一種多層膜太陽能電池制造技術

本實用新型專利技術提供一種多層膜太陽能電池，包括：第一類型半導體襯底；第二類型摻雜層；減反射膜；上電極及下電極；其中，所述減反射膜由氮化硅復合層及形成于所述氮化硅復合層上的二氧化硅薄膜疊加而成，所述氮化硅復合層由至少三層氮化硅薄膜疊加而成。本實用新型專利技術的多層膜太陽能電池中，減反射膜為氮化硅復合層/二氧化硅多層膜結構，多層氮化硅薄膜使得光在電池表面經過多次折射，從而增加太陽能電池對光的吸收，同時氮化硅薄膜對硅材料中的電活性雜質和缺陷具有較好的場效應鈍化效果，有利于進一步提高光吸收，而二氧化硅薄膜又可以降低多層氮化硅薄膜導致的界面缺陷密度增加，二者結合作為減反射膜，可以有效提高硅太陽能電池的效率。（*該技術在2024年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】
【專利摘要】本技術提供一種多層膜太陽能電池，包括：第一類型半導體襯底；第二類型摻雜層；減反射膜；上電極及下電極；其中，所述減反射膜由氮化硅復合層及形成于所述氮化硅復合層上的二氧化硅薄膜疊加而成，所述氮化硅復合層由至少三層氮化硅薄膜疊加而成。本技術的多層膜太陽能電池中，減反射膜為氮化硅復合層/二氧化硅多層膜結構，多層氮化硅薄膜使得光在電池表面經過多次折射，從而增加太陽能電池對光的吸收，同時氮化硅薄膜對硅材料中的電活性雜質和缺陷具有較好的場效應鈍化效果，有利于進一步提高光吸收，而二氧化硅薄膜又可以降低多層氮化硅薄膜導致的界面缺陷密度增加，二者結合作為減反射膜，可以有效提高硅太陽能電池的效率。【專利說明】一種多層膜太陽能電池
本技術太陽能電池
，涉及一種多層膜太陽能電池。
技術介紹
常見的晶體硅太陽能電池是由背面電極、半導體材料構成的P型層、N型層、P-N結、減反射薄膜、正面柵電極等部分組成。當太陽光照射到太陽能電池表面時，減反射薄膜和絨面結構可有效減少電池表面的光反射損失。太陽能電池中的半導體結構吸收太陽能后。激發產生電子、空穴對，電子、空穴對被半導體內部P-N結自建電場分開，電子流進入N區，空穴流入P區，形成光生電場，如果將晶體硅太能電池的正、負極與外部電路連接，外部電路中就有光生電流通過。 太陽能電池的制作過程包括制絨、擴散、刻蝕、鍍膜、絲網印刷和IV效率分選。鍍膜的作用是在晶圓(wafer)表面鍍上一層減反射膜，可以有效降低光的反射，增加電池片對太陽光的吸收；另外薄膜中的氫(H)能夠進入硅晶體中，鈍化硅中的缺陷，降低表面態密度，抑制電池表面復合，增加少子壽命，從而提高太陽能電池的短路電流Isc和開路電壓Voco如圖1所示，為一種常規太陽能電池的膜層結構，包括P襯底11、N摻雜層12，減反射膜13，上電極14及下電極15，其中，其減反射膜13由一層或雙層氮化硅薄膜131，132組成。 目如，發展尚效電池技術是提尚太陽能電池效率的關鍵。要提尚太陽能電池效率，一種主要方式是盡量降低太陽光的反射，增強太陽光的吸收。因此，如何進一步提高太陽能電池的光吸收能力成為本領域技術人員亟待解決的一個技術問題。
技術實現思路
鑒于以上所述現有技術的缺點，本技術的目的在于提供一種多層膜太陽能電池，用于解決現有技術中太陽能電池效率不高的問題。 為實現上述目的及其他相關目的，本技術提供一種多層膜太陽能電池，包括: 第一類型半導體襯底； 第二類型摻雜層，形成于所述第一類型半導體襯底表面； 減反射膜，形成于所述第二類型摻雜層表面； 上電極，形成于所述減反射膜表面； 下電極，形成于所述第一類型半導體襯底背面； 其中，所述減反射膜由氮化硅復合層及形成于所述氮化硅復合層上的二氧化硅薄膜疊加而成，所述氮化硅復合層由至少三層氮化硅薄膜疊加而成。 可選地，所述氮化硅復合層包括3?10層氮化硅薄膜。 可選地，所述氮化硅復合層中，各氮化硅薄膜的折射率自下而上依次減小。 可選地，所述氮化硅薄膜的折射率范圍是1.4?2.25。 可選地，所述氮化硅復合層中，底層的氮化硅薄膜厚度小于頂層的氮化硅薄膜厚度。 可選地，所述氮化娃薄膜的厚度范圍是10?50nm。 可選地，所述二氧化娃薄膜的厚度范圍是5?10nm。 可選地，所述二氧化硅薄膜的折射率范圍為1.4?1.5。 可選地，所述下電極的材料為鋁，所述上電極的材料為銀。 如上所述，本技術的多層膜太陽能電池，具有以下有益效果:本技術的多層膜太陽能電池中，減反射膜由氮化硅復合層及形成于所述氮化硅復合層上的二氧化硅薄膜疊加而成，其中，所述氮化硅復合層由至少三層氮化硅薄膜疊加而成，且各氮化硅薄膜的折射率自下而上依次減小。由于所述氮化硅復合層由多層氮化硅薄膜疊加而成，使得光在電池表面經過多次折射，從而增加太陽能電池對光的吸收，同時氮化硅薄膜對硅材料中的電活性雜質和缺陷具有較好的場效應鈍化效果，有利于進一步提高光吸收，而二氧化硅薄膜又可以降低多層氮化硅薄膜導致的界面缺陷密度增加，二者結合作為減反射膜，可以有效提高硅太陽能電池的效率。 【專利附圖】【附圖說明】 圖1顯示為現有技術中一種常規太陽能電池的膜層結構示意圖。 圖2顯示為本技術的多層膜太陽能電池的膜層結構示意圖。 元件標號說明 11P 襯底 12N摻雜層 13，23減反射膜 131，132，2311，2312，2313氮化硅薄膜 14，24上電極 15，25下電極 21第一類型半導體襯底 22第二類型摻雜層 231氮化硅復合層 232二氧化硅薄膜 【具體實施方式】 以下由特定的具體實施例說明本技術的實施方式，熟悉此技術的人士可由本說明書所揭露的內容輕易地了解本技術的其他優點及功效。 請參閱圖2。須知，本說明書所附圖式所繪示的結構、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內容，以供熟悉此技術的人士了解與閱讀，并非用以限定本技術可實施的限定條件，故不具技術上的實質意義，任何結構的修飾、比例關系的改變或大小的調整，在不影響本技術所能產生的功效及所能達成的目的下，均應仍落在本技術所揭示的
技術實現思路
得能涵蓋的范圍內。同時，本說明書中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中間”及“一”等的用語，亦僅為便于敘述的明了，而非用以限定本技術可實施的范圍，其相對關系的改變或調整，在無實質變更
技術實現思路
下，當亦視為本技術可實施的范疇。 如圖2所示，本技術提供一種多層膜太陽能電池，包括: 第一類型半導體襯底21 ; 第二類型摻雜層22，形成于所述第一類型半導體襯底21表面； 減反射膜23，形成于所述第二類型摻雜層22表面； 上電極24，形成于所述減反射膜23表面； 下電極25，形成于所述第一類型半導體襯底21背面； 其中，所述減反射膜23由氮化硅復合層231及形成于所述氮化硅復合層231上的二氧化硅薄膜232疊加而成，所述氮化硅復合層231由至少三層氮化硅薄膜疊加而成。 具體的，所述第一類型及第二類型指的是半導體摻雜類型，若第一類型為P型，則第二類型為N型；若第一類型為N型，則第二類型為P型。本實施例中，所述第一類型半導體襯底21以P型硅襯底為例，所述第二類型摻雜層22通過在所述第一類型半導體襯底21表面進行N型摻雜(如摻磷)得到。 具體的，所述氮化硅復合層231包括3?10層氮化硅薄膜，圖2中顯示的為所述氮化硅復合層231包括三層氮化硅薄膜2311、2312及2313的情形。 具體的，所述氮化娃復合層231中，所述氮化娃薄膜的厚度范圍是10?50nm，且底層的氮化硅薄膜厚度優選為小于頂層的氮化硅薄膜厚度。作為示例，所述氮化硅薄膜2311、2312及2313的厚度范圍分別為10?20nm、20?50nm及20?30nm。 所述氮化硅復合層231中，所述氮化硅薄膜的折射率范圍優選為1.4?2.25。進一步的，各氮化硅薄膜的折射率自下而上依次減小，從而保證光線依次折射下去。作為示例，所述氮化硅薄膜2311,2312及2313的折射率范圍分別為2.20?2.25,2.10?2.18及 本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種多層膜太陽能電池，包括：第一類型半導體襯底；第二類型摻雜層，形成于所述第一類型半導體襯底表面；減反射膜，形成于所述第二類型摻雜層表面；上電極，形成于所述減反射膜表面；下電極，形成于所述第一類型半導體襯底背面；其特征在于：所述減反射膜由氮化硅復合層及形成于所述氮化硅復合層上的二氧化硅薄膜疊加而成，所述氮化硅復合層由至少三層氮化硅薄膜疊加而成。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：童銳，儲鳳舞，張小剛，楊大誼，
申請(專利權)人：太極能源科技昆山有限公司，
類型：新型
國別省市：江蘇;32