一種含高電流密度三維電極結(jié)構(gòu)的LED芯片制造技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)涉及一種含高電流密度三維電極結(jié)構(gòu)的LED芯片，屬于發(fā)光器件領(lǐng)域。包括外延片和導(dǎo)電基板，所述外延片包括貫穿反射層、p型摻雜GaN或AlGaN、多量子阱（MQW），在n型摻雜GaN或AlGaN中形成盲孔的n型填充孔，在反射層形成盲孔的p型填充孔，所述n型填充孔中填充金屬形成n型歐姆接觸電極，所述p型填充孔中填充金屬形成p型歐姆接觸電極；所述導(dǎo)電基板上有金屬通孔，在金屬通孔中依次有基板絕緣層，種子層和金屬填充電極，所述金屬填充電極與外延片中p型歐姆接觸電極連接。該芯片的結(jié)構(gòu)特點能夠?qū)崿F(xiàn)超高電流密度下LED芯片的電流擴展均勻性能和光效、光形可控性和優(yōu)良的芯片散熱性能。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

【技術(shù)保護點】
一種含高電流密度三維電極結(jié)構(gòu)的LED芯片，包括外延片和導(dǎo)電基板，所述外延片包括藍寶石襯底（1001），在藍寶石襯底上依次有n型摻雜GaN或AlGaN（1003）、多量子阱（1004）、p型摻雜GaN或AlGaN（1005）、反射層（1006），其特征在于，還包括貫穿反射層（1006）、p型摻雜GaN或AlGaN（1005）、多量子阱（1004），在n型摻雜GaN或AlGaN（1003）中形成盲孔的n型填充孔（1007），在反射層形成盲孔的p型填充孔（1008），所述n型填充孔（1007）中填充金屬形成n型歐姆接觸電極（2002），所述p型填充孔（1008）中填充金屬形成p型歐姆接觸電極（2003）；所述導(dǎo)電基板(3005)上有金屬通孔(3003)，在金屬通孔(3003)中依次有基板絕緣層(3001)，種子層(3002)和金屬填充電極(3004)，所述金屬填充電極(3004)與外延片中p型歐姆接觸電極(2003)連接。

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：劉勝，鄭懷，曹斌，周圣軍，占必紅，楚勁草，郭醒，雷翔，
申請(專利權(quán))人：武漢大學(xué)，
類型：發(fā)明
國別省市：湖北;42