字線漏電點的定位方法技術

本發明專利技術涉及半導體制造技術領域，尤其涉及一種字線漏電點的定位方法，通過聚焦離子束對樣品中字線進行間隔的接地，之后多次截斷具有漏電點區域的字線直至明暗電壓對比發生變化，則明暗電壓對比發生變化時所對應的最后一個截斷的區域即為漏電點所在；該技術方案可以將漏電點處的范圍控制在2um之內，同時在使用聚焦離子束機臺對樣品進行制備時，因樣品尺寸較小可以增加樣品的放大倍率，能夠較好的觀察到樣品的異常信息。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及半導體制造
，尤其涉及一種。
技術介紹
傳統的字線漏電的定位方法是通過機臺光發射顯微鏡(Emiss1n Microscope，簡稱EMMI)、激光誘導電壓或者電流變化顯微鏡(Optical Beam Induced ResistanceChange，簡稱OBIRCH)進行定位。對于光發射顯微鏡技術主要是利用半導體的發光原理，通過專用相機將光子捕捉并得到光發射分析圖像，即可判斷發光的具體位置即漏電位置；激光誘導電壓或者電流變化顯微鏡主要是通過激光加熱引起電阻變化，電阻變化引起電壓或者電流變化，缺陷處的電阻較為敏感，從而定位出缺陷位置。通過上述兩種方法均可以得到一張利用顏色對失效分析點即發光點或熱點(hot spot))進行標記的光學圖片，借助這張光學圖片提供的信息，我們再在實際的樣品上對漏電點進行定位。借助失效分析點的光學圖片提供的信息，我們在實際的樣品上對漏電點進行定位常用的方法即掃描電鏡(Scanning Electron Microscopy簡稱，SEM)直接觀察法，但是SEM直接觀察法往往看不到具體的失效分析點(60%?70%直接觀察法看不到失效分析點)，因此傳統方式采用將光學圖片與實際樣品進行量測比對的方法進行定位，具體方法如圖1和圖2所示；其中A/B = A^ /Br (即確定X方向位置)，C/D = C /Dr (即確定Y方向位置)。但是實際上將光學圖片與實際樣品進行量測比對的準確度一方面受到光學圖片的清晰度、角度、測試結構的特性以及大小等多個因素的影響，往往最終定位的準確度較差，其誤差范圍一般在3um?5um間；另一方面由于定位的尺寸較大，為了保證在樣品進行切割過程中觀察到整個失效分析點區域，其放大的倍率必然較小，導致無法觀察到樣品的漏電點，如圖3所示。因此采用傳統方式進行漏電點的定位，大大增加了后續透射電鏡(Transmiss1nElectron Microscope，簡稱TEM)樣品的制備時間(約為常規透射電鏡樣品制備時間的3?5倍)，甚至可能會由于定位誤差范圍較大而造成失效分析的失敗。
技術實現思路
鑒于上述問題，本專利技術提供一種，以解決現有技術中無法精確的定位到字線的漏電點并導致后續樣品的失效分析失敗的問題。本專利技術解決上述技術問題所采用的技術方案為:一種，其中，所述方法包括:步驟S1、提供一具有漏電點的樣品，且所述樣品包括依次排列的若干字線，且所述若干字線之上設置有硅化物層；步驟S2、去除部分樣品以暴露所述硅化物層的上表面；步驟S3、于所述樣品的一端部將所述字線以間隔的方式接地后，根據字線在透射電子顯微鏡中的明暗電壓對比，以定位具有所述漏電點的字線；步驟S4、采用二分法沿垂直于所述字線延伸方向將所述樣品切割為第一子樣品和字線接地的第二子樣品；同時觀察所述第二子樣品中所述漏電點的字線的明暗電壓對比是否發生變化，若發生變化則繼續步驟S5，否則執行步驟S6 ;步驟S5、由所述第二子樣品中字線未接地的一端至接地的一端的方向，依次以預定距離將所述第二子樣品截斷成若干截斷區域，且每次截斷之后觀察剩余的所述第二子樣品中具有漏電點的字線的明暗電壓對比，直至所述明暗電壓對比發生變化為止；步驟S6、于所述第一子樣品的一端部將所述字線以間隔的方式接地后，對所述第一子樣品執行步驟S5;其中，所述字線的明暗電壓對比發生變化所對應的最后一截斷區域即為漏電點所在區域。較佳的，上述的，其中，步驟S5中，所述預定距離的取值范圍為 1.5um ?2.5umο較佳的，上述的，其中，所述樣品還具有設置于所述硅化物層之上的金屬線層，去除所述金屬線層以暴露所述硅化物層的上表面。較佳的，上述的，其中，采用化學機械研磨工藝以去除所述金屬線層。較佳的，上述的，其中，通過聚焦離子束將所述字線以間隔的方式接地。一種，其中，所述方法包括: 步驟S1、提供一具有漏電點的樣品，且所述樣品包括依次排列的若干字線，且所述若干字線之上設置有硅化物層；步驟S2、對所述樣品的漏電點進行熱點區域定位后，以獲取所述漏電點位于所述樣品上的熱點區域和非熱點區域；步驟S3、去除部分樣品以暴露所述硅化物層的上表面；步驟S4、于所述樣品上熱點區域的一端部將所述字線以間隔的方式接地后，根據字線在透射電子顯微鏡中的明暗電壓對比，以定位具有所述漏電點的字線；步驟S5、沿垂直于所述字線延伸的方向將所述樣品的熱點區域和非熱點區域進行切割后，形成包括接地的熱點區域的第二子樣品和包括非熱點區域的第一子樣品；由所述第二子樣品中字線未接地的一端至接地的一端的方向，依次以預定距離將所述第二子樣品截斷成若干截斷區域，且每次截斷之后觀察剩余的所述第二子樣品中具有漏電點的字線的明暗電壓對比，直至所述明暗電壓對比發生變化為止；其中，所述字線的明暗電壓對比發生變化所對應的最后一截斷區域即為漏電點所在區域。較佳的，上述的，其中，通過機臺光發射顯微鏡、激光誘導電壓顯微鏡或激光誘導電流顯微鏡進行所述漏電點的熱點區域定位。較佳的，上述的，其中，步驟S5中，所述預定距離的取值范圍為 1.5um ?2.5um0較佳的，上述的，其中，通過聚焦離子束將所述字線以間隔的方式接地。上述技術方案具有如下優點或有益效果:本專利技術公開了一種，通過聚焦離子束對樣品中字線一端進行間隔的接地，并根據聚焦離子束引起的明暗電壓對比進行定位存在漏電點區域的字線，之后通過二分法將其截斷為兩個子樣品并確認漏電點的具體區域位置，然后通過多次截斷具有漏電點區域的字線直至明暗電壓對比發生變化，則明暗電壓對比發生變化時所對應的最后一個截斷的區域即為漏電點所在；當然為了優化工藝，還可以預先定位字線漏電點的熱點區域，并將包括熱點區域的字線和未包括熱點區域的字線截斷后，針對具有漏電點的熱點區域的樣品單獨進行分析，以精確定位漏電點所在，并且可以將漏電點處的范圍控制在2um之內，同時在使用聚焦離子束機臺對樣品進行制備時，因樣品尺寸較小可以增加樣品的放大倍率，能夠較好的觀察到樣品的異常信息。具體【附圖說明】通過閱讀參照以下附圖對非限制性實施例所作的詳細描述，本專利技術及其特征、夕卜形和優點將會變得更加明顯。在全部附圖中相同的標記指示相同的部分。并未可以按照比例繪制附圖，重點在于示出本專利技術的主旨。圖1是現有技術中熱點定位失效分析點的示意圖；圖2是現有技術中掃描電鏡定位失效分析點的示意圖；圖3是現有技術中樣品的制備圖；圖4?圖14是本專利技術中的流程結構示意圖。【具體實施方式】本專利技術的核心思想為將字線接地后，依次截斷并同時觀察字線的明暗電壓對比，明暗電壓對比變化對應的最終截斷的區域即為字線的漏電點所在區域。下面結合附圖和具體的實施例對本專利技術作進一步的說明，但是不作為本專利技術的限定。為了精確的定位到字線的漏電點，本專利技術提供了一種字線漏電的定位方法。實施例一:步驟S1、提供一個字線上具有漏電點(如圖14所示的漏電點3)的待失效分析的樣品，該樣品中具有依次排列的若干字線和設置在字線之上的硅化物(在一可選但非限制性的實施例中，該硅化物優選為硅化鈷)層以及位于硅化物層之上的金屬線層(圖中未示出)。步驟S2、去除部分樣品，具體的去除該樣品中的金屬線層以完全暴露出硅化物層的上表面，在該步驟中，除去樣品的金屬線層便于其在聚焦離子束(Focused本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種字線漏電點的定位方法，其特征在于，所述方法包括：步驟S1、提供一具有漏電點的樣品，且所述樣品包括依次排列的若干字線，且所述若干字線之上設置有硅化物層；步驟S2、去除部分樣品以暴露所述硅化物層的上表面；步驟S3、于所述樣品的一端部將所述字線以間隔的方式接地后，根據字線在透射電子顯微鏡中的明暗電壓對比，以定位具有所述漏電點的字線；步驟S4、采用二分法沿垂直于所述字線延伸方向將所述樣品切割為第一子樣品和字線接地的第二子樣品；同時觀察所述第二子樣品中所述漏電點的字線的明暗電壓對比是否發生變化，若發生變化則繼續步驟S5，否則執行步驟S6；步驟S5、由所述第二子樣品中字線未接地的一端至接地的一端的方向，依次以預定距離將所述第二子樣品截斷成若干截斷區域，且每次截斷之后觀察剩余的所述第二子樣品中具有漏電點的字線的明暗電壓對比，直至所述明暗電壓對比發生變化為止；步驟S6、于所述第一子樣品的一端部將所述字線以間隔的方式接地后，對所述第一子樣品執行步驟S5；其中，所述字線的明暗電壓對比發生變化所對應的最后一截斷區域即為漏電點所在區域。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：謝淵，李桂花，仝金雨，李品歡，肖科，
申請(專利權)人：武漢新芯集成電路制造有限公司，
類型：發明
國別省市：湖北;42