎn)移，提高器件的載流子傳輸性能，因此本發(fā)明專利技術(shù)所提供的發(fā)光器件具有更高的出光效率。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
—種發(fā)光器件及其制作方法、顯示裝置、光檢測裝置
本專利技術(shù)涉及發(fā)光器件
，尤其涉及一種發(fā)光器件及其制作方法、顯示裝置、光檢測裝置。
技術(shù)介紹
OLED(Organic Light-Emitting D1de,有機(jī)發(fā)光二極管)顯示器件具備自發(fā)光、對(duì)比度高、厚度薄、視角廣、反應(yīng)速度快、可用于柔性面板、使用溫度范圍廣、構(gòu)造及制程較簡單等優(yōu)點(diǎn)，是目前平面顯示器技術(shù)的主流發(fā)展方向之一。 OLED顯示器件主要包括一 TFT (Thin Film Transistor，薄膜晶體管)陣列基板及設(shè)置于其上的OLED發(fā)光器件，其中OLED發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)包括依次層疊的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極。當(dāng)向OLED發(fā)光器件兩端施加電壓后，陽極中的空穴經(jīng)過空穴注入層和空穴傳輸層、陰極中的電子經(jīng)過電子傳輸層注入發(fā)光層中發(fā)生復(fù)合，激發(fā)發(fā)光層中的發(fā)光材料向外輻射光子，實(shí)現(xiàn)器件發(fā)光。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
基于上述現(xiàn)有技術(shù)的現(xiàn)狀，本專利技術(shù)提供一種發(fā)光器件及其制作方法、顯示裝置、光檢測裝置，以提高發(fā)光器件的出光效率。 為達(dá)到上述目的，本專利技術(shù)采用如下技術(shù)方案: 本專利技術(shù)的第一方面提供了一種發(fā)光器件，包括:基板及依次層疊于所述基板上的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極，其特征在于，所述空穴傳輸層和/或所述電子傳輸層的形成材料包括光導(dǎo)電高分子材料。 優(yōu)選的，當(dāng)所述空穴傳輸層的形成材料包括光導(dǎo)電高分子材料時(shí)，所述空穴傳輸層所包括的光導(dǎo)電高分子材料為P型光導(dǎo)電高分子材料。 優(yōu)選的，所述空穴傳輸層所包括的光導(dǎo)電高分子材料為聚乙烯咔唑及其衍生物、、酞菁及其聚合物或偶氮類高分子。 優(yōu)選的，當(dāng)所述電子傳輸層的形成材料包括光導(dǎo)電高分子材料時(shí)，所述電子傳輸層所包括的光導(dǎo)電高分子材料為N型光導(dǎo)電高分子材料。 優(yōu)選的，所述電子傳輸層的形成材料包括無機(jī)納米晶。 優(yōu)選的，所述電子傳輸層的形成材料所包括的無機(jī)納米晶為ZnO納米晶。 優(yōu)選的，所述發(fā)光層的形成材料包括量子點(diǎn)材料。 優(yōu)選的，所述發(fā)光層的材料所包括的量子點(diǎn)材料為有包覆層包覆的半導(dǎo)體納米晶。 優(yōu)選的，所述發(fā)光層的材料所包括的量子點(diǎn)材料為有包覆層包覆的S1、C、InAs,InP、GaAs、CdSe、CdS、CdSe 和 CdTe 中的至少一種。 本專利技術(shù)的第二方面提供了一種發(fā)光器件的制作方法，用于制作以上所述的發(fā)光器件，所述制作方法包括:采用光導(dǎo)電高分子材料形成空穴傳輸層和/或電子傳輸層。 優(yōu)選的，所述發(fā)光器件還包括:采用量子點(diǎn)材料形成發(fā)光層。 本專利技術(shù)的第三方面提供了一種顯示裝置，包括權(quán)利要求以上所述的發(fā)光器件。 本專利技術(shù)的第四方面提供了一種光檢測裝置，包括以上所述的發(fā)光器件。 本專利技術(shù)所提供的發(fā)光器件及其制作方法、顯示裝置、光檢測裝置中，發(fā)光器件的空穴傳輸層和/或電子傳輸層的形成材料包括光導(dǎo)電高分子材料，由于光導(dǎo)電高分子材料在光照激發(fā)下能夠產(chǎn)生載流子，促進(jìn)載流子轉(zhuǎn)移，提高器件的載流子傳輸性能，因此本專利技術(shù)所提供的發(fā)光器件具有更高的出光效率。 【附圖說明】 為了更清楚地說明本專利技術(shù)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本專利技術(shù)的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。 圖1為本專利技術(shù)實(shí)施例所提供的顯示裝置的平面結(jié)構(gòu)圖； 圖2為圖1中A-A面的截面圖。 【具體實(shí)施方式】 為使本專利技術(shù)的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面將結(jié)合本專利技術(shù)實(shí)施例中的附圖，對(duì)本專利技術(shù)實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本專利技術(shù)一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本專利技術(shù)中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，均屬于本專利技術(shù)保護(hù)的范圍。 本實(shí)施例提供了一種發(fā)光器件，如圖2所示，包括:基板I及依次層疊于基板I上的陽極2、空穴注入層3、空穴傳輸層4、發(fā)光層5、電子傳輸層6和陰極7,其中，空穴傳輸層4和/或電子傳輸層6的形成材料包括光導(dǎo)電高分子材料。 本實(shí)施例所提供的發(fā)光器件采用光導(dǎo)電高分子材料形成空穴傳輸層和/電子傳輸層，由于光導(dǎo)電高分子材料在光照激發(fā)下能夠產(chǎn)生載流子，促進(jìn)載流子轉(zhuǎn)移，因此采用光導(dǎo)電高分子材料形成空穴傳輸層和/電子傳輸層，能夠提高空穴傳輸層和/電子傳輸層的載流子傳輸效率，從而增大發(fā)光器件的出光效率。 具體的,若空穴傳輸層4的形成材料包括光導(dǎo)電高分子材料,則空穴傳輸層所包括的光導(dǎo)電高分子材料為P型光導(dǎo)電高分子材料，P型光導(dǎo)電高分子材料在光照時(shí)所產(chǎn)生的載流子為空穴，因此能夠提高空穴的傳輸效率。 此時(shí)，空穴傳輸層4所包括的光導(dǎo)電高分子材料優(yōu)選的可為聚乙烯咔唑(PVK)及其衍生物、酞菁及其聚合物、偶氮類高分子等，更優(yōu)選為PVK及其衍生物，PVK是由N-乙烯基咔唑單體聚合得到，具有電致發(fā)光性能，光致發(fā)光峰的位置在412nm，由于咔唑側(cè)基的存在，PVK具有很強(qiáng)的空穴傳輸能力，通過協(xié)同效應(yīng)提高器件的發(fā)光效率，同時(shí)PVK還具有較強(qiáng)的耐熱、耐稀酸和稀堿的性能，有利于提高器件的穩(wěn)定性。 若電子傳輸層6的形成材料包括光導(dǎo)電高分子材料,則電子傳輸層6所包括的光導(dǎo)電高分子材料為N型光導(dǎo)電高分子材料，N型光導(dǎo)電高分子材料在光照激發(fā)下所產(chǎn)生的載流子為電子，因此能夠提高電子的傳輸效率。 在本專利技術(shù)的其它實(shí)施例中，電子傳輸層6的形成材料優(yōu)選的可包括無機(jī)納米晶，更優(yōu)選為ZnO納米晶，以進(jìn)一步提高器件的出光效率。 基于以上所述的技術(shù)方案,本實(shí)施例中的發(fā)光器件的發(fā)光層5的形成材料可選用用于發(fā)出不同顏色的光的熒光材料或者量子點(diǎn)材料，本實(shí)施例中優(yōu)選為量子點(diǎn)材料。量子點(diǎn)材料的量子尺寸效應(yīng)和介電限域效應(yīng)使其具有獨(dú)特的光致發(fā)光和電致發(fā)光性質(zhì)，能夠作為發(fā)光器件的發(fā)光層。相比傳統(tǒng)的熒光材料的發(fā)光器件，本實(shí)施例所提供的發(fā)光器件采用量子點(diǎn)材料形成發(fā)光層，發(fā)光層的發(fā)光效率高，從而進(jìn)一步提高了發(fā)光器件的出光效率。 另外，量子點(diǎn)發(fā)光器件還具有光化學(xué)穩(wěn)定性高、不易光解、寬激發(fā)、窄發(fā)射、高色純度等優(yōu)點(diǎn)，并且，無需對(duì)應(yīng)不同發(fā)光顏色的需求選擇不同的熒光材料，僅通過控制量子點(diǎn)材料的尺寸或者材料組成，就能夠調(diào)節(jié)發(fā)光器件的發(fā)光光譜(從近紅外到紫外)，實(shí)現(xiàn)改變發(fā)光顏色的目的。 本實(shí)施例中，發(fā)光層5的材料所包括的量子點(diǎn)材料優(yōu)選的可為有包覆層包覆的半導(dǎo)體納米晶，例如可為:有包覆層包覆的由S1、C等IV族元素形成的材料，由InAs、InP、GaAs等III族和V族元素形成的材料，CdSe、CdS、CdSe、CdTe等II族和VI族元素形成的材料中的至少一種。發(fā)光層5中量子點(diǎn)的直徑優(yōu)選的可為2nm?10nm，以進(jìn)一步提高量子產(chǎn)量，增大器件的發(fā)光效率。 與本實(shí)施例所提供的發(fā)光器件相對(duì)應(yīng)的，本實(shí)施例還提供了發(fā)光器件的制作方法，該制作方法包括采用光導(dǎo)電高分子材料形成空穴傳輸層和/或電子傳輸層的步驟，以利用光導(dǎo)電高分子材料在光照激發(fā)下能夠產(chǎn)生載流子的性能，提高所制作的發(fā)光器件的出光效率。 進(jìn)一步的，本實(shí)施所提供的制作方法還可以包括采用量子點(diǎn)材料形成發(fā)光層的步驟，以利用量子點(diǎn)材料發(fā)光本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種發(fā)光器件，包括：基板及依次層疊于所述基板上的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極，其特征在于，所述空穴傳輸層和/或所述電子傳輸層的形成材料包括光導(dǎo)電高分子材料。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種發(fā)光器件，包括:基板及依次層疊于所述基板上的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極，其特征在于，所述空穴傳輸層和/或所述電子傳輸層的形成材料包括光導(dǎo)電高分子材料。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，當(dāng)所述空穴傳輸層的形成材料包括光導(dǎo)電高分子材料時(shí)，所述空穴傳輸層所包括的光導(dǎo)電高分子材料為P型光導(dǎo)電高分子材料。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴傳輸層所包括的光導(dǎo)電高分子材料為聚乙烯咔唑及其衍生物、酞菁及其聚合物或偶氮類高分子。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，當(dāng)所述電子傳輸層的形成材料包括光導(dǎo)電高分子材料時(shí)，所述電子傳輸層所包括的光導(dǎo)電高分子材料為N型光導(dǎo)電高分子材料。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述電子傳輸層的形成材料包括無機(jī)納米晶。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述電子傳輸層的形成材料所包括的無機(jī)納...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：谷敬霞，舒適，呂志軍，張鋒，
申請(專利權(quán))人：京東方科技集團(tuán)股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：北京;11