一種消除晶圓片翹曲的托盤制造技術

本實用新型專利技術公開了一種消除晶圓片翹曲的托盤，包括基體和基座，基體一側面上形成有多個凹坑，一個凹坑配置有一個基座；基座鑲嵌在相應凹坑內，并與凹坑坑底之間保持有間隙，其整體高度低于凹坑深度；基座的上表面開設有多個吸氣孔，晶圓片吸附在基座上后，其與基座組合的整體高度低于凹坑深度，基座內形成有連通多個吸氣孔的抽真空通道，抽真空通道貫穿基座的下表面；凹坑的坑底上開設有抽氣孔，基體內形成有連通抽氣孔的抽真空通道，抽真空通道貫穿基體的另一側面，能與外界抽真空裝置相連。本實用新型專利技術能使晶圓片平貼緊在基座上，可以有效消除熱失配與晶格失配導致的外延片翹曲問題，且片內溫度均勻，有利于后續工藝流程。（*該技術在2024年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及半導體設備制造的
，尤其是指一種消除晶圓片翹曲的托盤。
技術介紹
能源是人類生存和發展的重要物質基礎，也是當今國際政治、經濟、軍事、外交關注的焦點。隨著人口的增加和工業化進程的加快，世界各國對能源的需求越來越大，能源短缺的狀況會越來越明顯。與此同時，化石能源開發利用帶來的環境污染問題也日趨嚴重，給社會經濟發展和人類健康帶來了嚴重影響。提高能源使用效率，降低能耗，發展新能源產業異常重要。為了提高能源利用效率，降低成本并進行大規模生產，半導體行業也由傳統的2英寸向4英寸、6英寸、8英寸及更大尺寸邁進。然而，由于晶格失配和熱失配會產生應力。應力是外延片發生翹曲，使其與基座接觸不良，并且會產生位錯，影響組分均勻性，甚至出現裂紋。隨著襯底(晶圓片)尺寸變大，外延翹曲更加嚴重，降低成品率和穩定性，并影響后續芯片制備工藝。
技術實現思路
本技術的目的在于克服現有技術的不足與缺點，提供一種能夠消除晶圓片翹曲現象的托盤，能使晶圓片始終平貼緊在其基座上。為實現上述目的，本技術所提供的技術方案為:一種消除晶圓片翹曲的托盤，包括有基體和用于安裝晶圓片的基座，其中，所述基體的一側面上形成有多個凹坑，凹坑的數量與基座相一致，且一個凹坑配置有一個基座，基座的形狀大小與凹坑相匹配；所述基座鑲嵌在相應凹坑內，并與凹坑坑底之間保持有間隙，其整體高度低于凹坑深度；所述基座的上表面開設有多個吸氣孔，用于吸附晶圓片，使其平貼緊在基座的上表面，所述晶圓片吸附在基座上后，其與基座組合的整體高度低于凹坑深度，所述基座內形成有連通上述多個吸氣孔的抽真空通道，所述抽真空通道貫穿基座的下表面；所述凹坑的坑底上開設有抽氣孔，所述基體內形成有連通抽氣孔的抽真空通道，所述抽真空通道貫穿基體的另一側面，能與外界抽真空裝置相連。所述基座上的多個吸氣孔沿晶圓片的周向均布，形成有至少一圈與晶圓片同心的吸氣孔組。所述基座上的吸氣孔組的圓心處設有一吸氣孔，該吸氣孔的孔徑大于吸氣孔組中的吸氣孔孔徑，且與基座內的抽真空通道連通。所述基座的上表面形成有至少一個環形凹槽，且一圈吸氣孔組位于一個環形凹槽內。所述吸氣孔位于基座上的一凹槽槽底。所述基體為圓形的石墨基體或碳化娃基體。所述基座為圓形的石墨基座或碳化娃基座。所述基體上鍍有碳化硅涂層或碳化鉭涂層。所述基座上鍍有碳化硅涂層或碳化鉭涂層。本技術與現有技術相比，具有如下優點與有益效果:通過均勻的真空抽氣孔，使晶圓片平貼緊在基座上，能夠保持溫場、流場穩定可靠。消除各層材料熱膨脹系數和晶格常數不同導致的缺陷、位錯以及裂紋等問題，有利于后續工藝流程。同時，本設計可以用于高溫、旋轉等特殊使用環境。【附圖說明】圖1為本技術所述托盤的俯視圖。圖2為本技術所述托盤拆除兩個基座后的俯視圖。圖3為本技術所述托盤拆除兩個基座后的軸視圖。圖4為本技術所述基座的斜視圖。【具體實施方式】下面結合具體實施例對本技術作進一步說明。本實施例所述的能夠消除晶圓片翹曲的托盤，其材質采用耐高溫材料，通常為高純石墨或碳化硅，且可以根據需要鍍上涂層，如碳化硅、碳化鉭等。如圖1至圖4所示，所述托盤包括有呈圓形的基體I (基體形狀可根據需要選擇其它形狀，如方形、多邊形等)和用于安裝晶圓片的呈圓形的基座2，其中，所述基體I的一側面上形成有三個呈圓形的凹坑3，凹坑3的數量與基座2相一致，且一個凹坑3配置有一個基座2，基座2的形狀大小與凹坑3相匹配。所述基座2鑲嵌在相應凹坑3內，并與凹坑坑底之間保持有抽真空時供氣流流經的間隙，其整體高度低于凹坑深度。所述基座2的上表面開設有多個沿晶圓片周向均布的吸氣孔4，并形成有兩圈與晶圓片同心的吸氣孔組，且所述吸氣孔組的圓心處設有一吸氣孔7，該吸氣孔7的孔徑大于吸氣孔組中的吸氣孔4的孔徑，所述基座2的上表面形成有兩個環形凹槽6及一個圓形凹槽8，一圈吸氣孔組位于一個環形凹槽6內，吸氣孔7位于該個圓形凹槽8的槽底，通過上述兩圈吸氣孔組及吸氣孔7吸附晶圓片，以使晶圓片能平貼緊在基座2的上表面，防止晶圓片翹曲，所述晶圓片吸附在基座2上后，其與基座2組合的整體高度低于凹坑深度。所述基座2內形成有連通上述多個吸氣孔4及吸氣孔7的抽真空通道，所述抽真空通道貫穿基座2的下表面。所述凹坑3的坑底中心開設有一抽氣孔5，所述基體I內形成有連通抽氣孔5的抽真空通道，所述抽真空通道貫穿基體I的另一側面，能與外界抽真空裝置相連。綜上所述，在采用以上方案后，本技術能使晶圓片平貼緊在基座上，在無論高溫或者低溫的情況下，均可以有效消除熱失配與晶格失配導致的外延片翹曲問題，且片內溫度均勻，有利于后續工藝流程，值得推廣。以上所述之實施例子只為本技術之較佳實施例，并非以此限制本技術的實施范圍，故凡依本技術之形狀、原理所作的變化，均應涵蓋在本技術的保護范圍內。【主權項】1.一種消除晶圓片翹曲的托盤，其特征在于:包括有基體(I)和用于安裝晶圓片的基座(2)，其中，所述基體(I)的一側面上形成有多個凹坑(3)，凹坑(3)的數量與基座(2)相一致，且一個凹坑(3)配置有一個基座(2)，基座(2)的形狀大小與凹坑(3)相匹配；所述基座(2)鑲嵌在相應凹坑(3)內，并與凹坑坑底之間保持有間隙，其整體高度低于凹坑深度；所述基座(2)的上表面開設有多個吸氣孔(4)，用于吸附晶圓片，使其平貼緊在基座(2)的上表面，所述晶圓片吸附在基座(2)上后，其與基座(2)組合的整體高度低于凹坑深度，所述基座(2)內形成有連通上述多個吸氣孔(4)的抽真空通道，所述抽真空通道貫穿基座(2)的下表面；所述凹坑(3)的坑底上開設有抽氣孔(5)，所述基體(I)內形成有連通抽氣孔(5)的抽真空通道，所述抽真空通道貫穿基體(I)的另一側面，能與外界抽真空裝置相連。2.根據權利要求1所述的一種消除晶圓片翹曲的托盤，其特征在于:所述基座(2)上的多個吸氣孔(4)沿晶圓片的周向均布，形成有至少一圈與晶圓片同心的吸氣孔組。3.根據權利要求2所述的一種消除晶圓片翹曲的托盤，其特征在于:所述基座(2)上的吸氣孔組的圓心處設有一吸氣孔(7)，該吸氣孔(7)的孔徑大于吸氣孔組中的吸氣孔孔徑，且與基座(2)內的抽真空通道連通。4.根據權利要求2所述的一種消除晶圓片翹曲的托盤，其特征在于:所述基座(2)的上表面形成有至少一個環形凹槽(6)，且一圈吸氣孔組位于一個環形凹槽(6)內。5.根據權利要求3所述的一種消除晶圓片翹曲的托盤，其特征在于:所述吸氣孔(7)位于基座(2)上的一凹槽槽底。6.根據權利要求1所述的一種消除晶圓片翹曲的托盤，其特征在于:所述基體(I)為圓形的石墨基體或碳化娃基體。7.根據權利要求1所述的一種消除晶圓片翹曲的托盤，其特征在于:所述基座(2)為圓形的石墨基座或碳化娃基座。8.根據權利要求1或6所述的一種消除晶圓片翹曲的托盤，其特征在于:所述基體(I)上鍍有碳化硅涂層或碳化鉭涂層。9.根據權利要求1或7所述的一種消除晶圓片翹曲的托盤，其特征在于:所述基座(2)上鍍有碳化硅涂層或碳化鉭涂層。【專利摘要】本技術公開了一種消除晶圓片翹曲的托盤，包括基體和基座，基體一側面上形成有多個凹坑，一個凹坑配置有一個基座；基座鑲嵌在相應凹坑內，并與凹本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種消除晶圓片翹曲的托盤，其特征在于：包括有基體(1)和用于安裝晶圓片的基座(2)，其中，所述基體(1)的一側面上形成有多個凹坑(3)，凹坑(3)的數量與基座(2)相一致，且一個凹坑(3)配置有一個基座(2)，基座(2)的形狀大小與凹坑(3)相匹配；所述基座(2)鑲嵌在相應凹坑(3)內，并與凹坑坑底之間保持有間隙，其整體高度低于凹坑深度；所述基座(2)的上表面開設有多個吸氣孔(4)，用于吸附晶圓片，使其平貼緊在基座(2)的上表面，所述晶圓片吸附在基座(2)上后，其與基座(2)組合的整體高度低于凹坑深度，所述基座(2)內形成有連通上述多個吸氣孔(4)的抽真空通道，所述抽真空通道貫穿基座(2)的下表面；所述凹坑(3)的坑底上開設有抽氣孔(5)，所述基體(1)內形成有連通抽氣孔(5)的抽真空通道，所述抽真空通道貫穿基體(1)的另一側面，能與外界抽真空裝置相連。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：張楊，張露，楊翠柏，張小賓，毛明明，潘旭，劉建慶，王智勇，
申請(專利權)人：瑞德興陽新能源技術有限公司，
類型：新型
國別省市：廣東;44