本發(fā)明專利技術(shù)提供一種具有優(yōu)異ESD特性的ESD保護(hù)裝置。ESD保護(hù)裝置(1)包括：陶瓷絕緣構(gòu)件(10)、第1及第二放電電極(21、22)、以及放電輔助部(51)。放電輔助部51是用于使第一放電電極(21)與第二放電電極(22)之間的放電開始電壓降低的電極。放電輔助部(51)由包含半導(dǎo)體粒子和絕緣性粒子中的至少一種粒子、以及導(dǎo)電性粒子的燒結(jié)體構(gòu)成。陶瓷絕緣構(gòu)件(10)與放電輔助部(51)中，至少放電輔助部(51)包含堿金屬成分和硼成分中的至少一種成分。放電輔助部(51)中的堿金屬成分和硼成分中的至少一種成分的含量要多于陶瓷絕緣構(gòu)件(10)中的堿金屬成分和硼成分中的至少一種成分的含量。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
本專利技術(shù)設(shè)及ESD保護(hù)裝置。
技術(shù)介紹
現(xiàn)有技術(shù)中，提出了多種用于抑制電子設(shè)備因靜電放電巧SD ;Electr〇-static Discharge)而發(fā)生破壞的ESD保護(hù)裝置。例如專利文獻(xiàn)1中記載的ESD保護(hù)裝置包括：配 置于陶瓷絕緣構(gòu)件內(nèi)部的一對(duì)放電電極、W及設(shè)置成與該一對(duì)放電電極分別相接觸的放電 輔助部。 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn) 專利文獻(xiàn) 專利文獻(xiàn)1 ;日本專利特開2010-129320號(hào)公報(bào)
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
專利技術(shù)所要解決的技術(shù)問題 ESD保護(hù)裝置的陶瓷絕緣構(gòu)件例如通過將作為陶瓷生片的層疊體的生片層疊體燒 結(jié)而制成。基于提高生片層疊體的燒結(jié)性的觀點(diǎn)，考慮在生片層疊體中添加堿金屬成分或 棚成分等燒結(jié)助劑。然而，燒結(jié)助劑一般比較容易揮發(fā)。從而，燒結(jié)助劑會(huì)在生片層疊體燒 結(jié)時(shí)揮發(fā)，使得燒結(jié)助劑的濃度容易產(chǎn)生偏差。若燒結(jié)助劑的濃度產(chǎn)生偏差，則收縮率等也 會(huì)產(chǎn)生偏差。作為抑制燒結(jié)助劑揮發(fā)的方法，雖然也考慮在密閉鉢中進(jìn)行燒結(jié)，但如果在密 閉鉢中進(jìn)行燒結(jié)，存在ESD保護(hù)裝置的生產(chǎn)率會(huì)變低的問題。 鑒于上述問題，考慮在生片層疊體中不添加燒結(jié)助劑。該種情況下，無需考慮燒結(jié) 助劑從生片層疊體揮發(fā)。從而，能夠在開放鉢中燒結(jié)生片層疊體。然而在該情況下，一般要 比生片層疊體更難燒結(jié)的放電輔助部的燒結(jié)會(huì)不充分，從而存在有時(shí)無法獲得足夠優(yōu)異的 ESD特性的問題。 本專利技術(shù)的主要目的在于提供一種具有優(yōu)異ESD特性的ESD保護(hù)裝置。 解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案 本專利技術(shù)所設(shè)及的ESD保護(hù)裝置包括；陶瓷絕緣構(gòu)件、第一及第二放電電極、W及放 電輔助部。第一及第二放電電極設(shè)置于陶瓷絕緣構(gòu)件。放電輔助部配置在第一放電電極的 前端部與第二放電電極的前端部之間。放電輔助部是用于使第一放電電極與第二放電電極 之間的放電開始電壓降低的電極。放電輔助部由包含半導(dǎo)體粒子和絕緣性粒子中的至少一 種粒子、W及導(dǎo)電性粒子的燒結(jié)體構(gòu)成。陶瓷絕緣構(gòu)件與放電輔助部中，至少放電輔助部包 含堿金屬成分和棚成分中的至少一種成分。放電輔助部中的堿金屬成分和棚成分中的至少 一種成分的含量要多于陶瓷絕緣構(gòu)件中的堿金屬成分和棚成分中的至少一種成分的含量。 [000引本專利技術(shù)所設(shè)及的ESD保護(hù)裝置的一個(gè)特定情況為，放電輔助部中的堿金屬成分和 棚成分中的至少一種成分的含量在0. 5mol % W上。 本專利技術(shù)所設(shè)及的ESD保護(hù)裝置的另一個(gè)特定情況為，陶瓷絕緣構(gòu)件中的堿金屬成 分和棚成分中的至少一種成分的含量在0. 5mol % w下。 本專利技術(shù)所設(shè)及的ESD保護(hù)裝置的另一個(gè)特定情況為，陶瓷絕緣構(gòu)件包含玻璃成 分。 本專利技術(shù)所設(shè)及的ESD保護(hù)裝置的另一個(gè)特定情況為，第一及第二放電電極分別設(shè) 置在陶瓷絕緣構(gòu)件的表面上。 本專利技術(shù)所設(shè)及的ESD保護(hù)裝置的另一個(gè)特定情況為，第一及第二放電電極分別設(shè) 置在陶瓷絕緣構(gòu)件的內(nèi)部。 本專利技術(shù)所設(shè)及的ESD保護(hù)裝置的另一個(gè)特定情況為，陶瓷絕緣構(gòu)件具有空洞。第 一及第二放電電極設(shè)置成各自的前端部位于空洞內(nèi)。 本專利技術(shù)所設(shè)及的ESD保護(hù)裝置的另一特定情況為，ESD保護(hù)裝置還包括：配置于陶 瓷絕緣構(gòu)件上且與第一放電電極電連接的第一外部電極、W及配置于陶瓷絕緣構(gòu)件上且與 第二放電電極電連接的第二外部電極。 專利技術(shù)效果 根據(jù)本專利技術(shù)，能夠提供一種具有優(yōu)異ESD特性的ESD保護(hù)裝置。【附圖說明】 圖1是實(shí)施方式1所設(shè)及的ESD保護(hù)裝置的簡(jiǎn)要剖視圖。 圖2是實(shí)施方式2所設(shè)及的ESD保護(hù)裝置的簡(jiǎn)要剖視圖。 圖3是實(shí)施方式3所設(shè)及的ESD保護(hù)裝置的簡(jiǎn)要剖視圖。 圖4是實(shí)施方式4所設(shè)及的ESD保護(hù)裝置的簡(jiǎn)要剖視圖。【具體實(shí)施方式】 下面，對(duì)實(shí)施本專利技術(shù)的優(yōu)選方式的一個(gè)例子進(jìn)行說明。但下述實(shí)施方式僅僅是例 示。本專利技術(shù)并不限于下述的實(shí)施方式。 另外，在實(shí)施方式等參照的各附圖中，實(shí)質(zhì)上具有同一功能的構(gòu)件用相同的標(biāo)號(hào) 來進(jìn)行參照。實(shí)施方式等所參照的附圖是示意性的表示，存在附圖中所繪的物體的尺寸比 例等與現(xiàn)實(shí)中物體的尺寸比例等不相同的情況。附圖相互之間也存在物體的尺寸比例等不 相同的情況。物體的具體尺寸比例等應(yīng)當(dāng)參照W下說明來進(jìn)行判斷。 圖1是本實(shí)施方式所設(shè)及的ESD保護(hù)裝置的簡(jiǎn)要剖視圖。 如圖1所示，ESD保護(hù)裝置1具有陶瓷絕緣構(gòu)件10,且該陶瓷絕緣構(gòu)件10具有空 洞11。陶瓷絕緣構(gòu)件10呈長方體的形狀。陶瓷絕緣構(gòu)件10可W由適當(dāng)?shù)慕^緣性陶瓷構(gòu) 成。具體而言，陶瓷絕緣構(gòu)件10可W由例如包含Ba、Al、Si作為主要成分的低溫同時(shí)燒成 陶瓷（LTCC ;Low Temperature C〇-fired Ceramics)構(gòu)成。陶瓷絕緣構(gòu)件也可W包含堿金 屬成分和棚成分中的至少一種成分。陶瓷絕緣構(gòu)件10優(yōu)選包含玻璃成分。 陶瓷絕緣構(gòu)件10上設(shè)有第一及第二放電電極21、22。第一及第二放電電極21、22 設(shè)置于陶瓷絕緣構(gòu)件10內(nèi)。第一放電電極21的前端部與第二放電電極22的前端部位于空 洞11內(nèi)。第一放電電極21的前端部與第二放電電極22的前端部在空洞11內(nèi)相對(duì)。通過 采用該種結(jié)構(gòu)，能夠提高ESD保護(hù)裝置1的響應(yīng)性，并能夠提高ESD保護(hù)裝置1的耐久性。 第一放電電極21的前端部與第二放電電極22的前端部不一定要相對(duì)。例如，也 可W是第一放電電極21的前端部位于空洞11的一個(gè)內(nèi)表面上，而第二放電電極22的前端 部位于空洞11的另一個(gè)內(nèi)表面上。目P，只要是第一放電電極21的前端部與第二放電電極 22的前端部之間能夠進(jìn)行放電的狀態(tài)即可，對(duì)于第一及第二放電電極21、22的形狀、配置 等并無特別限定。 另外，第一及第二放電電極21、22也可W設(shè)置多組。 陶瓷絕緣構(gòu)件10的外表面上設(shè)有第一及第二外部電極31、32。第一外部電極31 與第一放電電極21電連接。第二外部電極32與第二放電電極22電連接。 第一及第二放電電極21、22和第一及第二外部電極31、32可W分別由化、Ag、Pd、 Pt、A1、Ni、W或包含其中至少一種金屬的合金等合適的材料構(gòu)成。 在第一放電電極21的前端部與第二放電電極22的前端部之間配置有放電輔助部 51。放電輔助部51具有使第一放電電極21與第二放電電極22之間的放電開始電壓降低 的功能。具體而言，通過設(shè)置放電輔助部51，除了進(jìn)行沿面放電和氣中放電之外，還經(jīng)由放 電輔助部51進(jìn)行放電。通常，沿面放電、氣中放電和經(jīng)由放電輔助部51進(jìn)行的放電中，經(jīng) 由放電輔助部51進(jìn)行的放電的開始電壓最低。因此，通過設(shè)置放電輔助部51，能夠降低第 一放電電極21與第二放電電極22之間的放電開始電壓。由此，能夠抑制ESD保護(hù)裝置1 的絕緣破壞。另外，通過設(shè)置放電輔助部51，還能改善ESD保護(hù)裝置1的響應(yīng)性。 放電輔助部51由包含第一粒子51a和第二粒子5化的燒結(jié)體構(gòu)成。第一粒子51a 的粒徑大于第二粒子5化的粒徑。第一粒子51a的粒徑可W是例如2 ym?3 ym左右。第 二粒子5化的粒徑可W是例如0. lym?lym左右。[002引第一粒子51a由導(dǎo)電性粒子構(gòu)成。第二粒子51b由半導(dǎo)體粒子和絕緣性粒子中的 至少一種粒子構(gòu)成。該里，半導(dǎo)體粒子是至少表層由半導(dǎo)體材料形成的粒子，并不限于整體 均由半導(dǎo)體材料形成的粒子。絕緣性粒子是至少表層由絕緣材料形成的粒子，并不限于整 體均由絕緣材料形成的粒子。 第二本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種ESD保護(hù)裝置，其特征在于，包括：陶瓷絕緣構(gòu)件；設(shè)置于所述陶瓷絕緣構(gòu)件的第一及第二放電電極；以及設(shè)置于所述第一放電電極的前端部與所述第二放電電極的前端部之間的放電輔助部，該放電輔助部是用于使所述第一放電電極與所述第二放電電極之間的放電開始電壓降低的電極，且由包含半導(dǎo)體粒子和絕緣性粒子中的至少一種粒子、以及導(dǎo)電性粒子的燒結(jié)體構(gòu)成，所述陶瓷絕緣構(gòu)件與所述放電輔助部中，至少所述放電輔助部包含堿金屬成分和硼成分中的至少一種成分，所述放電輔助部中的堿金屬成分和硼成分中的至少一種成分的含量要多于所述陶瓷絕緣構(gòu)件中的堿金屬成分和硼成分中的至少一種成分的含量。
【技術(shù)特征摘要】
【國外來華專利技術(shù)】...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：岡本真典，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：株式會(huì)社村田制作所，
類型：發(fā)明
國別省市：日本;JP
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