顯示設備及半導體設備制造技術

一種顯示設備，包括第一電極、第二電極、有機發光層、第一晶體管、以及第二晶體管。該第一晶體管包括第一半導體層、第一導電單元、第二導電單元、第一柵電極、以及第一柵絕緣膜。該第二晶體管包括第二半導體層、第三導電單元、第四導電單元、第二柵電極、以及第二柵絕緣膜。該第一柵絕緣膜內包含的氫的量大于該第二柵絕緣膜內包含的氫的量。

【技術實現步驟摘要】
相關申請的交叉引用本申請基于2013年9月19日申請，日本專利申請號2013-194633，并要求該專利的優先權的權益；該專利的內容通過引用整體結合至此。
在此描述的實施例總體上涉及一種顯示設備及一種半導體設備。
技術介紹
已知一種主動矩陣顯示設備，其中在有機EL(電致發光)元件中流動的電流由薄膜晶體管控制。進一步地，已知在該顯示設備中使用的半導體設備。期望的是在這樣的顯示設備及半導體設備中的可靠性的改進。附圖簡述圖1是示意性地示出了根據第一實施例的顯示設備的剖視圖，圖2是示意性地示出了該根據第一實施例的顯示設備的等效電路圖，圖3A和圖3B是示出了該薄膜晶體管的電流-電壓特性的示例的圖表，圖4A和圖4B是示出了該薄膜晶體管的特性的示例的圖表，圖5是示意性地示出根據第二實施例的顯示設備的剖視圖，圖6是示意性地示出根據第二實施例的可選顯示設備的剖視圖，圖7是示意性地示出根據第三實施例的顯示設備的剖視圖，圖8是示意性地示出根據第四實施例的顯示設備的剖視圖，而圖9是示意性地示出根據第五實施例的半導體設備的剖視圖。具體實施方式根據一個實施例，一種顯示設備包括第一電極、第二電極、有機發光層、第一晶體管、以及第二晶體管。該第一電極是光學透明的。該第二電極與該第一電極相對。該有機發光層設置在該第一電極和第二電極之間。該第一晶體管包括第一半導體層、第一導電單元、第二導電單元、第一柵電極、以及第一柵絕緣膜。該第一半導體層包括第一部分、第二部分、以及設置在該第一部分和第二部分之間的第三部分。該第一導電單元電連接至該第一電極和第二電極中的一個，并且電連接至該第一部分。該第二導電單元與該第一導電單元分開，并且電連接至該第二部分。該第一柵電極與該第一導電單元以及第二導電單元分開，并且與該第三部分相對。該第一柵絕緣膜設置在該第三部分和第一柵電極之間。該第二晶體管包括第二半導體層、第三導電單元、第四導電單元、第二柵電極、以及第二柵絕緣膜。該第二晶體管包括第二半導體層、第三導電單元、第四導電單元、第二柵電極、以及第二柵絕緣膜。該第二半導體層包括第四部分、第五部分、以及設置在該第四部分和第五部分之間的第六部分。該第三導電單元電連接至該第一導電單元、第二導電單元、以及第一柵電極中的一個，并且電連接至該第四部分。該第四導電單元與該第三導電單元分開，并且電連接至該第五部分。該第二柵電極與該第三導電單元及第四導電單元分開，并與該第六部分相對。該第二柵絕緣膜設置在該第六部分和第二柵電極之間。該第一柵絕緣膜內包括的氫的量大于該第二柵絕緣膜內包括的氫的量。根據另一個實施例，一種半導體設備包括第一晶體管和第二晶體管。該第一晶體管包括第一半導體層、第一導電單元、第二導電單元、第一柵電極、以及第一柵絕緣膜。該第一半導體層包括第一部分、第二部分、以及設置在該第一部分和第二部分之間的第三部分。該第一導電單元電連接至該第一部分。該第二導電單元與該第一導電單元分開，并電連接至該第二部分。該第一柵電極與該第一導電單元及第二導電單元分開，并且與該第三部分相對。該第一柵絕緣膜設置在該第三部分和第一柵電極之間。該第二晶體管包括第二半導體層、第三導電單元、第四導電單元、第二柵電極、以及第二柵絕緣膜。該第二半導體層包括第四部分、第五部分、以及設置在該第四部分和第五部分之間的第六部分。該第三導電單元電連接至該第一導電單元、第二導電單元、以及第一柵電極中的一個，并且電連接至該第四部分。該第四導電單元與該第三導電單元分開，并且電連接至該第五部分。該第二柵電極與該第三導電單元和第四導電單元分開，并與該第六部分相對。該第二柵絕緣膜設置在該第六部分和第二柵電極之間。該第一柵絕緣膜內包括的氫的量大于該第二柵絕緣膜內包括的氫的量。以下將參考附圖，描述各種實施例。這些附圖為示意圖或概念圖。每個部分的厚度和寬度之間，以及這些部分之間的關系，例如，未必一定與實際情況相同。進一步地，根據附圖情況，同一部分可示出為具有不同尺寸或比例。在本描述以及這些附圖中，參考早些的附圖，與之前描述過的相同組件被標識為類似附圖標記，并且適當地省略其詳細描述。(第一實施例)圖1是示意性地示出根據第一實施例的顯示設備的剖視圖。如圖1中所示，顯示設備110包括第一電極11、第二電極12、有機發光層13、第一晶體管21、以及第二晶體管22。該第一電極11具有光學透射率。該第二電極12與該第一電極11相對。在該示例中，該第二電極12為光學反射的。該第二電極12的光學反射率高于該第一電極11的光學反射率。該第二電極12可以是光學透明的。例如，該第一電極11為陽極，而該第二電極12為陰極。可選地，該第一電極11可為陰極，而該第二電極12可為陽極。該第一電極11可被稱為，例如，像素電極。該有機發光層13設置在該第一電極11和第二電極12之間。該有機發光層13電連接至該第一電極11和第二電極12。該有機發光層13為，例如，與該第一電極11的至少一部分接觸，并與該第二電極12的至少一部分接觸。該第一電極11、第二電極12、以及有機發光層13構成該有機EL類型的發光元件部分15。更特定地，分別電連接至該第一電極11和第二電極12的該有機發光層13的部分構成發光元件部分15。電流在該第一電極11和第二電極12之間流動。從而，從該有機發光層13發射出光。從該有機發光層13發出的光通過該第一電極11傳播。由該第一晶體管21和第二晶體管22驅動該發光元件部分15的發光。在該顯示設備110中，多個發光元件部分15、多個第一晶體管21、以及多個第二晶體管22被組合并安排在一矩陣內。通過控制該多個第一晶體管21和多個第二晶體管22的驅動而控制該多個發光元件部分15的發光。因此，在該顯示設備110中顯示圖像。該顯示設備110是基于有機EL的主動矩陣顯示設備。這里，與該第一電極11、第二電極12、以及有機發光層13的堆疊方向平行的方向被稱為Z軸方向。垂直于該Z軸方向的方向被稱為X軸方向。垂直于該X軸方向和Z軸方向的方向被稱為Y軸方向。該Z軸方向，例如，垂直于該第一電極11、第二電極12、以及有機發光層13中的各薄膜表面。該Z軸方向和，例如，該第一電極11、第二電極12、以及有機發光層13中的每個的厚度方向，是相同的。該第一晶體管21包括第一半導體層30、第一導電單元31、第二導電單元32、第一柵電極3本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種顯示設備，包括：第一電極，為光學透明的；第二電極，與所述第一電極相對；有機發光層，設置在所述第一電極和所述第二電極之間；第一晶體管，包括：第一半導體層，包括第一部分、第二部分、以及設置在所述第一部分和所述第二部分之間的第三部分；第一導電單元，電連接至所述第一電極和所述第二電極中的一個，并電連接至所述第一部分；第二導電單元，與所述第一導電單元分開并電連接至所述第二部分；第一柵電極，與所述第一導電單元、所述第二導電單元、以及所述第一半導體層分開，且所述第一柵電極與所述第三部分相對；以及第一柵絕緣膜，設置在所述第三部分和所述第一柵電極之間；以及第二晶體管，包括：第二半導體層，包括第四部分、第五部分、以及設置在所述第四部分和所述第五部分之間的第六部分；第三導電單元，電連接至所述第一導電單元、所述第二導電單元、以及所述第一柵電極中的一個，并電連接至所述第四部分；第四導電單元，與所述第三導電單元分開并電連接至所述第五部分；第二柵電極，與所述第三導電單元、所述第四導電單元、以及所述第二半導體層分開，且所述第二柵電極與所述第六部分相對；以及第二柵絕緣膜，設置在所述第六部分和所述第二柵電極之間；所述第一柵絕緣膜內包括的氫的量大于所述第二柵絕緣膜內包括的氫的量。...

【技術特征摘要】
2013.09.19 JP 2013-1946331.一種顯示設備，包括：
第一電極，為光學透明的；
第二電極，與所述第一電極相對；
有機發光層，設置在所述第一電極和所述第二電極之間；
第一晶體管，包括：
第一半導體層，包括第一部分、第二部分、以及設置在所述第一部分
和所述第二部分之間的第三部分；
第一導電單元，電連接至所述第一電極和所述第二電極中的一個，并
電連接至所述第一部分；
第二導電單元，與所述第一導電單元分開并電連接至所述第二部分；
第一柵電極，與所述第一導電單元、所述第二導電單元、以及所述第
一半導體層分開，且所述第一柵電極與所述第三部分相對；以及
第一柵絕緣膜，設置在所述第三部分和所述第一柵電極之間；以及
第二晶體管，包括：
第二半導體層，包括第四部分、第五部分、以及設置在所述第四部分
和所述第五部分之間的第六部分；
第三導電單元，電連接至所述第一導電單元、所述第二導電單元、以
及所述第一柵電極中的一個，并電連接至所述第四部分；
第四導電單元，與所述第三導電單元分開并電連接至所述第五部分；
第二柵電極，與所述第三導電單元、所述第四導電單元、以及所述第
二半導體層分開，且所述第二柵電極與所述第六部分相對；以及
第二柵絕緣膜，設置在所述第六部分和所述第二柵電極之間；
所述第一柵絕緣膜內包括的氫的量大于所述第二柵絕緣膜內包括的氫
的量。
2.如權利要求1所述的設備，其特征在于，所述第一柵絕緣膜的厚度
大于所述第二柵絕緣膜的厚度。
3.如權利要求2所述的設備，其特征在于，所述第二柵絕緣膜與所述
第一柵絕緣膜連續。
4.如權利要求2所述的設備，其特征在于，
所述第一柵絕緣膜的厚度為10nm或以上且1000nm或以下，并且
所述第二柵絕緣膜的厚度為5mn或以上且500nm或以下。
5.如權利要求1所述的設備，其特征在于，所述第一柵絕緣膜的每單
位體積氫濃度高于所述第二柵絕緣膜的每單位體積氫濃度。
6.如權利要求5所述的設備，其特征在于，
所述第一柵絕緣膜的每單位體積氫濃度為1020原子/cm3或以上且1022原子/cm3或以下，并且
所述第二柵絕緣膜的每單位體積氫濃度為1019原子/cm3或以上且1021原子/cm3或以下。
7.如權利要求1所述的設備，其特征在于，所述第一柵絕緣膜及第二
柵絕緣膜包括氧化硅膜、氮化硅膜、及氧氮化硅膜中的至少一種。
8.如權利要求1所述的設備，其特征在于，所述第一柵絕緣膜包括第
一層以及設置在所述第一柵電極和所述第一層之間的第二層。
9.如權利要求8所述的設備，其特征在于，
所述第一層包括氧化硅膜而所述第二層包括氮化硅膜，或所述第一層
包括氮化硅膜而所述第二層包括氧化硅膜。
10.如權利要求8所述的設備，其特征在于，所述第一層與所述第二
柵絕緣膜連續。
11.如權利要求10所述的設備，其特征在于，
所述第一層包括氧化硅膜，
所述第二層包括氮化硅膜，而
所述第二柵絕緣膜包括氧化硅膜。
12.如權利要求10所述的設備，其特征在于，所述第二層的氫濃度高
于所述第一層的氫濃度以及所述第二柵絕緣膜的氫濃度。
13.如權利要...

【專利技術屬性】
技術研發人員：齊藤信美，上田知正，前田雄也，三浦健太郎，中野慎太郎，坂野龍則，山口一，
申請(專利權)人：株式會社東芝，
類型：發明
國別省市：日本;JP