防止OLED材料裂解的坩堝制造技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)提供一種防止OLED材料裂解的坩堝，包括一用于容納OLED材料(3)的坩堝本體(1)、及蓋設(shè)于所述坩堝本體(1)開口端的蓋子(2)；所述坩堝本體(1)底部具有一抬升結(jié)構(gòu)(11)，通過所述抬升結(jié)構(gòu)(11)抬升坩堝內(nèi)OLED材料(3)最低液面的高度，使得OLED材料(3)在低于裂解溫度的溫度下全部蒸出。本發(fā)明專利技術(shù)能夠解決蒸鍍過程中坩堝內(nèi)的OLED材料容易裂解及材料浪費(fèi)的問題，使得蒸鍍過程穩(wěn)定運(yùn)行，保證OLED顯示器件的品質(zhì)。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術(shù)涉及OLED顯示器件的制程領(lǐng)域，尤其涉及一種防止OLED材料裂解的坩堝。
技術(shù)介紹
平板顯示器件具有機(jī)身薄、省電、無輻射等眾多優(yōu)點(diǎn)，得到了廣泛的應(yīng)用。現(xiàn)有的平板顯示器件主要包括液晶顯示器件(Liquid?Crystal?Display，LCD)及有機(jī)電致發(fā)光顯示器件(Organic?Light?Emitting?Display，OLED)。其中，OLED顯示器件相較于LCD，不僅具有十分優(yōu)異的顯示性能，還具有全固態(tài)、自發(fā)光、結(jié)構(gòu)簡單、超輕薄、響應(yīng)速度快、寬視角、室溫工作、低功耗及易于實(shí)現(xiàn)柔性顯示和3D顯示等優(yōu)點(diǎn)，被譽(yù)為“夢幻顯示器”，一致被公認(rèn)為是下一代顯示的主流技術(shù)，得到了各大顯示器廠家的青睞。OLED顯示器件通常由陽極、陰極、以及夾在陽極和陰極之間的有機(jī)電致發(fā)光材料層構(gòu)成，有機(jī)電致發(fā)光材料層又包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、及電子注入層。OLED顯示器件的發(fā)光機(jī)理是從陰、陽兩級分別注入電子和空穴，被注入的電子和空穴經(jīng)傳輸在發(fā)光層內(nèi)復(fù)合，從而激發(fā)發(fā)光層分子產(chǎn)生單態(tài)激子，單態(tài)激子輻射衰減而發(fā)光。目前，制備OLED顯示器件主流的主要方式是真空加熱鍍膜，即在真空腔體內(nèi)使用坩堝加熱OLED材料，使其在一定溫度下升華或者熔融汽化成蒸汽，透過金屬掩膜板上的開孔沉積在基板上。使用點(diǎn)蒸發(fā)源進(jìn)行OLED材料蒸鍍的情況下，常常會因為點(diǎn)蒸發(fā)源各處的溫差不均，導(dǎo)致坩堝內(nèi)的OLED材料無法消耗完和材料易裂解等問題。請參閱圖1，現(xiàn)有的用于OLED材料蒸鍍的坩堝包括坩堝本體100及蓋設(shè)于坩堝本體100開口端的蓋子200，其中坩堝本體100用于容納OLED材料300，該坩堝本體100的底部與側(cè)壁的壁厚基本均勻一致。圖1所示為OLED材料充裕，液面高度較高的情況，設(shè)坩堝本體100底部的溫度為t1、OLED材料液面的蒸發(fā)溫度為t2、坩堝本體100頂部的溫度為t3、OLED材料的裂解溫度為T，由于坩堝本體100的上、下溫度有差異，一般T>t3>t2>t1，經(jīng)實(shí)驗驗證，如圖2所示，在該現(xiàn)有的坩堝本體100內(nèi)的OLED材料為65g，蒸鍍速率穩(wěn)定在時，OLED材料液面的蒸發(fā)溫度t2穩(wěn)定在375℃，坩堝本體100頂部的溫度t3為403℃，小于裂解溫度T405℃。如圖3所示，隨著蒸鍍過程的進(jìn)行，OLED材料不斷消耗，要保持一定的蒸鍍速率，OLED材料液面的蒸發(fā)溫度t2也需要越來越高。當(dāng)OLED材料消耗至距離坩堝本體100底面的高度等于或小于h時，h為位于坩堝本體100頂部的OLED材料處于裂解的臨界溫度時，坩堝本體100內(nèi)的OLED材料300正常蒸發(fā)允許的最低液面高度，會出現(xiàn)t3>T>t2>t1，經(jīng)實(shí)驗驗證，當(dāng)坩堝本體100內(nèi)的OLED材料減少至40g或以下時，坩堝本體100頂部的溫度t3為410℃，大于裂解溫度T405℃，導(dǎo)致OLED材料在坩堝蓋子200的出口處發(fā)生裂解，且剩余的OLED材料均不可用，從而破壞蒸鍍過程的穩(wěn)定性，造成OLED材料的浪費(fèi)，影響OLED顯示器件的品質(zhì)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)的目的在于提供一種防止OLED材料裂解的坩堝，能夠解決蒸鍍過程中坩堝內(nèi)的OLED材料容易裂解及材料浪費(fèi)的問題，使得蒸鍍過程穩(wěn)定運(yùn)行，保證OLED顯示器件的品質(zhì)。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本專利技術(shù)提供的一種防止OLED材料裂解的坩堝，包括一用于容納OLED材料的坩堝本體、及蓋設(shè)于所述坩堝本體開口端的蓋子；所述坩堝本體底部具有一抬升結(jié)構(gòu)，通過所述抬升結(jié)構(gòu)抬升坩堝內(nèi)OLED材料最低液面的高度。所述抬升結(jié)構(gòu)的頂面到坩堝本體底面的高度大于或等于坩堝內(nèi)OLED材料正常蒸發(fā)允許的最低液面高度，使得OLED材料(3)在低于裂解溫度的溫度下全部蒸出。所述抬升結(jié)構(gòu)為自坩堝本體自身的底面向上延伸形成的凸起部，通過降低坩堝本體自身的挖掘深度來實(shí)現(xiàn)。所述抬升結(jié)構(gòu)為固設(shè)于坩堝本體底部的架空的金屬板。所述金屬板通過焊接固設(shè)于坩堝本體底部。所述抬升結(jié)構(gòu)包括填充于坩堝本體底部的導(dǎo)熱性好的填充材料及設(shè)于填充材料上的底板。所述抬升結(jié)構(gòu)包括設(shè)置于坩堝本體底部的導(dǎo)熱性支架及設(shè)于支架上的底板。通過所述抬升結(jié)構(gòu)能夠使得坩堝內(nèi)OLED材料在低于裂解溫度8℃-15℃的溫度下全部蒸出。通過所述抬升結(jié)構(gòu)能夠使得坩堝內(nèi)OLED材料在低于裂解溫度10℃的溫度下全部蒸出。本專利技術(shù)的有益效果，本專利技術(shù)提供的一種防止OLED材料裂解的坩堝，通過在坩堝本體底部設(shè)置能夠抬升OLED材料最低液面高度的抬升結(jié)構(gòu)，能夠使得OLED材料在低于裂解溫度的溫度下全部蒸出，解決蒸鍍過程中坩堝內(nèi)的OLED材料容易裂解及材料浪費(fèi)的問題，使得蒸鍍過程穩(wěn)定運(yùn)行，保證OLED顯示器件的品質(zhì)。為了能更進(jìn)一步了解本專利技術(shù)的特征以及
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
，請參閱以下有關(guān)本專利技術(shù)的詳細(xì)說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本專利技術(shù)加以限制。附圖說明下面結(jié)合附圖，通過對本專利技術(shù)的具體實(shí)施方式詳細(xì)描述，將使本專利技術(shù)的技術(shù)方案及其它有益效果顯而易見。附圖中，圖1為現(xiàn)有的坩堝在OLED材料充裕狀態(tài)下的剖面示意圖；圖2為顯示現(xiàn)有的坩堝內(nèi)OLED材料液面的蒸發(fā)溫度與蒸鍍速率的曲線圖；圖3為現(xiàn)有的坩堝在OLED材料較少狀態(tài)下的剖面示意圖；圖4為本專利技術(shù)防止OLED材料裂解的坩堝的第一實(shí)施例的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本專利技術(shù)防止OLED材料裂解的坩堝的第二實(shí)施例的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為本專利技術(shù)防止OLED材料裂解的坩堝的第三實(shí)施例的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為本專利技術(shù)防止OLED材料裂解的坩堝的第四實(shí)施例的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖8為顯示本專利技術(shù)防止OLED材料裂解的坩堝內(nèi)OLED材料液面的蒸發(fā)溫度與蒸鍍速率的曲線圖。具體實(shí)施方式為更進(jìn)一步闡述本專利技術(shù)所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本專利技術(shù)的優(yōu)選實(shí)施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。請參閱圖4，為本專利技術(shù)防止OLED材料裂解的坩堝的第一實(shí)施例的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。該防止OLED材料裂解的坩堝包括一用于容納OLED材料3的坩堝本體1、及蓋設(shè)于所述坩堝本體1開口端的蓋子2。所述坩堝本體1底部具有一抬升結(jié)構(gòu)11，通過所述抬升結(jié)構(gòu)11抬升坩堝內(nèi)OLED材料3最低液面的高度。所述抬升結(jié)構(gòu)11的頂面到坩堝本體1底面的高度H大于或等于坩堝內(nèi)OLED材料3正常蒸發(fā)允許的最低液面高度，該抬升結(jié)構(gòu)11的頂面形成坩堝容置OLED材料的底面，使得OLED材料3在低于裂解溫度的溫...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種防止OLED材料裂解的坩堝，其特征在于，包括一用于容納OLED材料(3)的坩堝本體(1)、及蓋設(shè)于所述坩堝本體(1)開口端的蓋子(2)；所述坩堝本體(1)底部具有一抬升結(jié)構(gòu)(11)，通過所述抬升結(jié)構(gòu)(11)抬升坩堝內(nèi)OLED材料(3)最低液面的高度。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種防止OLED材料裂解的坩堝，其特征在于，包括一用于容納OLED
材料(3)的坩堝本體(1)、及蓋設(shè)于所述坩堝本體(1)開口端的蓋子(2)；
所述坩堝本體(1)底部具有一抬升結(jié)構(gòu)(11)，通過所述抬升結(jié)構(gòu)(11)抬升
坩堝內(nèi)OLED材料(3)最低液面的高度。
2.如權(quán)利要求1所述的防止OLED材料裂解的坩堝，其特征在于，所述抬
升結(jié)構(gòu)(11)的頂面到坩堝本體(1)底面的高度(H)大于或等于坩堝內(nèi)OLED
材料(3)正常蒸發(fā)允許的最低液面高度，使得OLED材料(3)在低于裂解溫
度的溫度下全部蒸出。
3.如權(quán)利要求2所述的防止OLED材料裂解的坩堝，其特征在于，所述抬
升結(jié)構(gòu)(11)為自坩堝本體(1)自身的底面向上延伸形成的凸起部，通過降
低坩堝本體(1)自身的挖掘深度來實(shí)現(xiàn)。
4.如權(quán)利要求2所述的防止OLED材料裂解的坩堝，其特征在于，所述抬
升結(jié)構(gòu)(11)為固設(shè)于坩堝本體(1)底部的架空的金屬板。

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：匡友元，郝鵬，
申請(專利權(quán))人：深圳市華星光電技術(shù)有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：廣東;44