內(nèi)連線的制作方法及內(nèi)連線結(jié)構(gòu)技術(shù)

一種內(nèi)連線的制作方法及內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，內(nèi)連線的制作方法包括以下步驟。提供基底，基底上已形成有第一介電層，且第一介電層中已形成兩個(gè)插塞。在第一介電層上形成第二介電層。在第二介電層中形成曝露出所述兩個(gè)插塞的一溝渠。分別在每一插塞上形成一金屬導(dǎo)線。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種內(nèi)連線的制作方法，包括：提供基底，該基底上已形成有第一介電層，且該第一介電層中已形成兩個(gè)插塞；在該第一介電層上形成第二介電層；在該第二介電層中形成曝露出所述兩個(gè)插塞的一溝渠；以及分別在每一所述插塞上形成一金屬導(dǎo)線。

【技術(shù)特征摘要】

【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：樸哲秀，洪家駿，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：華邦電子股份有限公司，
類(lèi)型：發(fā)明
國(guó)別省市：中國(guó)臺(tái)灣;71