高能效小面積電容陣列逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器及轉(zhuǎn)換方法技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)公開了高能效小面積電容陣列逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器及轉(zhuǎn)換方法，模數(shù)轉(zhuǎn)換器包括電容陣列數(shù)模轉(zhuǎn)換器、比較器和逐次逼近開關(guān)控制器，本發(fā)明專利技術(shù)提出的模數(shù)轉(zhuǎn)換方法在第1、2次比較電容陣列不消耗能量，第3次至第(N+2)/2次比較中，參與轉(zhuǎn)換的電容總電容值為2i+1個(gè)單位電容C，其中，i為1≤i≤(N-2)/2的自然數(shù)，第(N+4)/2次至第N次比較中，參與轉(zhuǎn)換的電容總電容值為2j個(gè)單位電容C，j為1≤j≤(N-2)/2的自然數(shù)，每次比較電容陣列消耗的能量均比傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)消耗的能量小，能夠有效減小電容陣列的平均開關(guān)功耗；而且本發(fā)明專利技術(shù)相比傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)，能有效減少面積。本發(fā)明專利技術(shù)可廣泛應(yīng)用于集成電路領(lǐng)域。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
高能效小面積電容陣列逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器及轉(zhuǎn)換方法
本專利技術(shù)涉及集成電路
，尤其涉及一種高能效小面積電容陣列逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器及轉(zhuǎn)換方法。
技術(shù)介紹
逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器是一種中高精度、中等轉(zhuǎn)換速率、超低功耗的模數(shù)轉(zhuǎn)換器結(jié)構(gòu)。對(duì)于傳感器、便攜式設(shè)備及生物應(yīng)用來說，要求模數(shù)轉(zhuǎn)換器能夠工作在低電源電壓下。然而隨著電源電壓的降低，電路的增益受到了限制，而逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器的結(jié)構(gòu)只包括比較器、數(shù)模轉(zhuǎn)換器和逐次逼近寄存器而不需要提供增益的電路。數(shù)字電路的功耗會(huì)隨著工藝尺寸縮減比例不斷減小，而模擬電路的功耗卻很難隨著工藝的進(jìn)步而減小。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
為了解決上述技術(shù)問題，本專利技術(shù)的目的是提供一種能有效減小電容陣列的平均開關(guān)功耗，且能減小電容陣列面積的高能效小面積電容陣列逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器及轉(zhuǎn)換方法。本專利技術(shù)所采用的技術(shù)方案是：高能效小面積電容陣列逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器，包括電容陣列數(shù)模轉(zhuǎn)換器、比較器和逐次逼近開關(guān)控制器，所述電容陣列數(shù)模轉(zhuǎn)換器的輸出端與比較器的輸入端連接，所述比較器的輸出端與逐次逼近開關(guān)控制器的輸入端連接，所述逐次逼近開關(guān)控制器的輸出端與電容陣列數(shù)模轉(zhuǎn)換器的開關(guān)控制端連接。作為所述的高能效小面積電容陣列逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器的進(jìn)一步改進(jìn)，所述電容陣列數(shù)模轉(zhuǎn)換器包括同相電容陣列和反相電容陣列，所述同相電容陣列的輸出端連接至比較器的同相輸入端，所述反相電容陣列的輸出端連接至比較器的反相輸入端。作為所述的高能效小面積電容陣列逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器的進(jìn)一步改進(jìn)，所述同相電容陣列包括同相主電容陣列和同相從電容陣列，所述同相主電容陣列的輸入端通過開關(guān)連接至同相信號(hào)輸入端，所述同相主電容陣列的輸出端連接至比較器的同相輸入端，所述同相從電容陣列的輸出端通過開關(guān)連接至比較器的同相輸入端，所述同相主電容陣列與同相從電容陣列相連接。作為所述的高能效小面積電容陣列逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器的進(jìn)一步改進(jìn)，所述同相主電容陣列包括N/2個(gè)同相主電容單元，所述同相從電容陣列包括N/2個(gè)同相從電容單元，所述N/2個(gè)同相主電容單元中的第1個(gè)同相主電容單元至第N/2個(gè)同相主電容單元的下極板均連接至比較器的同相輸入端，所述第3個(gè)同相主電容單元至第N/2個(gè)同相主電容單元的上極板之間依次通過開關(guān)連接，所述第1個(gè)同相主電容單元的上極板和第2個(gè)同相主電容單元的上極板分別通過開關(guān)選擇連接共模電壓或參考電壓或地，所述第3個(gè)同相主電容單元至第N/2個(gè)同相主電容單元的上極板分別通過開關(guān)選擇連接共模電壓或參考電壓或地，所述N/2個(gè)同相從電容單元中的第1個(gè)同相從電容單元至第N/2個(gè)同相從電容單元的下極板耦合在一起并通過開關(guān)連接至比較器的同相輸入端，所述第3個(gè)同相從電容單元至第N/2個(gè)同相從電容單元的上極板之間依次通過開關(guān)連接，所述第1個(gè)同相從電容單元的上極板和第2個(gè)同相從電容單元的上極板分別通過開關(guān)選擇連接共模電壓或參考電壓或地，所述第3個(gè)同相從電容單元至第N/2個(gè)同相從電容單元的上極板分別通過開關(guān)選擇連接共模電壓或參考電壓或地，所述第3個(gè)同相主電容單元至第N/2個(gè)同相主電容單元的上極板分別通過開關(guān)與第3個(gè)同相從電容單元至第N/2個(gè)同相從電容單元的上極板連接，其中N表示模數(shù)轉(zhuǎn)換器位數(shù)。作為所述的高能效小面積電容陣列逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器的進(jìn)一步改進(jìn)，所述第1個(gè)同相主電容單元和第2個(gè)同相主電容單元分別包括1個(gè)電容值為單位電容C的子電容，所述第3個(gè)同相主電容單元分別包括1個(gè)電容值為2個(gè)單位電容C的子電容，所述第1個(gè)同相主電容單元的子電容的下極板至第N/2個(gè)同相主電容單元的子電容的下極板均連接至比較器的同相輸入端，所述第1個(gè)同相主電容單元的子電容的上極板和第2個(gè)同相主電容單元的子電容的上極板分別通過開關(guān)選擇連接共模電壓或參考電壓或地，所述第3個(gè)同相主電容單元的子電容的上極板通過開關(guān)選擇連接共模電壓或參考電壓或地，所述第4個(gè)同相主電容單元至第N/2個(gè)同相主電容單元中，所述第i個(gè)同相主電容單元包括子電容的數(shù)量為i-2，所述第3個(gè)同相主電容單元的子電容的上極板通過開關(guān)與第4個(gè)同相主電容單元的第2個(gè)子電容相連，所述第i個(gè)同相主電容單元中，第1個(gè)子電容的電容值為2個(gè)單位電容C，第2個(gè)至第i-2個(gè)子電容的電容值分別為Cj=2j-1C，所述第1個(gè)子電容的上極板通過開關(guān)選擇連接參考電壓或共模電壓或地，所述第1個(gè)子電容的上極板通過開關(guān)與第i+1個(gè)同相主電容單元的第2個(gè)子電容的上極板相連，所述第1個(gè)子電容的上極板通過開關(guān)與第i個(gè)同相從電容單元的上極板相連，所述第2個(gè)子電容至第i-2個(gè)子電容的上極板分別通過開關(guān)與第i-1個(gè)同相主電容單元的第1個(gè)子電容至第i-3個(gè)子電容的上極板相連，所述第2個(gè)子電容至第i-2個(gè)子電容的上極板分別通過開關(guān)與第i+1個(gè)同相主電容單元的第3個(gè)子電容至第i-1個(gè)子電容的上極板相連，其中，i為4≤i≤N/2-1的自然數(shù)，j為2≤j≤i-2的自然數(shù)，Cj表示第j個(gè)子電容的電容值，所述第N/2個(gè)同相主電容單元包括子電容的數(shù)量為N/2-2，第1個(gè)子電容的電容值為2個(gè)單位電容C，第2個(gè)至第N/2-2個(gè)子電容的電容值分別為Ck=2k-1C，所述第1個(gè)子電容的上極板通過開關(guān)選擇連接參考電壓或共模電壓或地，所述第1個(gè)子電容的上極板通過開關(guān)與第N/2個(gè)同相從電容單元的上極板相連，所述第2個(gè)子電容至第N/2-2個(gè)子電容的上極板分別通過開關(guān)與第N/2-1個(gè)同相主電容單元的第1個(gè)子電容至第N/2-3個(gè)子電容的上極板相連，其中，k為2≤k≤N/2-2的自然數(shù)，Ck表示第k個(gè)子電容的電容值；所述第1個(gè)同相從電容單元和第2個(gè)同相從電容單元分別包括1個(gè)電容值為單位電容C的子電容，所述第3個(gè)同相從電容單元分別包括1個(gè)電容值為2個(gè)單位電容C的子電容，所述第1個(gè)同相從電容單元的子電容的下極板至第N/2個(gè)同相從電容單元的子電容的下極板耦合在一起并通過開關(guān)連接至比較器的同相輸入端，所述第1個(gè)同相從電容單元的子電容的上極板和第2個(gè)同相從電容單元的子電容的上極板通過開關(guān)選擇連接共模電壓或參考電壓或地，所述第3個(gè)同相從電容單元的子電容的上極板通過開關(guān)選擇連接共模電壓或參考電壓或地，所述第4個(gè)同相從電容單元至第N/2個(gè)同相從電容單元中，所述第i個(gè)同相從電容單元包括子電容的數(shù)量為i-2，所述第3個(gè)同相從電容單元的子電容的上極板通過開關(guān)與第4個(gè)同相從電容單元的第2個(gè)子電容相連，所述第i個(gè)同相從電容單元中，第1個(gè)子電容的電容值為2個(gè)單位電容C，第2個(gè)至第i-2個(gè)子電容的電容值分別為Cj=2j-1C，所述第1個(gè)子電容的上極板通過開關(guān)選擇連接參考電壓或共模電壓或地，所述第1個(gè)子電容的上極板通過開關(guān)與第i+1個(gè)同相從電容單元的第2個(gè)子電容相連，所述第1個(gè)子電容的上極板通過開關(guān)與第i個(gè)同相主電容單元的第1個(gè)子電容的上極板相連，所述第2個(gè)子電容至第i-2個(gè)子電容的上極板分別通過開關(guān)與第i-1個(gè)同相從電容單元的第1個(gè)子電容至第i-3個(gè)子電容的上極板相連，所述第2個(gè)子電容至第i-2個(gè)子電容的上極板分別通過開關(guān)與第i+1個(gè)同相從電容單元的第3個(gè)子電容至第i-1個(gè)子電容的上極板相連，其中，i為4≤i≤N/2-1的自然數(shù)，j為2≤j≤i-2的自然數(shù)，Cj表示第j個(gè)子電容的電容值，所述第N/2個(gè)同相從電容單元包括子電容的數(shù)量為N/2-本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
高能效小面積電容陣列逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器，其特征在于：包括電容陣列數(shù)模轉(zhuǎn)換器、比較器和逐次逼近開關(guān)控制器，所述電容陣列數(shù)模轉(zhuǎn)換器的輸出端與比較器的輸入端連接，所述比較器的輸出端與逐次逼近開關(guān)控制器的輸入端連接，所述逐次逼近開關(guān)控制器的輸出端與電容陣列數(shù)模轉(zhuǎn)換器的開關(guān)控制端連接。

【技術(shù)特征摘要】
1.高能效小面積電容陣列逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器，其特征在于：包括電容陣列數(shù)模轉(zhuǎn)換器、比較器和逐次逼近開關(guān)控制器，所述電容陣列數(shù)模轉(zhuǎn)換器的輸出端與比較器的輸入端連接，所述比較器的輸出端與逐次逼近開關(guān)控制器的輸入端連接，所述逐次逼近開關(guān)控制器的輸出端與電容陣列數(shù)模轉(zhuǎn)換器的開關(guān)控制端連接；所述電容陣列數(shù)模轉(zhuǎn)換器包括同相電容陣列和反相電容陣列，所述同相電容陣列的輸出端連接至比較器的同相輸入端，所述反相電容陣列的輸出端連接至比較器的反相輸入端；所述同相電容陣列包括同相主電容陣列和同相從電容陣列，所述同相主電容陣列的輸入端通過開關(guān)連接至同相信號(hào)輸入端，所述同相主電容陣列的輸出端連接至比較器的同相輸入端，所述同相從電容陣列的輸出端通過開關(guān)連接至比較器的同相輸入端，所述同相主電容陣列與同相從電容陣列相連接；所述同相主電容陣列包括N/2個(gè)同相主電容單元，所述同相從電容陣列包括N/2個(gè)同相從電容單元，所述N/2個(gè)同相主電容單元中的第1個(gè)同相主電容單元至第N/2個(gè)同相主電容單元的下極板均連接至比較器的同相輸入端，第3個(gè)同相主電容單元至第N/2個(gè)同相主電容單元的上極板之間依次通過開關(guān)連接，所述第1個(gè)同相主電容單元的上極板和第2個(gè)同相主電容單元的上極板分別通過開關(guān)選擇連接共模電壓或參考電壓或地，所述第3個(gè)同相主電容單元至第N/2個(gè)同相主電容單元的上極板分別通過開關(guān)選擇連接共模電壓或參考電壓或地，所述N/2個(gè)同相從電容單元中的第1個(gè)同相從電容單元至第N/2個(gè)同相從電容單元的下極板耦合在一起并通過開關(guān)連接至比較器的同相輸入端，第3個(gè)同相從電容單元至第N/2個(gè)同相從電容單元的上極板之間依次通過開關(guān)連接，所述第1個(gè)同相從電容單元的上極板和第2個(gè)同相從電容單元的上極板分別通過開關(guān)選擇連接共模電壓或參考電壓或地，所述第3個(gè)同相從電容單元至第N/2個(gè)同相從電容單元的上極板分別通過開關(guān)選擇連接共模電壓或參考電壓或地，所述第3個(gè)同相主電容單元至第N/2個(gè)同相主電容單元的上極板分別通過開關(guān)與第3個(gè)同相從電容單元至第N/2個(gè)同相從電容單元的上極板連接，其中N表示模數(shù)轉(zhuǎn)換器位數(shù)；所述反相電容陣列包括反相主電容陣列和反相從電容陣列，所述反相主電容陣列的輸入端通過開關(guān)連接至反相信號(hào)輸入端，所述反相主電容陣列的輸出端連接至比較器的反相輸入端，所述反相從電容陣列的輸出端通過開關(guān)連接至比較器的反相輸入端，所述反相主電容陣列與反相從電容陣列相連接；所述反相主電容陣列包括N/2個(gè)反相主電容單元，所述反相從電容陣列包括N/2個(gè)反相從電容單元，所述N/2個(gè)反相主電容單元中的第1個(gè)反相主電容單元至第N/2個(gè)反相主電容單元的下極板均連接至比較器的反相輸入端，第3個(gè)反相主電容單元至第N/2個(gè)反相主電容單元的上極板之間依次通過開關(guān)連接，所述第1個(gè)反相主電容單元的上極板和第2個(gè)反相主電容單元的上極板分別通過開關(guān)選擇連接共模電壓或參考電壓或地，所述第3個(gè)反相主電容單元至第N/2個(gè)反相主電容單元的上極板分別通過開關(guān)選擇連接共模電壓或參考電壓或地，所述N/2個(gè)反相從電容單元中的第1個(gè)反相從電容單元至第N/2個(gè)反相從電容單元的下極板耦合在一起并通過開關(guān)連接至比較器的反相輸入端，第3個(gè)反相從電容單元至第N/2個(gè)反相從電容單元的上極板之間依次通過開關(guān)連接，所述第1個(gè)反相從電容單元的上極板和第2個(gè)反相從電容單元的上極板分別通過開關(guān)選擇連接共模電壓或參考電壓或地，所述第3個(gè)反相從電容單元至第N/2個(gè)反相從電容單元的上極板分別通過開關(guān)選擇連接共模電壓或參考電壓或地，所述第3個(gè)反相主電容單元至第N/2個(gè)反相主電容單元的上極板分別通過開關(guān)與第3個(gè)反相從電容單元至第N/2個(gè)反相從電容單元的上極板連接，其中N表示模數(shù)轉(zhuǎn)換器位數(shù)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高能效小面積電容陣列逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器，其特征在于：所述第1個(gè)同相主電容單元和第2個(gè)同相主電容單元分別包括1個(gè)電容值為單位電容C的子電容，所述第3個(gè)同相主電容單元包括1個(gè)電容值為2個(gè)單位電容C的子電容，所述第1個(gè)同相主電容單元的子電容的下極板至第N/2個(gè)同相主電容單元的子電容的下極板均連接至比較器的同相輸入端，所述第1個(gè)同相主電容單元的子電容的上極板和第2個(gè)同相主電容單元的子電容的上極板分別通過開關(guān)選擇連接共模電壓或參考電壓或地，所述第3個(gè)同相主電容單元的子電容的上極板通過開關(guān)選擇連接共模電壓或參考電壓或地，第4個(gè)同相主電容單元至第N/2個(gè)同相主電容單元中，第i個(gè)同相主電容單元包括子電容的數(shù)量為i-2，所述第3個(gè)同相主電容單元的子電容的上極板通過開關(guān)與第4個(gè)同相主電容單元的第2個(gè)子電容相連，所述第i個(gè)同相主電容單元中，第1個(gè)子電容的電容值為2個(gè)單位電容C，第2個(gè)至第i-2個(gè)子電容的電容值分別為Cj＝2j-1C，所述第1個(gè)子電容的上極板通過開關(guān)選擇連接參考電壓或共模電壓或地，所述第1個(gè)子電容的上極板通過開關(guān)與第i+1個(gè)同相主電容單元的第2個(gè)子電容的上極板相連，所述第1個(gè)子電容的上極板通過開關(guān)與第i個(gè)同相從電容單元的上極板相連，所述第2個(gè)子電容至第i-2個(gè)子電容的上極板分別通過開關(guān)與第i-1個(gè)同相主電容單元的第1個(gè)子電容至第i-3個(gè)子電容的上極板相連，所述第2個(gè)子電容至第i-2個(gè)子電容的上極板分別通過開關(guān)與第i+1個(gè)同相主電容單元的第3個(gè)子電容至第i-1個(gè)子電容的上極板相連，其中，i為4≤i≤N/2-1的自然數(shù)，j為2≤j≤i-2的自然數(shù)，Cj表示第j個(gè)子電容的電容值，所述第N/2個(gè)同相主電容單元包括子電容的數(shù)量為N/2-2，第1個(gè)子電容的電容值為2個(gè)單位電容C，第2個(gè)至第N/2-2個(gè)子電容的電容值分別為Ck＝2k-1C，所述第1個(gè)子電容的上極板通過開關(guān)選擇連接參考電壓或共模電壓或地，所述第1個(gè)子電容的上極板通過開關(guān)與第N/2個(gè)同相從電容單元的上極板相連，所述第2個(gè)子電容至第N/2-2個(gè)子電容的上極板分別通過開關(guān)與第N/2-1個(gè)同相主電容單元的第1個(gè)子電容至第N/2-3個(gè)子電容的上極板相連，其中，k為2≤k≤N/2-2的自然數(shù)，Ck表示第k個(gè)子電容的電容值；所述第1個(gè)同相從電容單元和第2個(gè)同相從電容單元分別包括1個(gè)電容值為單位電容C的子電容，所述第3個(gè)同相從電容單元包括1個(gè)電容值為2個(gè)單位電容C的子電容，所述第1個(gè)同相從電容單元的子電容的下極板至第N/2個(gè)同相從電容單元的子電容的下極板耦合在一起并通過開關(guān)連接至比較器的同相輸入端，所述第1個(gè)同相從電容單元的子電容的上極板和第2個(gè)同相從電容單元的子電容的上極板通過開關(guān)選擇連接共模電壓或參考電壓或地，所述第3個(gè)同相從電容單元的子電容的上極板通過開關(guān)選擇連接共模電壓或參考電壓或地，第4個(gè)同相從電容單元至第N/2個(gè)同相從電容單元中，第i個(gè)同相從電容單元包括子電容的數(shù)量為i-2，所述第3個(gè)同相從電容單元的子電容的上極板通過開關(guān)與第4個(gè)同相從電容單元的第2個(gè)子電容相連，所述第i個(gè)同相從電容單元中，第1個(gè)子電容的電容值為2個(gè)單位電容C，第2個(gè)至第i-2個(gè)子電容的電容值分別為Cj＝2j-1C，所述第1個(gè)子電容的上極板通過開關(guān)選擇連接參考電壓或共模電壓或地，所述第1個(gè)子電容的上極板通過開關(guān)與第i+1個(gè)同相從電容單元的第2個(gè)子電容相連，所述第1個(gè)子電容的上極板通過開關(guān)與第i個(gè)同相主電容單元的第1個(gè)子電容的上極板相連，所述第2個(gè)子電容至第i-2個(gè)子電容的上極板分別通過開關(guān)與第i-1個(gè)同相從電容單元的第1個(gè)子電容至第i-3個(gè)子電容的上極板相連，所述第2個(gè)子電容至第i-2個(gè)子電容的上極板分別通過開關(guān)與第i+1個(gè)同相從電容單元的第3個(gè)子電容至第i-1個(gè)子電容的上極板相連，其中，i為4≤i≤N/2-1的自然數(shù)，j為2≤j≤i-2的自然數(shù)，Cj表示第j個(gè)子電容的電容值，所述第N/2個(gè)同相從電容單元包括子電容的數(shù)量為N/2-2，第1個(gè)子電容的電容值為2個(gè)單位電容C，第2個(gè)至第N/2-2個(gè)子電容的電容值分別為Ck＝2k-1C，所述第1個(gè)子電容的上極板通過開關(guān)選擇連接參考電壓或共模電壓或地，所述第1個(gè)子電容的上極板通過開關(guān)與第N/2個(gè)同相主電容單元的第1個(gè)子電容的上極板相連，所述第2個(gè)子電容至第N/2-2個(gè)子電容的上極板分別通過開關(guān)與第N/2-1個(gè)同相從電容單元的第1個(gè)子電容至第N/2-3個(gè)子電容的上極板相連，其中，k為2≤k≤N/2-2的自然數(shù)，Ck表示第k個(gè)子電容的電容值。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高能效小面積電容陣列逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器，其特征在于：所述第1個(gè)反相主電容單元和第2個(gè)反相主電容單元分別包括1個(gè)電容值為單位電容C的子電容，所述第3個(gè)反相主電容單元包括1個(gè)電容值為2個(gè)單位電容C的子電容，所述第1個(gè)反相主電容單元的子電容的下極板至第N/2個(gè)反相主電容單元的子電容的下極板均連接至比較器的反相輸入端，所述第1個(gè)反相主電容單元的子電容的上極板和第2個(gè)反相主電容單元的子電容的上極板分別通過開關(guān)選擇連接共模電壓或參考電壓或地，所述第3個(gè)反相主電容單元的子電容的上極板通過開關(guān)選擇連接共模電壓或參考電壓或地，第4個(gè)反相主電容單元至第N/2個(gè)反相主電容單元中，第i個(gè)反相主電容單元包括子電容的數(shù)量為i-2，所述第3個(gè)反相主電容單元的子電容的上極板通過開關(guān)與第4個(gè)反相主電容單元的第2個(gè)子電容相連，所述第i個(gè)反相主電容單元中，第1個(gè)子電容的電容值為2個(gè)單位電容C，第2個(gè)至第i-2個(gè)子電容的電容值分別為Cj＝2j-1C，所述第1個(gè)子電容的上極板通過開關(guān)選擇連接參考電壓或共模電壓或地，所述第1個(gè)子電容的上極板通過開關(guān)與第i+1個(gè)反相主電容單元的第2個(gè)子電容的上極板相連，所述第1個(gè)子電容的上極板通過開關(guān)與第i個(gè)反相從電容單元的上極板相連，所述第2個(gè)子電容至第i-2個(gè)子電容的上極板分別通過開關(guān)與第i-1個(gè)反相主電容單元的第1個(gè)子電容至第i-3個(gè)子電容的上極板相連，所述第2個(gè)子電容至第i-2個(gè)子電容的上極板分別通過開關(guān)與第i+1個(gè)反相主電容單元的第3個(gè)子電容至第i-1個(gè)子電容的上極板相連，其中，i為4≤i≤N/2-1的自然數(shù)，j為2≤j≤i-2的自然數(shù)，Cj表示第j個(gè)子電容的電容值，所述第N/2個(gè)反相主電容單元包括子電容的數(shù)量為N/2-...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：胡云峰，李斌，吳朝暉，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：華南理工大學(xué)，
類型：發(fā)明
國別省市：廣東;44