磁芯片及傳感器制造技術

本發明專利技術提供一種磁芯片，包括襯底和設于所述襯底表面的至少一個惠斯通電橋，所述惠斯通電橋包括多條磁感應膜，其特征在于，同一所述惠斯通電橋中的所述磁感應膜設置在同一直線上。該磁芯片的一致性好，靈敏度高。本發明專利技術還提供一種傳感器。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術屬于精密測量領域,具體涉及一種磁芯片及傳感器。?
技術介紹
傳感器是利用磁阻效應獲得的傳感器，被廣泛應用于用于金融領域的驗鈔機磁頭和讀卡器或者重放磁記錄信息的磁頭等。傳統的傳感器包含線圈和鐵芯，線圈感應磁場而產生電動勢，而且該感生電動勢的大小與磁場強度成比例，即利用線圈和鐵芯作為磁檢測部件。?隨著金融業的發展，傳感器逐漸向小型化和超薄化發展，尤其是移動支付終端業務的興起。同時對傳感器的靈敏度和抗干擾能力提出了更高的要求。對于傳統的傳感器而言，增加線圈的匝數可以提高傳感器的靈敏度抗干擾能力，然而必然增大傳感器的體積，無法實現小型化和超薄化。因此，傳統的傳感器已無法適應金融業的發展要求。?為此，相關技術人員開發了磁芯片，即利用磁芯片作為磁檢測部件，磁芯片包括磁感應膜形成的惠斯通電橋，但是在檢測方向（磁芯片與被檢測介質的相對移動方向）上，構成惠斯通電橋的磁感應膜之間相隔一定間隙，影響了磁芯片的一致性和靈敏度。?
技術實現思路
本專利技術要解決的技術問題就是針對傳感器中存在的上述缺陷，提供一種磁芯片，其靈敏度和一致性高。?為此，本專利技術提供一種磁芯片，包括襯底和設于所述襯底表面的至少一個惠斯通電橋，所述惠斯通電橋包括多條磁感應膜，同一所述惠斯通電橋中的所述磁感應膜設置在同一直線上。?其中，所述惠斯通電橋包括兩條磁感應膜，所述兩條磁感應膜形成惠斯通半橋電路，每條所述磁感應膜作為惠斯通半橋電路的一個橋臂，并且所述兩條磁感應膜的釘扎方向相反。?其中，所述惠斯通電橋包括四條磁感應膜，所述四條磁感應膜形成惠斯通全?橋電路，每條所述磁感應膜作為惠斯通全橋電路的一個橋臂，并且相鄰兩橋臂的釘扎方向相同。?其中，不同所述惠斯通電橋的所述磁感應膜設置在同一直線上。?其中，在所述惠斯通電橋中，位于最外側的所述磁感應膜的邊緣端還設有與其連接的補償偏置膜。?其中，所述磁感應膜為GMR膜、巨磁阻膜、霍爾效應膜、各向異性磁阻膜、隧道效應磁阻膜或巨霍爾效應膜。?其中，所述磁感應膜為連續不間斷薄膜或不連續間斷薄膜。?其中，所述惠斯通電橋包括多個芯片焊盤，所述多個芯片焊盤與對應地所述磁感應膜電連接，以利于電連接所述磁感應膜。?本專利技術還提供一種傳感器，包括磁檢測部件、支架、外殼和線路板，所述支架和所述外殼扣合在一起形成容納空間，所述磁檢測部件設于所述容納空間內，所述線路板用于將所述磁檢測部件獲得的電壓信號輸出，所述磁檢測部件為磁芯片，所述磁芯片采用本專利技術提供的所述磁芯片。?其中，所述線路板為軟線路板。?其中，還包括由導磁材料制作的磁調制裝置，所述磁調制裝置設有容納部，所述磁芯片設于所述容納部。?其中，所述外殼采用鐵氧體、坡莫合金或硅鋼片材料制作，在所述外殼上設有與所述磁芯片數量一致的窗口，每一所述磁芯片對應一所述窗口，所述磁芯片的感應面朝向所述窗口。?其中，所述外殼采用鐵氧體、坡莫合金或硅鋼片材料制作，在所述外殼上設有一窗口，所述磁芯片與所述窗口相對，且所述磁芯片的感應面朝向所述窗口。?其中，所述外殼采用非屏蔽材料制作。?其中，在所述外殼頂面的內側設有凹槽，所述凹槽的數量及設置位置與所述磁芯片的數量和位置一致，所述磁芯片對應地嵌于所述凹槽。?其中，在所述外殼頂面的內側設有一個凹槽，所述磁芯片嵌于所述凹槽。?其中，所述外殼的頂面為弧面或平面。?其中，在所述外殼和所述支架之間設有還設有屏蔽板。?其中，在所述屏蔽板的兩相對側設有凸部，在所述外殼上設有與所述凸部位置及形狀相匹配的凹部，所述支架和所述外殼扣合在一起時，所述凸部卡接在所述凹部；在所述支架上設有固定部，所述外殼和所述支架通過所述固定部固定在?一起。?其中，所述屏蔽板采用坡莫合金或鐵氧體或硅鋼片材料制作。?其中，所述支架的兩端設有連接部。?本專利技術具有以下有益效果：?本專利技術提供的磁芯片，將每一輸出通道中構成惠斯通電橋的多條磁感應膜設置在同一直線上，以提高磁感應膜的對稱性，從而可以提高磁芯片的一致性和靈敏度。?本專利技術提供的傳感器，磁檢測部件采用磁芯片，減小了傳感器的厚度和體積，使傳感器適于小型化和超薄化，傳感器的厚度可以從現有5.5mm減小至3mm以下；磁芯片中每一惠斯通電橋的多條磁感應膜設置在同一直線上，可以提高磁感應膜的對稱性，從而提高了磁芯片的一致性和靈敏度，進而提高傳感器的一致性和靈敏度。?附圖說明圖1為本專利技術實施例傳感器的結構示意圖；?圖2為本專利技術實施例傳感器的分解圖；?圖3a為本專利技術實施例磁芯片的結構示意圖；?圖3b為本專利技術另一實施例磁芯片的結構示意圖；?圖3c為本專利技術再一實施例磁芯片的結構示意圖；?圖4為本專利技術又一實施例磁芯片的結構示意圖；?圖5為本專利技術另一實施例傳感器的分解圖；?圖6為本專利技術又一實施例傳感器的分解圖；?圖7為圖6所示傳感器的局部放大圖；?圖8a為本專利技術一個優選實施例傳感器的分解圖；?圖8b為圖8a所示優選實施例傳感器的部分結構的放大圖；?圖9a為本專利技術另一實施例傳感器的結構示意圖；?圖9b為圖9a所示實施例傳感器的分解圖；?圖9c為圖9a所示實施例傳感器中部分結構的放大圖；?圖10a為本專利技術一個優選實施例外殼的結構示意圖；?圖10b為本專利技術另一優選實施例外殼的結構示意圖。?具體實施方式為使本領域的技術人員更好地理解本專利技術的技術方案，下面結合附圖對本發?明提供的磁芯片和傳感器進行詳細描述。?如圖1和圖2所示，傳感器包括支架1、外殼2、磁檢測部件和線路板4，支架1和外殼2扣合在一起形成容納空間，磁檢測部件設于該容納空間內。磁檢測部件用于感應設于被檢測介質內的磁媒介的磁場，并獲得電壓信號。線路板4用于將磁檢測部件獲得的電壓信號輸出，即，在線路板4上設有布線（圖中未示出），線路板4的一端設于外殼2內，另一端自外殼2伸出，磁檢測部件的輸入、輸出端與設于線路板4的布線對應電連接，檢測部件3獲得的電壓信號通過設于線路板4上的布線輸出。?本實施例傳感器設有三個磁檢測部件。實際上，磁檢測部件的數量可以根據實際需要任意設定。這里僅以一個磁檢測部件為例進行介紹。?在本實施例中，磁檢測部件為磁芯片。如圖3a所示，磁芯片3包括襯底31、和惠斯通電橋，每一惠斯通電橋對應一個輸出通道?；菟雇姌虬▋蓷l磁感應膜32和三個焊盤33，惠斯通電橋設于襯底31的表面，也就是磁感應膜32和焊盤33設于襯底31的表面，兩條磁感應膜32形成惠斯通半橋，每條磁感應膜32作為惠斯通半橋的一個橋臂。而且兩條磁感應膜32的釘扎方向相反，即相鄰兩個橋臂的釘扎方向相反。在本實施例中，將兩條磁感應膜32設于同一直線上，也就是說，形成惠斯通半橋的橋臂均在同一直線上，以使兩個橋臂可以同時感應磁場。因此，惠斯通半橋的橋臂設于同一直線與惠斯通半橋的橋臂不在同一直線相比，橋臂之間的對稱性更好，不僅可以提高磁本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種磁芯片，包括襯底和設于所述襯底表面的至少一個惠斯通電橋，所述惠斯通電橋包括多條磁感應膜，其特征在于，同一所述惠斯通電橋中的所述磁感應膜設置在同一直線上。

【技術特征摘要】
2013.08.30 CN 20131038909561.一種磁芯片，包括襯底和設于所述襯底表面的至少一個惠斯通電橋，所述
惠斯通電橋包括多條磁感應膜，其特征在于，同一所述惠斯通電橋中的所述磁感
應膜設置在同一直線上。
2.根據權利要求1所述的磁芯片，其特征在于，所述惠斯通電橋包括兩條磁
感應膜，所述兩條磁感應膜形成惠斯通半橋電路，每條所述磁感應膜作為惠斯通
半橋電路的一個橋臂，并且所述兩條磁感應膜的釘扎方向相反。
3.根據權利要求1所述的磁芯片，其特征在于，所述惠斯通電橋包括四條磁
感應膜，所述四條磁感應膜形成惠斯通全橋電路，每條所述磁感應膜作為惠斯通
全橋電路的一個橋臂，并且相鄰兩橋臂的釘扎方向相同。
4.根據權利要求1所述的磁芯片，其特征在于，不同所述惠斯通電橋的所述
磁感應膜設置在同一直線上。
5.根據權利要求1所述的磁芯片，其特征在于，在所述惠斯通電橋中，位于
最外側的所述磁感應膜的邊緣端還設有與其連接的補償偏置膜。
6.根據權利要求1所述的磁芯片，其特征在于,所述磁感應膜為GMR膜、巨
磁阻膜、霍爾效應膜、各向異性磁阻膜、隧道效應磁阻膜或巨霍爾效應膜。
7.根據權利要求1所述的磁芯片，其特征在于,所述磁感應膜為連續不間斷
薄膜或不連續間斷薄膜。
8.根據權利要求1-7任意一項所述的磁芯片，其特征在于，所述惠斯通電橋
包括多個芯片焊盤，所述多個芯片焊盤與對應地所述磁感應膜電連接，以利于電
連接所述磁感應膜。
9.一種傳感器，包括磁檢測部件、支架、外殼和線路板，所述支架和所述外
殼扣合在一起形成容納空間，所述磁檢測部件設于所述容納空間內，所述線路板
用于將所述磁檢測部件獲得的電壓信號輸出，其特征在于，所述磁檢測部件為磁
芯片，所述磁芯片采用權利要求1-8任意一項所述磁芯片。
10.根...

【專利技術屬性】
技術研發人員：姚明高，時啟猛，劉樂杰，
申請(專利權)人：北京嘉岳同樂極電子有限公司，
類型：發明
國別省市：北京;11