ESD保護(hù)裝置制造方法及圖紙

本發(fā)明專(zhuān)利技術(shù)提供一種ESD特性不易發(fā)生劣化的ESD保護(hù)裝置。ESD保護(hù)裝置(1)包括陶瓷絕緣材料(10)、第1及第2放電電極(21、22)、以及放電輔助部(51)。第1及第2放電電極(21、22)設(shè)置于陶瓷絕緣材料(10)。在第1放電電極(21)的前端部與第2放電電極(22)的前端部之間配置有放電輔助部(51)。放電輔助部(51)是降低第1放電電極(21)與第2放電電極(22)之間的放電開(kāi)始電壓的電極。放電輔助部(51)由包含有導(dǎo)電性粒子、半導(dǎo)體粒子以及絕緣性粒子中的至少一方的燒結(jié)體構(gòu)成。第1及第2放電電極(21、22)包含構(gòu)成半導(dǎo)體粒子的半導(dǎo)體材料和構(gòu)成絕緣性粒子的絕緣材料中的至少一方。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【國(guó)外來(lái)華專(zhuān)利技術(shù)】
本專(zhuān)利技術(shù)涉及ESD保護(hù)裝置。
技術(shù)介紹
以往，提出了各種用于抑制因靜電放電（ESD:electr〇-staticdischarge)而引 起的電子設(shè)備的破壞的ESD保護(hù)裝置。例如在專(zhuān)利文獻(xiàn)1中記載有以下ESD保護(hù)裝置，該 ESD保護(hù)裝置中，在連接一對(duì)放電電極之間的區(qū)域具備通過(guò)使利用不具有導(dǎo)電性的無(wú)機(jī)材 料進(jìn)行了涂層的導(dǎo)電材料分散而得到的放電輔助部。 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn) 專(zhuān)利文獻(xiàn) 專(zhuān)利文獻(xiàn)1 :國(guó)際公開(kāi)W02009-098944號(hào)公報(bào)
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
專(zhuān)利技術(shù)所要解決的技術(shù)問(wèn)題 如專(zhuān)利文獻(xiàn)1所記載的那樣，通過(guò)設(shè)置放電輔助部，例如能夠?qū)SD保護(hù)裝置的 ESD特性進(jìn)行調(diào)整、以及使其穩(wěn)定化。 然而，在具有放電輔助部的ESD保護(hù)裝置中，由于反復(fù)發(fā)生放電，因此存在ESD特 性劣化的問(wèn)題。 本專(zhuān)利技術(shù)的主要目的在于提供一種ESD特性不易發(fā)生劣化的ESD保護(hù)裝置。 解決技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案 本專(zhuān)利技術(shù)所涉及的ESD保護(hù)裝置包括陶瓷絕緣材料、第1及第2放電電極、以及放電 輔助部。第1及第2放電電極設(shè)置于陶瓷絕緣材料。在第1放電電極的前端部與第2放電 電極的前端部之間配置有放電輔助部。放電輔助部是使第1放電電極與第2放電電極之間 的放電開(kāi)始電壓降低的電極。放電輔助部由包含有導(dǎo)電性粒子、半導(dǎo)體粒子以及絕緣性粒 子中的至少一方的燒結(jié)體構(gòu)成。第1及第2放電電極包含構(gòu)成半導(dǎo)體粒子的半導(dǎo)體材料和 構(gòu)成絕緣性粒子的絕緣材料中的至少一方。 在本專(zhuān)利技術(shù)所涉及的ESD保護(hù)裝置的某一特定方面中，第1及第2放電電極中半導(dǎo) 體材料和絕緣性材料的總含有量為20質(zhì)量％以下。 在本專(zhuān)利技術(shù)所涉及的ESD保護(hù)裝置的另一特定方面中，第1及第2放電電極中絕緣 性材料的含有量為1質(zhì)量％?10質(zhì)量％。 在本專(zhuān)利技術(shù)所涉及的ESD保護(hù)裝置的其他特定方面中，第1及第2放電電極中半導(dǎo) 體材料的含有量為1質(zhì)量％?20質(zhì)量％。 在本專(zhuān)利技術(shù)所涉及的ESD保護(hù)裝置的其他特定方面中，第1及第2放電電極包含由 半導(dǎo)體材料和絕緣材料中的至少一方進(jìn)行了涂層后得到的導(dǎo)電性粒子。 在本專(zhuān)利技術(shù)所涉及的ESD保護(hù)裝置的又一其他特定方面中，第1及第2放電電極設(shè) 置在陶瓷絕緣材料的表面上。 在本專(zhuān)利技術(shù)所涉及的ESD保護(hù)裝置的又一其他特定方面中，第1及第2放電電極設(shè) 置于陶瓷絕緣材料的內(nèi)部。 在本專(zhuān)利技術(shù)的ESD保護(hù)裝置的另一其他特定方面中，陶瓷絕緣材料具有空洞。第1 及第2放電電極設(shè)置為使得其各自的前端部位于空洞內(nèi)。 在本專(zhuān)利技術(shù)所涉及的ESD保護(hù)裝置的另一其他特定方面中，ESD保護(hù)裝置還包括第1 外部電極、以及第2外部電極。第1外部電極配置在陶瓷絕緣材料上。第1外部電極與第 1放電電極電連接。第2外部電極配置在陶瓷絕緣材料上。第2外部電極與第2放電電極 電連接。 專(zhuān)利技術(shù)效果 根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)，能夠提供一種ESD特性不易發(fā)生劣化的ESD保護(hù)裝置?！靖綀D說(shuō)明】 圖1是表示實(shí)施方式1所涉及的ESD保護(hù)裝置的簡(jiǎn)要剖視圖。 圖2是表示實(shí)施方式2所涉及的ESD保護(hù)裝置的簡(jiǎn)要剖視圖。 圖3是表示實(shí)施方式3所涉及的ESD保護(hù)裝置的簡(jiǎn)要剖視圖。 圖4是表示實(shí)施方式4所涉及的ESD保護(hù)裝置的簡(jiǎn)要剖視圖。【具體實(shí)施方式】 下面，對(duì)實(shí)施本專(zhuān)利技術(shù)的優(yōu)選實(shí)施方式的一個(gè)示例進(jìn)行說(shuō)明。然而，下述實(shí)施方式僅 僅是例示。本專(zhuān)利技術(shù)不限于下述任一實(shí)施方式。 此外，在實(shí)施方式等所參照的各附圖中，用相同的標(biāo)號(hào)來(lái)參照實(shí)質(zhì)上具有相同功 能的構(gòu)件。并且，實(shí)施方式等所參照的附圖是示意性描述的圖，附圖中所繪制的物體的尺寸 比率等可能會(huì)與現(xiàn)實(shí)中的物體的尺寸比率等不同。附圖相互間的物體的尺寸比率等也有可 能不同。具體的物體的尺寸比率等應(yīng)當(dāng)參考以下的說(shuō)明來(lái)進(jìn)行判斷。 圖1是表示本實(shí)施方式所涉及的ESD保護(hù)裝置的簡(jiǎn)要剖視圖。 如圖1所示，ESD保護(hù)裝置1包括具有空洞11的陶瓷絕緣材料10。陶瓷絕緣材 料10是長(zhǎng)方體形狀。陶瓷絕緣材料10可以由適合的絕緣性陶瓷構(gòu)成。具體而言，陶瓷絕 緣材料10例如由包含Ba、Al、Si作為主要成分的低溫共燒陶瓷（LTCC:LowTempertature Co-firedCeramics)構(gòu)成。陶瓷絕緣材料10也可以包含有堿金屬成分及硼成分中的至少 一方。陶瓷絕緣材料10優(yōu)選包含有玻璃成分。 陶瓷絕緣材料10中設(shè)置有第1及第2放電電極21、22。第1及第2放電電極21、 22設(shè)置于陶瓷絕緣材料10的內(nèi)部。第1放電電極21的前端部和第2放電電極22的前端 部位于空洞11內(nèi)。第1放電電極21的前端部和第2放電電極22的前端部在空洞11內(nèi)彼 此相對(duì)。通過(guò)采用上述結(jié)構(gòu)，能提高ESD保護(hù)裝置1的響應(yīng)性，并能提高ESD保護(hù)裝置1的 耐久性。 另外，第1放電電極21的前端部與第2放電電極22的前端部也未必需要設(shè)置為 彼此相對(duì)。例如，也可以設(shè)置為使得第1放電電極21的前端部位于空洞11的一個(gè)內(nèi)表面 上，而第2放電電極22的前端部位于空洞11的另一個(gè)內(nèi)表面上。即，只要是能夠使得第1 放電電極21的前端部與第2放電電極22的前端部之間發(fā)生放電的方式即可，對(duì)于第1及 第2放電電極21、22的形狀、配置等并沒(méi)有特殊的限制。 此外，也可以設(shè)置多組第1及第2放電電極21、22。 在陶瓷絕緣材料10的外表面上設(shè)置有第1及第2外部電極31、32。第1外部電極 31與第1放電電極21電連接。第2外部電極32與第2放電電極22電連接。 另外，第1及第2放電電極21、22、以及第1及第2外部電極31、32分別可以由Cu、 Ag、Pd、Pt、Al、Ni、W、以及包含上述至少一種的合金等適當(dāng)?shù)牟牧蠘?gòu)成。 在第1放電電極21的前端部與第2放電電極22的前端部之間配置有放電輔助部 51。放電輔助部51具有能夠降低第1放電電極21與第2放電電極22之間的放電開(kāi)始電 壓的功能。具體而言，通過(guò)設(shè)置放電輔助部51，使得除了產(chǎn)生沿面放電和氣體放電之外，還 產(chǎn)生經(jīng)由放電輔助部51進(jìn)行的放電。通常，在沿面放電、氣體放電、以及經(jīng)由放電輔助部51 進(jìn)行的放電中，經(jīng)由放電輔助部51進(jìn)行的放電的開(kāi)始電壓最低。因此，通過(guò)設(shè)置放電輔助 部51，能夠降低第1放電電極21與第2放電電極22之間的放電開(kāi)始電壓。因此，能抑制 ESD保護(hù)裝置1的絕緣破壞。此外，通過(guò)設(shè)置放電輔助部51，還能改善ESD保護(hù)裝置1的響 應(yīng)性。 放電輔助部51由包含有第1粒子51a和第2粒子51b的燒結(jié)體構(gòu)成。第1粒子51a 的粒子直徑大于第2粒子51b的粒子直徑。第1粒子51a的粒子直徑例如可設(shè)為2ym? 3iim左右。第2粒子51b的粒子直徑例如可設(shè)為0.liim?liim左右。 第1粒子51a由導(dǎo)電性粒子構(gòu)成。第2粒子51b由半導(dǎo)體粒子和絕緣性粒子中的 至少一方構(gòu)成。這里，半導(dǎo)體粒子是至少表面層由半導(dǎo)體材料構(gòu)成的粒子，而不限于整體均 由半導(dǎo)體材料構(gòu)成的粒子。絕緣性粒子是至少表面層由絕緣材料構(gòu)成的粒子，而不限于整 體均由絕緣材料構(gòu)成的粒子。 第2粒子51b可以?xún)H由半導(dǎo)體粒子構(gòu)成，也可以?xún)H由絕緣性粒子構(gòu)成，還可以由半 導(dǎo)體粒子和絕緣性粒子構(gòu)成。作為優(yōu)選使用的導(dǎo)電性粒子的具體例，例如可以列舉出Cu粒 子、Ni粒子等。導(dǎo)電性粒子例如可以利用絕緣材料或半導(dǎo)體材料來(lái)進(jìn)行涂層。作為優(yōu)選使 用的半導(dǎo)體粒子的具體例，例如可以列舉出由碳化硅、碳化鈦、碳化鋯、碳化本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種ESD保護(hù)裝置，其特征在于，包括：陶瓷絕緣材料；第1及第2放電電極，該第1及第2放電電極設(shè)置于所述陶瓷絕緣材料；以及放電輔助部，該放電輔助部配置于所述第1放電電極的前端部與所述第2放電電極的前端部之間，是使所述第1放電電極與所述第2放電電極之間的放電開(kāi)始電壓降低的電極，該放電輔助部由包含導(dǎo)電性粒子、半導(dǎo)體粒子及絕緣性粒子中的至少一方的燒結(jié)體構(gòu)成，所述第1及第2放電電極包含構(gòu)成所述半導(dǎo)體粒子的半導(dǎo)體材料和構(gòu)成所述絕緣性粒子的絕緣材料中的至少一方。

【技術(shù)特征摘要】
【國(guó)外來(lái)華專(zhuān)利技術(shù)】...

【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：筑澤孝之，足立淳，今田貴之，鷲見(jiàn)高弘，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：株式會(huì)社村田制作所，
類(lèi)型：發(fā)明
國(guó)別省市：日本;JP