【技術實現步驟摘要】
晶圓處理裝置
本專利技術涉及晶圓制造領域,特別涉及一種晶圓處理裝置。
技術介紹
晶圓(Wafer)是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓。對晶圓的處理一般包括對晶圓進行電鍍前處理、電鍍處理、清洗處理等。現有技術中,上述處理一般分散在不同的車間進行,需要工人將晶圓從一個車間運送至另一個車間,穩定性差、晶圓易損壞,且耗時耗力,效率低,勞動強度大。在晶圓上電鍍一層導電金屬,并對導電金屬層進行加工以制成導電線路。而晶圓生產過程中,晶圓表面會形成溝槽,還會形成盲孔。長期生產實踐證明,晶圓表面的溝槽或盲孔內易儲存氣泡。電鍍液難以到達盲孔內,由于電鍍液無法到達盲孔內,因此盲孔內表面無法達到電鍍要求,降低電鍍品質。因此,為提高電鍍質量,需要處理晶圓以去除晶圓表面的雜質及盲孔內的氣泡。現有技術中,一般采用人工手持晶圓將晶圓浸泡在前處理液中,穩定性差、晶圓易損壞,處理效果差,且耗時耗力,效率低,勞動強度大。傳統的晶圓電鍍設備,多采用手工將晶圓放入電鍍槽內,電鍍設備自動化程度低,生產效率低,穩定性差,晶圓的電鍍品質差、良品率低。且現有的電鍍設備多為垂直電鍍設備,垂直電鍍的電鍍液壓力較小、電鍍速度慢、均勻性差。清洗工序,即根據需要去除晶圓表面的有機物、顆粒、金屬雜質、自然氧化層、石英、塑料等污染物,且不破壞晶片表面特性。如晶圓電鍍后,需對晶圓進行清洗以去除晶圓表面殘留的電鍍液,避免電鍍液對晶圓產生影響,降低晶圓品質,同時也避免電鍍液對下一道工序產生污染。現有技術中,一般采用人工手持晶圓將晶圓浸泡在清洗液中,穩定性差、晶圓易損壞,清洗效果差,且耗時耗力, ...
【技術保護點】
晶圓處理裝置,其特征在于,包括:晶圓電鍍前處理裝置;所述晶圓電鍍前處理裝置用于對晶圓進行電鍍前處理;晶圓電鍍裝置;所述晶圓電鍍裝置用于對晶圓進行電鍍處理;晶圓清洗裝置;所述晶圓清洗裝置用于對電鍍后的晶圓進行清洗處理;機械手;所述機械手用于將晶圓從上述一個裝置運送至另一個裝置。
【技術特征摘要】
1.一種晶圓處理裝置,其特征在于,包括:晶圓電鍍前處理裝置;所述晶圓電鍍前處理裝置用于對晶圓進行電鍍前處理;晶圓電鍍裝置;所述晶圓電鍍裝置用于對晶圓進行電鍍處理;晶圓清洗裝置;所述晶圓清洗裝置用于對電鍍后的晶圓進行清洗處理;機械手;所述機械手用于將晶圓在晶圓電鍍前處理裝置、晶圓電鍍裝置、晶圓清洗裝置中任意兩個裝置之間運送;其中,所述晶圓電鍍前處理裝置包括:處理槽;所述處理槽設有第二容腔;所述第二容腔用于存放電鍍前處理液;晶圓承載裝置;所述晶圓承載裝置用于承載晶圓;所述晶圓承載裝置可相對所述處理槽做升降運動,承載晶圓進入或移出所述第二容腔;所述晶圓承載裝置包括第三支架和至少一個晶圓支撐結構;所述晶圓支撐結構安裝在所述第三支架上,每個所述晶圓支撐結構支撐一個晶圓地設置;所述晶圓支撐結構包括第一支撐板;所述第一支撐板呈弧形;所述第一支撐板上設有至少一個擋板;所述擋板沿豎直方向延伸,并高出所述第一支撐板;所述晶圓支撐結構還包括第二支撐板;所述第二支撐板呈弧形;所述第二支撐板與所述第一支撐板間隔設置,并通過所述擋板與所述第一支撐板連接;所述晶圓支撐結構通過銷釘可轉動地安裝在所述第三支架上;所述晶圓支撐結構轉動后,所述晶圓支撐結構上設有擋板的一側下降。2.根據權利要求1所述的一種晶圓處理裝置,其特征在于,還包括晶圓存儲盒開蓋裝置;所述晶圓存儲盒開蓋裝置用于打開或關閉晶圓存儲盒;所述晶圓存儲盒開蓋裝置包括:第一支撐臺;所述第一支撐臺用于支撐晶圓存儲盒;盒蓋抓取裝置;所述盒蓋抓取裝置設置在所述第一支撐臺的一側,用于抓取晶圓存儲盒的盒蓋;所述盒蓋抓取裝置可相對所述第一支撐臺移動。3.根據權利要求2所述的一種晶圓處理裝置,其特征在于,所述晶圓存儲盒開蓋裝置還包括定位裝置;所述定位裝置包括兩個以上定位柱;所述定位柱設置在所述第一支撐臺上并凸出所述第一支撐臺;晶圓存儲盒上設有與所述定位柱相適應的第一插孔或第一插槽;所述晶圓存儲盒開蓋裝置還包括第一位置檢測裝置;所述第一位置檢測裝置用于檢測晶圓存儲盒是否位于指定的位置;所述第一位置檢測裝置包括至少一個活動塊;所述活動塊設置在所述第一支撐臺上凸出所述第一支撐臺,且可相對所述第一支撐臺做升降運動;每個所述活動塊的下方均設有一個開關;所述活動塊下降后開啟所述開關或關閉所述開關。4.根據權利要求2所述的一種晶圓處理裝置,其特征在于,所述晶圓存儲盒開蓋裝置還包括第一支架;所述第一支架包括第一底座和豎板;所述第一支撐臺可移動地設置在所述第一底座上;所述豎板設置在所述第一底座的一側;所述豎板設置有第一通孔;所述盒蓋抓取裝置包括蓋板;所述蓋板可拆卸地設置在所述豎板上并封住所述第一通孔;所述第一底座和所述蓋板分別位于所述豎板的兩側。5.根據權利要求1所述的一種晶圓處理裝置,其特征在于,還包括晶圓位置校準裝置;所述晶圓位置校準裝置用于對晶圓的位置進行校準;所述晶圓位置校準裝置包括:第二支架;支撐裝置;所述支撐裝置可移動地設置在所述第二支架上,用于支撐晶圓;第二位置檢測裝置;所述第二位置檢測裝置用于檢測晶圓的位置;所述支撐裝置可支撐晶圓并將晶圓移動至可被所述第二位置檢測裝置檢測到的位置;第五驅動裝置;所述第五驅動裝置驅動所述支撐裝置轉動或通過第五傳動裝置驅動所述支撐裝置轉動;所述第五驅動裝置為第五伺服電機或第五氣缸;第六驅動裝置;所述第六驅動裝置驅動所述支撐裝置水平移動或通過第六傳動裝置驅動所述支撐裝置水平移動;所述第六驅動裝置為第六伺服電機或第六氣缸。6.根據權利要求5所述的一種晶圓處理裝置,其特征在于,所述晶圓位置校準裝置還包括至少兩根支撐柱;所述支撐柱設置在所述第二支架上,用于支撐晶圓;所述至少兩根支撐柱的上端高度相同;所述至少兩根支撐柱沿圓周方向均勻分布;所述至少兩根支撐柱環繞所述支撐裝置;所述支撐裝置可相對所述支撐柱做升降運動;所述支撐裝置升降,其上表面高于或低于所述支撐柱的上端;所述支撐柱的數量為四根。7.根據權利要求1所述的一種晶圓處理裝置,其特征在于,所述晶圓電鍍前處理裝置還包括:晶圓電鍍前處理裝置第八驅動裝置;所述第八驅動裝置驅動所...
【專利技術屬性】
技術研發人員:王振榮,黃利松,劉紅兵,
申請(專利權)人:上海新陽半導體材料股份有限公司,
類型:發明
國別省市:上海;31
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