電阻加熱器制造技術(shù)

本實(shí)用新型專利技術(shù)涉及一種電阻加熱器，包括電阻片加熱區(qū)和電阻絲加熱區(qū)，電阻片加熱區(qū)在電阻絲加熱區(qū)內(nèi)側(cè)。本實(shí)用新型專利技術(shù)具有加熱效率高和可靠性好的優(yōu)點(diǎn)。（*該技術(shù)在2024年保護(hù)過期，可自由使用*）

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【專利摘要】本技術(shù)涉及一種電阻加熱器，包括電阻片加熱區(qū)和電阻絲加熱區(qū)，電阻片加熱區(qū)在電阻絲加熱區(qū)內(nèi)側(cè)。本技術(shù)具有加熱效率高和可靠性好的優(yōu)點(diǎn)。【專利說明】電阻加熱器
本技術(shù)涉及一種電阻加熱器。
技術(shù)介紹
在半導(dǎo)體制造設(shè)備，尤其是需要高溫加熱的半導(dǎo)體制造設(shè)備中，如金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積(MOCVD)，通常使用紅外輻射加熱或電磁感應(yīng)加熱。由于MOCVD工藝和生產(chǎn)需要，MOCVD設(shè)備加熱系統(tǒng)經(jīng)常在高溫負(fù)載(1000攝氏度以上)下長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行。紅外輻射加熱中通常是電阻片或電阻絲形式。在高溫下，傳熱的方式是以輻射為主的，而輻射傳熱受其輻射角的影響。片狀加熱器輻射角較大，傳熱的效率較高，傳熱更為直接。片狀的發(fā)熱體在進(jìn)行輻射傳熱時(shí)，其絕大部分的熱量能較均勻地傳遞到加受熱體底部，可實(shí)現(xiàn)均勻加熱，但電阻片易變性，可靠性差，壽命短。電阻絲相對(duì)于電阻片加熱效率較低，均勻性差，但可靠性較高，壽命長(zhǎng)。 針對(duì)大面積均勻加熱，在現(xiàn)有技術(shù)中，通常采用多區(qū)電阻片或電阻絲紅外輻射形式，以便于通過各區(qū)域功率調(diào)節(jié)控制和實(shí)現(xiàn)受熱體溫度均勻。多區(qū)電阻片加熱中，外圈電阻片由于加熱功率高，電阻片變形不易控制，電阻片尤其是靠近固定電極附件處的位置較容易產(chǎn)生熱應(yīng)力翹曲和斷裂而失效。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本技術(shù)提出一種新型多區(qū)電阻加熱器，該加熱器具有加熱效率高，均勻性好，可靠性高及壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。 為了達(dá)到上述目的，本技術(shù)采用的技術(shù)方案如下: 一種多區(qū)電阻加熱器，包括:電阻片加熱區(qū)、電阻絲加熱區(qū)，所述電阻片加熱區(qū)在電阻絲加熱區(qū)內(nèi)側(cè)。 所述電阻片加熱區(qū)為I個(gè)或2個(gè)以上的單區(qū)電阻片組成，以滿足不同的加熱面積、加熱功率、加熱器結(jié)構(gòu)或均勻性等方面的需要。 所述電阻絲加熱區(qū)為I股或2股以上單根電阻絲纏繞或排列組成，以滿足不同的加熱面積、加熱功率、加熱器結(jié)構(gòu)或均勻性等方面的需要。 所述電阻絲加熱區(qū)或電阻片加熱區(qū)，還可以設(shè)置為周向分成2段以上電阻，各段電阻之間可以并聯(lián)或串聯(lián)，分段可以便于制造，也可以進(jìn)一步減小形變，進(jìn)一步提高加熱器的可靠性和壽命。 本技術(shù)與現(xiàn)有技術(shù)相比，結(jié)合了電阻片和電阻絲的優(yōu)點(diǎn)，可以在保證大面積加熱均勾、節(jié)能的同時(shí)，提尚其可靠性和壽命。 【專利附圖】【附圖說明】 圖1為本技術(shù)的多區(qū)電阻加熱器的一個(gè)實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖。 圖2為在圖1基礎(chǔ)上將電阻絲加熱區(qū)替換成2股單根加熱絲纏繞形式的結(jié)構(gòu)示意圖。 圖3為在圖1基礎(chǔ)上將各加熱區(qū)設(shè)置為分成2段以上電阻的形式的結(jié)構(gòu)示意圖。 【具體實(shí)施方式】 下面結(jié)合實(shí)施例和附圖進(jìn)一步說明本技術(shù)。 參考圖1，一種多區(qū)電阻加熱器包括:電阻片加熱區(qū)I和電阻絲加熱區(qū)4，電阻片加熱區(qū)I由兩個(gè)單區(qū)電阻片內(nèi)圈電阻片2和中圈電阻片3組成，電阻絲加熱區(qū)4由I股單根電阻絲5纏繞組成，所述電阻片加熱區(qū)I在電阻絲加熱區(qū)4內(nèi)側(cè)。 根據(jù)工藝溫度需要，分別在各電阻片或電阻絲兩端通入特定的直流電或交流電，使電阻片和電阻絲發(fā)熱，通過紅外輻射方式對(duì)受熱體加熱。 圖1的實(shí)施例中將電阻片設(shè)置成為2個(gè)單區(qū)電阻片組成，應(yīng)用中可以根據(jù)不同的加熱面積、加熱功率、加熱器結(jié)構(gòu)或均勻性等方面的需要，將電阻片設(shè)置為I個(gè)或2個(gè)以上的單區(qū)電阻片組成。 圖1的實(shí)施例中將電阻絲設(shè)置成為I股單根電阻絲纏繞組成，應(yīng)用中可以根據(jù)不同的加熱面積、加熱功率、加熱器結(jié)構(gòu)或均勻性等方面的需要，將電阻絲設(shè)置為I股或2股以上單根電阻絲纏繞或排列組成。 圖2中的實(shí)施例中即為在圖1基礎(chǔ)上將I股單根電阻絲5替換成2股單根電阻絲纏繞組成的電阻絲6。 圖1的實(shí)施例中電阻絲加熱區(qū)或電阻片加熱區(qū)，可以設(shè)置為周向分成2段電阻以上，各段電阻之間可以并聯(lián)或串聯(lián)，分段可以便于制造，也可以進(jìn)一步減小形變，進(jìn)一步提高加熱器的可靠性和壽命。 圖3中的實(shí)施例中，即為在圖1基礎(chǔ)上將電阻片加熱區(qū)I的內(nèi)圈電阻片2設(shè)置為周向分成2段電阻片7和8，中圈電阻片3設(shè)置為周向分成2段電阻片9和10，將電阻絲加熱區(qū)4中的電阻絲5設(shè)置為周向分成3段電阻絲11、12和13。 本實(shí)施例可以廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造設(shè)備的加熱系統(tǒng)，尤其是金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積設(shè)備(MOCVD)的加熱系統(tǒng)，電阻片和電阻絲的結(jié)合使用，可以在保證大面積加熱均勾、節(jié)能的同時(shí)，提尚其可靠性和壽命。 上述實(shí)施例只是本技術(shù)較優(yōu)選的【具體實(shí)施方式】的一種，本領(lǐng)域技術(shù)人員在本技術(shù)方案范圍內(nèi)進(jìn)行的通常變化和替換都應(yīng)包含在本技術(shù)的保護(hù)范圍內(nèi)。【權(quán)利要求】1.一種多區(qū)電阻加熱器，主要包括:電阻片加熱區(qū)和電阻絲加熱區(qū)，其特征在于所述電阻片加熱區(qū)在電阻絲加熱區(qū)內(nèi)側(cè)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多區(qū)電阻加熱器，其特征在于所述電阻片加熱區(qū)為I個(gè)或2個(gè)以上的單區(qū)電阻片組成。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多區(qū)電阻加熱器，其特征在于所述電阻絲加熱區(qū)為2股以上單根電阻絲纏繞或排列組成。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多區(qū)電阻加熱器，其特征在于所述電阻絲加熱區(qū)或電阻片加熱區(qū)可以設(shè)置為周向分成2段以上電阻，各段電阻之間可以并聯(lián)或串聯(lián)。【文檔編號(hào)】C23C16/46GK204244487SQ201420554372【公開日】2015年4月1日 申請(qǐng)日期:2014年9月25日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月25日 【專利技術(shù)者】沈橋, 甘志銀, 劉勝 申請(qǐng)人:廣東昭信半導(dǎo)體裝備制造有限公司本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種多區(qū)電阻加熱器，主要包括：電阻片加熱區(qū)和電阻絲加熱區(qū)，其特征在于所述電阻片加熱區(qū)在電阻絲加熱區(qū)內(nèi)側(cè)。

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：沈橋，甘志銀，劉勝，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：廣東昭信半導(dǎo)體裝備制造有限公司，
類型：新型
國(guó)別省市：廣東;44