半導體納米晶體組合物、半導體納米晶體-聚合物復合物及用于液晶顯示器件的背光單元制造技術

本發明專利技術提供半導體納米晶體組合物、半導體納米晶體-聚合物復合物及用于液晶顯示器件的背光單元，特別是提供半導體納米晶體組合物和由其制備的半導體納米晶體-聚合物復合物，所述半導體納米晶體組合物包括：半導體納米晶體、有機添加劑、和能聚合物質，其中所述組合物在進行聚合之后具有大于或等于約40％的霧度。

【技術實現步驟摘要】
【專利摘要】本專利技術提供半導體納米晶體組合物、半導體納米晶體-聚合物復合物及用于液晶顯示器件的背光單元，特別是提供半導體納米晶體組合物和由其制備的半導體納米晶體-聚合物復合物，所述半導體納米晶體組合物包括：半導體納米晶體、有機添加劑、和能聚合物質，其中所述組合物在進行聚合之后具有大于或等于約40％的霧度。【專利說明】半導體納米晶體組合物、半導體納米晶體-聚合物復合物 及用于液晶顯示器件的背光單元 相關申請的交叉引用 本申請要求在2013年10月8日提交的韓國專利申請No. 10-2013-0120151和2014 年9月30日提交的韓國專利申請No. 10-2014-0131933的優先權和權益、W及由其產生的 所有權益，將其內容全部引入本文作為參考。
公開了納米晶體-聚合物復合物及其制造方法。
技術介紹
與發射顯示器例如等離子體顯示面板（ro巧和場發射顯示裝置（FED)不同，液晶 顯示器件（LCD)為無法單獨地發射光并且需要來自外部的入射光來形成圖像的非發射顯 示裝置。因此，LCD具有位于其后側W發射光的背光單元。 用于LCD的背光單元使用冷陰極英光燈（CCFL)作為光源，但是使用CCFL具有缺 點，因為均勻亮度可得不到保證并且色純度可隨著LCD的尺寸變得更大而降低。 近年來，已經開發了使用H色L邸作為光源的背光單元，并且其可再現高的色純 度并且因此可在高品質顯示裝置中找到其應用。然而，使用H色LED的背光單元遠比CCFL 昂貴，并且為了克服該樣的缺點，許多研究已集中于開發可轉換來自單色LED芯片的光W 輸出白光的白色LED。 白色L邸可保證收益性，但是與H色L邸相比，其不利地具有差的色純度和低的顏 色再現性水平。因此，已經嘗試使用半導體納米晶體作為用于LED中的光轉換層的材料W 增強顏色再現性及色純度和具有價格競爭力。
技術實現思路
-個實施方式涉及可制造具有優異的亮度和穩定性的半導體-聚合物復合物的 半導體納米晶體組合物。 另一實施方式涉及具有優異的亮度和穩定性的半導體-聚合物復合物。 另一實施方式涉及具有優異的亮度和穩定性的背光單元。 根據一個實施方式，半導體納米晶體組合物包括半導體納米晶體，有機添加劑，和 選自能聚合單體、能聚合低聚物、W及其組合的至少一種能聚合物質，并且其在聚合之后具 有大于或等于約40%的霧度。 所述能聚合物質可包括所述能聚合單體和所述能聚合低聚物。 所述半導體納米晶體可包括II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、 IV族元素或化合物、或其組合。 所述II-VI族化合物可選自： 二元化合物，其選自 CdSe、CdTe、aiS、aiSe、ZnTe、化0、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、M拆、 w及其組合； H元化合物，其選自 CdSeS、CdSeTe、CdSTe、aiSeS、aiSeTe、ZnSTe、H拆eS、H拆eTe、 HgSTe、Cd&iS、CdZnSe、CdZnTe、C地拆、C地拆e、C地巧e、Hg&iS、H拍nSe、H拍nTe、Mg&iSe、 Mg化S、W及其組合；和 四元化合物，其選自 HgaiTeS、CdSiSeS、CdSiSeTe、CdSiSTe、C地拆eS、C地拆eTe、 C地拆Te、H拍nSeS、H拍nSeTe、HgaiSTe、W及其組合。 所述III-V族化合物可選自： 二元化合物，其選自GaN、GaP、GaAs、Ga訊、AlN、AlP、AlAs、Al訊、InN、InP、InAs、 InSb、W及其組合； H元化合物，其選自 GaNP、GaNAs、GaN訊、GaPAs、GaP訊、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、 AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、W及其組合；和 四元化合物，其選自 GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、 GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlN訊、InAlPAs、InAlP訊、W及 其組合。 所述IV-VI族化合物可選自： 二元化合物，其選自 SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、W及其組合； H元化合物，其選自 SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、 SnPbTe、W及其組合；和 四元化合物，其選自SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe、W及其組合。 所述IV族元素或化合物可選自： 單一元素，其選自Si、Ge、W及其組合；和 二元化合物，其選自SiC、SiGe、W及其組合。 所述半導體納米晶體可具有芯-殼結構。 所述半導體納米晶體可具有大于或等于約50%的量子產率。 所述半導體納米晶體可具有小于或等于約45nm的半寬度（FWHM)。 所述半導體納米晶體可具有基于所述半導體納米晶體的總重量的小于或等于約 35重量％的量的表面有機化合物，所述表面有機化合物包括配體化合物、溶劑、或其組合。 所述組合物可W基于所述能聚合物質的總重量的小于或等于約20重量％的量包 括所述半導體納米晶體。 所述有機添加劑可包括具有至少一個C8-C30焼基或C8-C30帰基的胺、具有至少 一個C8-C30焼基或C8-C30帰基（例如，被所述至少一個C8-C30焼基或C8-C30帰基取 代）的麟、具有至少一個C8-C30焼基或C8-C30帰基（例如，被所述至少一個C8-C30焼基 或C8-C30帰基取代）的麟氧化物、或其組合。 所述半導體納米晶體組合物可W基于所述能聚合物質的總重量的約0.05重 量％ -約10重量％的量包括所述有機添加劑。 所述能聚合單體和所述能聚合低聚物可包括在其末端處具有至少兩個硫醇（-SH) 基團的第一單體與在其末端處具有至少兩個包含碳-碳不飽和鍵的基團的第二單體的混 合物、丙帰酸醋單體、丙帰酸醋低聚物、甲基丙帰酸醋單體、甲基丙帰酸醋低聚物、氨基甲酸 醋丙帰酸醋單體、氨基甲酸醋丙帰酸醋低聚物、環氧單體、環氧低聚物、有機娃（silicone) 單體、或有機娃低聚物。 所述在其末端處具有至少兩個硫醇（-SH)基團的第一單體可由W下化學式1表 7J\ 〇 化學式1 【權利要求】1. 半導體納米晶體組合物，其包括： 半導體納米晶體、有機添加劑、和選自能聚合單體、能聚合低聚物、以及其組合的至少 一種能聚合物質，和其中所述組合物在聚合之后具有大于或等于40%的霧度。2. 權利要求1的半導體納米晶體組合物，其中所述能聚合物質包括能聚合單體和能聚 合低聚物。3. 權利要求1的半導體納米晶體組合物，其中所述半導體納米晶體包括II-VI族化合 物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素或化合物、或其組合。4. 權利要求1的半導體納米晶體組合物，其中所述半導體納米晶體具有芯-殼結構。5. 權利要求1的半導體納米晶體組合物，其中所述半導體納米晶體具有大于或等于 50%的本文檔來自技高網...

【技術保護點】
半導體納米晶體組合物，其包括：半導體納米晶體、有機添加劑、和選自能聚合單體、能聚合低聚物、以及其組合的至少一種能聚合物質，和其中所述組合物在聚合之后具有大于或等于40％的霧度。

【技術特征摘要】
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【專利技術屬性】
技術研發人員：元那淵，康玄雅，張銀珠，田信愛，O曹，
申請(專利權)人：三星電子株式會社，
類型：發明
國別省市：韓國;KR