可編程電子熔絲的測試結構制造技術

本實用新型專利技術涉及一種可編程電子熔絲的測試結構，包括：獨立設置的第一測試子結構、第二測試子結構和第三測試子結構；其中，第三測試子結構包括第一可編程電子熔絲陣列、第一晶體管、第三測試焊盤、第四測試焊盤、第五測試焊盤和第六測試焊盤，第一晶體管的源極與第三測試焊盤連接，第一晶體管的柵極與第五測試焊盤連接，第一晶體管的漏極分別與第四測試焊盤和第六測試焊盤連接，第一可編程電子熔絲陣列設置于第一晶體管的漏極與第六測試焊盤之間。在本實用新型專利技術提供的可編程電子熔絲的測試結構中，采用可編程電子熔絲陣列代替單個可編程電子熔絲以實現了熔斷電流的分流，在施加熔斷電壓時，可編程電子熔絲陣列中的可編程電子熔絲單元不會發生熔斷，因此能夠測得熔斷電流。（*該技術在2024年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】
可編程電子熔絲的測試結構
本技術涉及可編程電子熔絲
，特別涉及一種可編程電子熔絲的測試結構。
技術介紹
隨著電子技術的不斷進步，電子產品也逐步向智能化轉變。為了滿足客戶的不同需要，在該行業中所占比重較大的電子產品要求可以實現自動編程從而實現不同的功能。因此，可編程電子熔絲(e-Fuse)技術在原始集成電路技術基礎上應運而生，它具有多種優點，不但能夠執行冗余，從而提高芯片的成品率，而且能夠使芯片進行自動編程從而更加自動化和智能化。可編程電子熔絲能夠讓不同用戶能夠根據自身不同的要求實現編程。舉例來說，兩種相同功能的芯片內部電路設計完全不同，之前需要研發兩款不同的芯片，而現在通過采用可編程電子熔絲的編程電路，只需要研發一種芯片，等到芯片制作完成后由外部數據進行選擇，使這種芯片從標準狀態編程為其他功能的芯片，從而降低了研發與制作成本，實現了芯片的智能化。如此，不僅大大減小了設計費用，還減小了制造成本，同時增加了成品率，進而降低了芯片價格。 可編程電子熔絲具有完好狀態和熔斷狀態兩種狀態，處于完好狀態時可編程電子熔絲的電阻值相對較低(例如，100 Ω )，而處于熔斷狀態時可編程電子熔絲已被熔斷，其電阻值相對較高(例如，100ΚΩ)。可編程電子熔絲在完好狀態和熔斷狀態的電阻值以及熔斷電流都是非常重要的特性參數，因此在設計階段就需要對其進行檢測，以確保可編程電子熔絲的各項特性符合設計要求。 請參考圖1，其為現有技術的可編程電子熔絲的測試結構的結構示意圖。如圖1所示，現有技術中采用可編程電子熔絲的測試結構100用以檢測可編程電子熔絲的各項特性，所述可編程電子熔絲的測試結構100包括獨立設置的第一測試子結構110和第二測試子結構120，所述第一測試子結構110包括第一測試焊盤111、第二測試焊盤112和連接于第一測試焊盤111和第二測試焊盤112之間的第一可編程電子熔絲113，所述第二測試子結構120包括第二可編程電子熔絲121、晶體管122、第三測試焊盤123、第四測試焊盤124、第五測試焊盤125和第六測試焊盤126，所述晶體管122的源極S與所述第三測試焊盤123連接，柵極G與所述第五測試焊盤125連接，漏極D分別與所述第四測試焊盤124和第六測試焊盤126連接，所述第二可編程電子熔絲121連接于所述晶體管122的漏極D與第六測試焊盤126之間，其中，所述第一可編程電子熔絲113和第二可編程電子熔絲121由相同工藝制造并具有相同的特征。 在所述可編程電子熔絲的測試結構100中，所述第一測試子結構110用于測量可編程電子熔絲在完好狀態的電阻值，所述第二測試子結構120用于測量可編程電子熔絲在熔斷狀態的電阻值。測量可編程電子熔絲在完好狀態的電阻值時，所述第一測試焊盤111接地，所述第二測試焊盤112上施加測試電壓，此時所述第一可編程電子熔絲113未發生熔斷，保持完好狀態。通過測量流經所述第一可編程電子熔絲113的電流值，可得到完好狀態的電阻值。 測量可編程電子熔絲在熔斷狀態的電阻值之前，需要先熔斷可編程電子熔絲。如圖1所示，所述晶體管122的源極S通過所述第三測試焊盤123接地，所述晶體管122的柵極G和漏極D通過所述第五測試焊盤125和第六測試焊盤126分別被施加了柵極電壓Vgate和熔斷電壓Vpp，此時所述晶體管122導通，熔斷電流流經所述第二可編程電子熔絲121，進而將所述第二可編程電子熔絲121熔斷。 測量可編程電子熔絲在熔斷狀態的電阻值時，所述第四測試焊盤124接地，通過在所述第六測試焊盤126上施加測試電壓，并測量流經所述第二可編程電子熔絲121的電流值可得到熔斷狀態的電阻值。 熔斷電流是在熔斷瞬間流經可編程電子熔絲的電流值，需要在所述柵極電壓Vgate和恪斷電壓Vpp上升到特定的電壓值才能測量。然而，所述柵極電壓Vgate和恪斷電壓Vpp上升到特定電壓值的瞬間，所述第二可編程電子熔絲121就被熔斷了。因此，采用現有的可編程電子熔絲的測試結構100無法檢測可編程電子熔絲的熔斷電流。目前，只能通過模擬可編程電子熔絲的電流電壓曲線和負載曲線得到熔斷電流的模擬值。
技術實現思路
本技術的目的在于提供一種可編程電子熔絲的測試結構，以解決現有技術中可編程電子熔絲的測試結構無法檢測熔斷電流的問題。 為解決上述問題，本技術提供一種可編程電子熔絲的測試結構，所述可編程電子熔絲的測試結構包括:獨立設置的第一測試子結構、第二測試子結構和第三測試子結構；其中，所述第三測試子結構包括第一可編程電子熔絲陣列、第一晶體管、第三測試焊盤、第四測試焊盤、第五測試焊盤和第六測試焊盤，所述第一晶體管的源極與所述第三測試焊盤連接，所述第一晶體管的柵極與所述第五測試焊盤連接，所述第一晶體管的漏極分別與所述第四測試焊盤和第六測試焊盤連接，所述第一可編程電子熔絲陣列設置于所述第一晶體管的漏極與所述第六測試焊盤之間。 可選的，在所述的可編程電子熔絲的測試結構中，所述第一可編程電子熔絲陣列由m行Xn列的可編程電子熔絲單元組成，m和η均為大于I的整數。 可選的，在所述的可編程電子熔絲的測試結構中，所述第一可編程電子熔絲陣列的行數和列數相等。 可選的，在所述的可編程電子熔絲的測試結構中，所述第一測試子結構包括第一測試焊盤、第二測試焊盤和第二可編程電子熔絲陣列；所述第二可編程電子熔絲陣列的兩端分別與所述第一測試焊盤和第二測試焊盤連接。 可選的，在所述的可編程電子熔絲的測試結構中，所述第二可編程電子熔絲陣列的結構與所述第一可編程電子熔絲陣列的結構相同。 可選的，在所述的可編程電子熔絲的測試結構中，所述第二測試子結構包括一可編程電子熔絲單體、第二晶體管、第七測試焊盤、第八測試焊盤、第九測試焊盤和第十測試焊盤；所述第二晶體管的源極與第七測試焊盤連接，所述第二晶體管的漏極分別與所述第八測試焊盤和第十測試焊盤連接，所述第二晶體管的柵極與第九測試焊盤連接，所述可編程電子熔絲單體設置于所述第二晶體管的漏極與所述第十測試焊盤之間。 可選的，在所述的可編程電子熔絲的測試結構中，所述可編程電子熔絲單元和所述可編程電子熔絲單體均由相同工藝制造并具有相同的特征。 綜上所述，在本技術提供的可編程電子熔絲的測試結構中，采用可編程電子熔絲陣列代替單個可編程電子熔絲以實現了熔斷電流的分流，在施加熔斷電壓時，所述可編程電子熔絲陣列中的可編程電子熔絲單元不會發生熔斷，因此能夠測得熔斷電流。 【附圖說明】 圖1是現有技術的可編程電子熔絲的測試結構的結構示意圖； 圖2是本技術實施例的可編程電子熔絲的測試結構的結構示意圖； 圖3是本技術實施例的第一可編程電子熔絲陣列的結構示意圖。 【具體實施方式】 以下結合附圖和具體實施例對本技術提出的可編程電子熔絲的測試結構作進一步詳細說明。根據下面說明和權利要求書，本技術的優點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本技術實施例的目的。 請參考圖2，其為本技術實施例的可編程電子熔絲的測試結構的結構示意圖。如圖2所示，所述可編程電子熔絲的測試結構200包括:獨立設置的第一本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種可編程電子熔絲的測試結構，其特征在于，包括：獨立設置的第一測試子結構、第二測試子結構和第三測試子結構；其中，所述第三測試子結構包括第一可編程電子熔絲陣列、第一晶體管、第三測試焊盤、第四測試焊盤、第五測試焊盤和第六測試焊盤，所述第一晶體管的源極與所述第三測試焊盤連接，所述第一晶體管的柵極與所述第五測試焊盤連接，所述第一晶體管的漏極分別與所述第四測試焊盤和第六測試焊盤連接，所述第一可編程電子熔絲陣列設置于所述第一晶體管的漏極與所述第六測試焊盤之間。

【技術特征摘要】
1.一種可編程電子熔絲的測試結構，其特征在于，包括:獨立設置的第一測試子結構、第二測試子結構和第三測試子結構；其中，所述第三測試子結構包括第一可編程電子熔絲陣列、第一晶體管、第三測試焊盤、第四測試焊盤、第五測試焊盤和第六測試焊盤，所述第一晶體管的源極與所述第三測試焊盤連接，所述第一晶體管的柵極與所述第五測試焊盤連接，所述第一晶體管的漏極分別與所述第四測試焊盤和第六測試焊盤連接，所述第一可編程電子熔絲陣列設置于所述第一晶體管的漏極與所述第六測試焊盤之間。2.如權利要求1所述的可編程電子熔絲的測試結構，其特征在于，所述第一可編程電子熔絲陣列由m行Xn列的可編程電子熔絲單元組成，m和η均為大于I的整數。3.如權利要求2所述的可編程電子熔絲的測試結構，其特征在于，所述第一可編程電子熔絲陣列的行數和列數相等。4.如權利要求1至3中任一項所述的可編程電子熔絲的測試結構，其特征在于，所述第一測試...

【專利技術屬性】
技術研發人員：李曉華，李煜，
申請(專利權)人：中芯國際集成電路制造北京有限公司，
類型：新型
國別省市：北京;11